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博世扇贝纹对亚微米硅通孔中应力的影响
1
作者
费思量
王珺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期666-673,共8页
硅通孔(TSV)是三维(3D)集成中的关键互连技术。采用博世(Bosch)工艺刻蚀TSV,尤其是亚微米直径的TSV时,侧壁产生的扇贝纹会引起TSV中的应力集中。利用有限元单元生死技术分析亚微米TSV制备过程中的应力变化,并对应力的影响因素进行了分...
硅通孔(TSV)是三维(3D)集成中的关键互连技术。采用博世(Bosch)工艺刻蚀TSV,尤其是亚微米直径的TSV时,侧壁产生的扇贝纹会引起TSV中的应力集中。利用有限元单元生死技术分析亚微米TSV制备过程中的应力变化,并对应力的影响因素进行了分析。研究了TSV节距、扇贝纹高度和宽度、阻挡层材料参数、工艺温度和工作温度等因素对TSV内部应力的影响,并选择了4个主要因素进行正交实验分析。研究结果表明,减小扇贝纹宽度、增大扇贝纹高度、降低工艺温度均能有效缓解扇贝纹附近的应力波动幅度,其中扇贝纹宽度对应力波动的影响最大。通过上述分析,对影响亚微米TSV应力的主要因素进行了排序,从而为TSV制备过程中的参数优化提供了指导。
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关键词
扇贝纹
亚
微米
硅
通孔
(
tsv
)
有限元分析
正交实验
单元生死技术
博世(Bosch)工艺
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职称材料
题名
博世扇贝纹对亚微米硅通孔中应力的影响
1
作者
费思量
王珺
机构
复旦大学材料科学系
复旦大学义乌研究院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期666-673,共8页
基金
国家自然科学基金(61774044)
教育部创新平台专项经费资助。
文摘
硅通孔(TSV)是三维(3D)集成中的关键互连技术。采用博世(Bosch)工艺刻蚀TSV,尤其是亚微米直径的TSV时,侧壁产生的扇贝纹会引起TSV中的应力集中。利用有限元单元生死技术分析亚微米TSV制备过程中的应力变化,并对应力的影响因素进行了分析。研究了TSV节距、扇贝纹高度和宽度、阻挡层材料参数、工艺温度和工作温度等因素对TSV内部应力的影响,并选择了4个主要因素进行正交实验分析。研究结果表明,减小扇贝纹宽度、增大扇贝纹高度、降低工艺温度均能有效缓解扇贝纹附近的应力波动幅度,其中扇贝纹宽度对应力波动的影响最大。通过上述分析,对影响亚微米TSV应力的主要因素进行了排序,从而为TSV制备过程中的参数优化提供了指导。
关键词
扇贝纹
亚
微米
硅
通孔
(
tsv
)
有限元分析
正交实验
单元生死技术
博世(Bosch)工艺
Keywords
scallop
submicron through silicon via(
tsv
)
finite element analysis
orthogonal experiment
element birth and death technique
Bosch process
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
博世扇贝纹对亚微米硅通孔中应力的影响
费思量
王珺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
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