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亚微米器件制造技术的发展动态被引量：1: 1; 作者范焕章黎想《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期8-10,18,共4页; 主要从光刻、隔离。; 关键词亚微米器件光刻隔离金属互连线制造技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

亚微米CMOS阈值电压控制研究: 2; 作者余山章定康黄敞《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期35-38,共4页; 由于亚微米器件的短沟道效应，引起器件的阈值电压下降。本文的研究表明，对器件的沟道采取多次杂质注入掺杂技术，可有效地克服短沟道效应与热载流子效应，即使在沟道长度为０．５μｍ时，器件仍显示出良好的。; 关键词亚微米器件阈值电压控制; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si亚微米MESFET的Monte　Carlo法模拟: 3; 作者赵鸿麟战长青潘姬《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期1-7,共7页; 本文是继用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法模拟ＧａＡｓ亚微米器件后，进一步用该法模拟Ｓｉ亚微米ＭＥＳＦＥＴ。文中除了处理Ｓｉ和ＧａＡｓ散射机制不同外，在模拟方法上有重要进步：用ＦＦＴ（ＦａｓｔＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍａ... 展开更多; 关键词亚微米器件蒙特卡罗法 MESFET; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体器件流体动力学模型研究: 4; 作者那斯尔江.吐尔逊吴金 +3 位作者杨廉峰刘其贵夏君魏同立《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1999年第5期52-56,共5页; 主要讨论了亚微米半导体器件模拟的流体动力学模型方程的建立过程．流体动力学模型由玻尔兹曼传输模型方程的矩推导而来，对玻尔兹曼传输模型采用不同的物理假设和数学近似，可以得到不同形式的流体动力学模型．同时，对各种不同形... 展开更多; 关键词亚微米半导体器件流体动力学模型弛豫时间; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名亚微米器件制造技术的发展动态被引量：1: 1; 作者范焕章黎想; 机构华东师范大学电子系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期8-10,18,共4页; 文摘主要从光刻、隔离。; 关键词亚微米器件光刻隔离金属互连线制造技术; Keywords Submicrometer device Technology Trend; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名亚微米CMOS阈值电压控制研究: 2; 作者余山章定康黄敞; 机构航空航天部二院计算机应用和仿真技术研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期35-38,共4页; 文摘由于亚微米器件的短沟道效应，引起器件的阈值电压下降。本文的研究表明，对器件的沟道采取多次杂质注入掺杂技术，可有效地克服短沟道效应与热载流子效应，即使在沟道长度为０．５μｍ时，器件仍显示出良好的。; 关键词亚微米器件阈值电压控制; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si亚微米MESFET的Monte　Carlo法模拟: 3; 作者赵鸿麟战长青潘姬; 机构天津大学电子工程系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期1-7,共7页; 基金国家自然科学基金; 文摘本文是继用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法模拟ＧａＡｓ亚微米器件后，进一步用该法模拟Ｓｉ亚微米ＭＥＳＦＥＴ。文中除了处理Ｓｉ和ＧａＡｓ散射机制不同外，在模拟方法上有重要进步：用ＦＦＴ（ＦａｓｔＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）代替迭代法，加速解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程过程；用快速自散射代替常规自散射，压缩计算无用自散射时间。这些进步相当程度地克服ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ微粒模拟法费机时的固有缺点。模拟得到的形象且合理的结果，给出亚微米栅长时ＳｉＭＥＳＦＥＴ的性能。; 关键词亚微米器件蒙特卡罗法 MESFET; Keywords Devices modelling,Monte Carlo method,Si submicron devices; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体器件流体动力学模型研究: 4; 作者那斯尔江.吐尔逊吴金杨廉峰刘其贵夏君魏同立; 机构东南大学微电子中心; 出处《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1999年第5期52-56,共5页; 基金国家自然科学基金江苏省自然科学基金; 文摘主要讨论了亚微米半导体器件模拟的流体动力学模型方程的建立过程．流体动力学模型由玻尔兹曼传输模型方程的矩推导而来，对玻尔兹曼传输模型采用不同的物理假设和数学近似，可以得到不同形式的流体动力学模型．同时，对各种不同形式的流体动力学模型的相互转换关系进行了系统分析，给出了半导体器件各种输运模型的适用范围等特性，为通用亚微米半导体器件模拟软件的模型选择提供了参考依据．; 关键词亚微米半导体器件流体动力学模型弛豫时间; Keywords submicron semiconductor device hydrodynamic model relaxation time; 分类号 TN302 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	亚微米器件制造技术的发展动态	范焕章黎想	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	亚微米CMOS阈值电压控制研究	余山章定康黄敞	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Si亚微米MESFET的Monte　Carlo法模拟	赵鸿麟战长青潘姬	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	半导体器件流体动力学模型研究	那斯尔江.吐尔逊吴金杨廉峰刘其贵夏君魏同立	《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料