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互阻放大器带宽计算方法被引量：5: 1; 作者樊振方罗晖《现代电子技术》 2011年第11期90-92,96,共4页; 互阻放大器是在光电检测前置放大中常用的一种电路结构。在互阻放大器的设计中没有增益带宽积的概念,其带宽分析往往让设计者感到困惑。为了深入研究互阻放大器的增益带宽特性,在此类比增益带宽积的引出,用单极点近似的方法推导出了互... 展开更多; 关键词互阻放大器带宽传递函数单极点近似; 在线阅读下载PDF 职称材料

抗干扰高线性射频前端设计被引量：6: 2; 作者陈志坚蔡敏《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期37-43,共7页; 为抑制干扰和提高电路的线性,采用0.13μm RF CMOS工艺设计了一款无需声表滤波器的射频前端电路系统.该设计采用一种新的带干扰消除环路可变增益低噪声跨导放大器、25%占空比本振信号的无源混频器和互阻放大器架构来实现抗干扰、低噪声... 展开更多; 关键词声表滤波器射频前端跨导放大器无源混频器互阻放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

光纤光栅微弱信号检测的解调电路被引量：2: 3; 作者贾振安郑德琳《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2012年第5期79-81,共3页; 为了在光纤光栅匹配解调系统中实现对光纤光栅微弱信号的检测与处理,在应用微弱光电信号检测原理的基础上设计一种高信噪比、高检测精度的解调电路,该解调电路采用低噪声电路元件参数选取原则和前置放大器设计的一般方法,在雪崩光电二... 展开更多; 关键词光纤光栅光电检测电路互阻放大器前置放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

APD探测器低噪声前端电子学研究被引量：11: 4; 作者王永纲《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期280-283,共4页; 根据应用系统的需求正确估算电子学系统的总噪声限度是设计的第一步。被测信号的带宽、增益要求、放大器的开环增益以及稳定性都直接影响着电路各主要参数的选择。探测器的输出电容是FET输入型放大器和双极型放大器的主要选择依据。这... 展开更多; 关键词 APD 互阻放大器低噪声; 在线阅读下载PDF 职称材料

区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究: 5; 作者梁琨张海君 +4 位作者周地宝杨茹韩德俊张录宁宝俊《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期376-381,共6页; 现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光... 展开更多; 关键词瞬态特性光晶体管区熔硅互阻放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计: 6; 作者黄静郭方敏王志亮《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1041-1043,共3页; 对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、... 展开更多; 关键词 InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器低噪声读出电路电容反馈互阻放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于FPGA和ARM的中子能谱测量系统设计被引量：2: 7; 作者彭征刘延飞吕宁《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2023年第1期48-53,共6页; 针对多球中子谱仪不便于携带、测量时间长、操作过程复杂等问题,设计了基于FPGA和ARM的单球中子谱仪。将6Li玻璃闪烁体和硅光电倍增管(SiPM)耦合制成热中子探测器,采用互阻放大电路对信号进行转换,经过放大、整形、采集和处理,得到各探... 展开更多; 关键词单球中子谱仪 FPGA ARM 硅光电倍增管互阻放大器系统设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名互阻放大器带宽计算方法被引量：5: 1; 作者樊振方罗晖; 机构国防科学技术大学光电学院; 出处《现代电子技术》 2011年第11期90-92,96,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(61078017) 国家自然科学基金资助项目(60608002); 文摘互阻放大器是在光电检测前置放大中常用的一种电路结构。在互阻放大器的设计中没有增益带宽积的概念,其带宽分析往往让设计者感到困惑。为了深入研究互阻放大器的增益带宽特性,在此类比增益带宽积的引出,用单极点近似的方法推导出了互阻放大器增益和带宽的关系,并运用Multisim软件进行了仿真,验证了结论的正确性。指出在互阻放大器中增益和带宽仍然是矛盾的,为互阻放大器的带宽设计提供明确的指导。; 关键词互阻放大器带宽传递函数单极点近似; Keywords transresistance amplifier bandwidth transfer function single pole approximation; 分类号 TN71-034 [电子电信—电路与系统] TP342 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名抗干扰高线性射频前端设计被引量：6: 2; 作者陈志坚蔡敏; 机构华南理工大学电子与信息学院; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期37-43,共7页; 基金广东省经济和信息化委员会重大专项(2011912004) 广东省产学研结合项目(2011A090200106) 广东省高新技术产业开发区发展引导专项(2011B010700065)~~; 文摘为抑制干扰和提高电路的线性,采用0.13μm RF CMOS工艺设计了一款无需声表滤波器的射频前端电路系统.该设计采用一种新的带干扰消除环路可变增益低噪声跨导放大器、25%占空比本振信号的无源混频器和互阻放大器架构来实现抗干扰、低噪声、高线性的射频前端.流片和测试结果表明:该电路抑制带外强干扰达20 d B以上,在2.4 GHz可实现44.98 d B增益和2.03 d B噪声系数,同时获得-7 d Bm的输入三阶互调截点和+72 d Bm的输入二阶互调截点,实现了无需声表滤波器和抗干扰特性;整个射频前端供电电压为1.2 V,功耗为36 m A.; 关键词声表滤波器射频前端跨导放大器无源混频器互阻放大器; Keywords surface acoustic wave filters RF front-end transconductance amplifier passive mixer transimpedance amplifier; 分类号 TN929.531 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光纤光栅微弱信号检测的解调电路被引量：2: 3; 作者贾振安郑德琳; 机构西安石油大学; 出处《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2012年第5期79-81,共3页; 基金国家863计划项目(2009AA06Z203) 教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(708087); 文摘为了在光纤光栅匹配解调系统中实现对光纤光栅微弱信号的检测与处理,在应用微弱光电信号检测原理的基础上设计一种高信噪比、高检测精度的解调电路,该解调电路采用低噪声电路元件参数选取原则和前置放大器设计的一般方法,在雪崩光电二极管与信号数模转换之间采用互阻放大器、巴特沃斯滤波电路和多级放大电路,实现了电路的最佳噪声匹配,有效地抑制了电路的噪声和干扰。该解调电路在光纤光栅匹配解调系统中具有很高的信噪比和测量精度,且具有很好的灵敏度,在测量低频率振动信号试验中具有优异的性能。实验表明:该电路解调系统在25～200 Hz正弦激励振动信号下具有很好的低噪声性能,精确的测试出振动信号,同时该电路所采用的方法与措施对其他测量系统也有借鉴意义。; 关键词光纤光栅光电检测电路互阻放大器前置放大器; Keywords fiber bragg grating photoelectric detection circuit mutual impedance amplifier preamplifier; 分类号 TB29 [一般工业技术—工程设计测绘]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名APD探测器低噪声前端电子学研究被引量：11: 4; 作者王永纲; 机构中国科学技术大学近代物理系; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期280-283,共4页; 文摘根据应用系统的需求正确估算电子学系统的总噪声限度是设计的第一步。被测信号的带宽、增益要求、放大器的开环增益以及稳定性都直接影响着电路各主要参数的选择。探测器的输出电容是FET输入型放大器和双极型放大器的主要选择依据。这些方面的理论分析结果是光电二极管应用的低噪声电路设计的基础。; 关键词 APD 互阻放大器低噪声; Keywords APD impedance amplifier low noise; 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究: 5; 作者梁琨张海君周地宝杨茹韩德俊张录宁宝俊; 机构北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所暨北京市辐射中心北京大学微电子学院; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期376-381,共6页; 文摘现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果,采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系。测量结果显示,器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化,对偏置电压的依赖性较弱;416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级,在416nW入射光功率下小尺寸器件的上升时间约为30μs,与理论计算结果具有较好的符合。; 关键词瞬态特性光晶体管区熔硅互阻放大器; Keywords Transient behavior, Phototransistor, Float-zone silicon, Trans-impedance amplifier （TIA）; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计: 6; 作者黄静郭方敏王志亮; 机构华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室南通大学电子信息学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1041-1043,共3页; 基金科技部重大项目资助(2006CB932802) 南通大学自然科学项目资助(07Z039); 文摘对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0.6μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求。; 关键词 InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器低噪声读出电路电容反馈互阻放大器; Keywords InGaAs/InP APD detector low-noise ROIC CTIA; 分类号 TN312.7 [电子电信—物理电子学] O431 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于FPGA和ARM的中子能谱测量系统设计被引量：2: 7; 作者彭征刘延飞吕宁; 机构火箭军工程大学; 出处《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2023年第1期48-53,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61834004)。; 文摘针对多球中子谱仪不便于携带、测量时间长、操作过程复杂等问题,设计了基于FPGA和ARM的单球中子谱仪。将6Li玻璃闪烁体和硅光电倍增管(SiPM)耦合制成热中子探测器,采用互阻放大电路对信号进行转换,经过放大、整形、采集和处理,得到各探测器计数值,用于计算中子能谱。实验结果表明:探测单元设计合理,能够有效实现中子信号向电压信号的转换,输出信号脉冲幅度为-2.80 V,脉冲宽度为325 ns;电子学系统软硬件稳定可靠,采集计数的漏计数率低于1%。; 关键词单球中子谱仪 FPGA ARM 硅光电倍增管互阻放大器系统设计; Keywords single-sphere neutron spectrometer FPGA ARM silicon photomultiplier transimpedance amplifier system design; 分类号 TP274 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	互阻放大器带宽计算方法	樊振方罗晖	《现代电子技术》	2011	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	抗干扰高线性射频前端设计	陈志坚蔡敏	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	光纤光栅微弱信号检测的解调电路	贾振安郑德琳	《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	APD探测器低噪声前端电子学研究	王永纲	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	11	在线阅读下载PDF 职称材料
5	区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究	梁琨张海君周地宝杨茹韩德俊张录宁宝俊	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计	黄静郭方敏王志亮	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于FPGA和ARM的中子能谱测量系统设计	彭征刘延飞吕宁	《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料