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金属氧化物半导体MEMS气体传感器研究进展 被引量:3
1
作者 尹嘉琦 沈文锋 +3 位作者 吕大伍 赵京龙 胡鹏飞 宋伟杰 《材料导报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期30-43,共14页
随着物联网的快速发展,各领域对气体监测的需求越来越大,基于先进微机电系统(Micro-electro-mechanical systems, MEMS)技术的金属氧化物半导体(Metal oxide semiconductor, MOS)气体传感器在过去几十年里取得了很大发展。MEMS微热板的... 随着物联网的快速发展,各领域对气体监测的需求越来越大,基于先进微机电系统(Micro-electro-mechanical systems, MEMS)技术的金属氧化物半导体(Metal oxide semiconductor, MOS)气体传感器在过去几十年里取得了很大发展。MEMS微热板的多样化设计、MOSs纳米结构的多样化以及机器学习算法的出现为MEMS的传感性能以及智能传感系统的构建提供了很大助力。本文从MEMS气体传感器的分类、制备和应用以及传感器阵列的构建等方面综述了金属氧化物半导体MEMS气体传感器的最新研究进展,并对MEMS基气体传感器的发展前景进行了总结和展望。 展开更多
关键词 气体传感器 金属氧化物半导体 微机电系统 传感器阵列 智能传感系统
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金属氧化物半导体气敏传感器稳定性研究进展 被引量:9
2
作者 周志刚 胡木林 李鄂胜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期52-56,共5页
金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变... 金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变化的贡献;微裂纹的加剧使器件的电阻发生漂移,并且为水蒸气、氧气和待测气体扩散到敏感膜内部提供便捷的通道;电极的退化影响电极与气敏材料之间的接触电阻Rc;温度和湿度的改变使气体的吸附、脱附、反应活性和电子迁移率等都发生变化,因而器件的稳定性得不到保证。在机理分析的基础上,分别介绍了提高器件稳定性的方法。 展开更多
关键词 气敏传感器 金属氧化物半导体 稳定性
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紫外光激发金属氧化物气体传感器研究进展
3
作者 顾子琪 曹兆玉 +1 位作者 薄良波 郑晓虹 《微纳电子技术》 2025年第1期13-27,共15页
近年来,随着环境污染问题日益严重,对传感器的要求也在不断提升。传统的金属氧化物气体传感器虽然具有良好的响应,但是工作温度高和选择性差制约了其发展。紫外光激发与形貌调控、金属掺杂和构建异质结相结合被认为是解决这一问题的有... 近年来,随着环境污染问题日益严重,对传感器的要求也在不断提升。传统的金属氧化物气体传感器虽然具有良好的响应,但是工作温度高和选择性差制约了其发展。紫外光激发与形貌调控、金属掺杂和构建异质结相结合被认为是解决这一问题的有效途径。综述了近年来紫外光激发的金属氧化物气体传感器的研究进展,详细探究了紫外光激发金属氧化物气体传感器的工作机理,并对紫外光激发下以ZnO、TiO_(2)、SnO_(2)、In_2O_(3)四种金属氧化物为敏感材料的半导体型气体传感器、气敏结构以及器件设计与器件集成的研究进展进行了综述。最后,指出了紫外光激发金属氧化物气体传感器在实际应用中可能面临的一些挑战和问题。 展开更多
关键词 气体传感器 光激发 紫外光 金属氧化物半导体 气敏性能
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掺杂金属氧化物半导体气敏传感器性能的研究进展 被引量:7
4
作者 曹冠龙 李铁 +4 位作者 潘国峰 杨学莉 王如 崔军蕊 回广泽 《光电技术应用》 2020年第6期15-22,27,共9页
金属氧化物半导体气敏传感器因其灵敏度高、制造成本低、测量方式简单易行等特点受到了广泛关注,在有毒有害气体实时监测方面极具应用潜力。在制备过程中,掺杂作为常用的改性工艺之一,得到了国内外学者的广泛关注。文中将从掺杂的角度... 金属氧化物半导体气敏传感器因其灵敏度高、制造成本低、测量方式简单易行等特点受到了广泛关注,在有毒有害气体实时监测方面极具应用潜力。在制备过程中,掺杂作为常用的改性工艺之一,得到了国内外学者的广泛关注。文中将从掺杂的角度综述制备金属氧化物半导体气敏传感器的研究进展,其中包括一元纯金属氧化物、纯金属掺杂、稀土元素掺杂、复合金属氧化物、金属氧化物掺杂等。并对现阶段存在的问题及发展趋势进行了概述。 展开更多
关键词 金属氧化物 半导体 掺杂 气敏传感器 灵敏度
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基于金属氧化物半导体的瓦斯气体传感器研究现状及进展 被引量:2
5
作者 陈享享 刘天豪 +5 位作者 欧阳云飞 黄世毅 张朝阳 罗盛葳 陈润萱 林修合 《金属矿山》 CAS 北大核心 2023年第11期34-44,共11页
瓦斯是我国煤矿以及相关金属矿山安全事故发生的主要诱因。甲烷是瓦斯的主要成分,利用高性能气体传感器对甲烷进行及时的监测预警,可有效保障矿山井下作业的安全。金属氧化物半导体型传感器相比电化学式、气相色谱式、接触燃烧式、光学... 瓦斯是我国煤矿以及相关金属矿山安全事故发生的主要诱因。甲烷是瓦斯的主要成分,利用高性能气体传感器对甲烷进行及时的监测预警,可有效保障矿山井下作业的安全。金属氧化物半导体型传感器相比电化学式、气相色谱式、接触燃烧式、光学式等气体传感器,具有成本低、体积小、稳定性好和响应快等优点,因此应用前景广泛。介绍了几种常见的金属氧化物半导体甲烷气敏材料,分析其用于甲烷气体传感的基本原理和优势,总结得出提升金属氧化物半导体材料气敏性能的3个主要方向为形貌调控、贵金属掺杂和构建异质结。目前需要进一步围绕表面电阻控制、化学敏化和电子敏化等3种气敏提升机制进行优化制备。总体而言,金属氧化物半导体气敏材料的研究为开发高性能瓦斯传感器奠定了基础,并将有助于矿山的安全和可持续生产。 展开更多
关键词 甲烷检测 金属氧化物半导体 气体传感器 气敏材料 煤矿安全
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基于互补金属氧化物半导体的高精度地沟油检测计 被引量:1
6
作者 杨洁 黄海深 李阳军 《食品与机械》 CSCD 北大核心 2016年第9期44-48,153,共6页
利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更... 利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更高。在脉冲计数的作用下,电阻分压通过与参考电压相比较可以得到不同的高电平数,不仅可以区分地沟油与正常食用油,还可以得出正常油掺入地沟油的质量分数。在检测计核心电路设计方面,由于采用CMOS工艺设计,所以可以实现低面积和低功耗的检测。 展开更多
关键词 地沟油 互补金属氧化物半导体 电导率 电阻分压
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用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路
7
作者 张新 高勇 +2 位作者 刘善喜 安涛 徐春叶 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期278-281,共4页
在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电... 在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明 :1.2 μm器件 10 1级环振单门延迟为 2 5 2 ps ,总延迟为 5 4.2ns .电路静态功耗约为 3mW ,动态功耗为 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 绝缘硅 SOI 氧化 动态功耗 电路 静态功耗 延迟 CMOS 集成技术
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VOCs分子的半导体型传感器识别检测研究进展 被引量:10
8
作者 刘弘禹 孟钢 +4 位作者 邓赞红 李蒙 常鋆青 代甜甜 方晓东 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第5期26-42,共17页
具有体积小、功耗低、灵敏度高、硅工艺兼容性好等优点的金属氧化物半导体(MOS)气体传感器现已广泛地应用于军事、科研和国民经济的各个领域。然而MOS传感器的低选择性阻碍了其在物联网(IoT)时代的应用前景。为此,本文综述了解决MOS传... 具有体积小、功耗低、灵敏度高、硅工艺兼容性好等优点的金属氧化物半导体(MOS)气体传感器现已广泛地应用于军事、科研和国民经济的各个领域。然而MOS传感器的低选择性阻碍了其在物联网(IoT)时代的应用前景。为此,本文综述了解决MOS传感器选择性的研究进展,主要介绍了敏感材料性能提升、电子鼻和热调制三种改善MOS传感器选择性的技术方法,阐述了三种方法目前所存在的问题及其未来的发展趋势。同时,本文还对比介绍了机器嗅觉领域主流的主成分分析(PCA)、线性判别分析(LDA)和神经网络(NN)模式识别/机器学习算法。最后,本综述展望了具有数据降维、特征提取和鲁棒性识别分类性能的卷积神经网络(CNN)深度学习算法在气体识别领域的应用前景。基于敏感材料性能的提升、多种调制手段与阵列技术的结合以及人工智能(AI)领域深度学习算法的最新进展,将会极大地增强非选择性MOS传感器的挥发性有机化合物(VOCs)分子识别能力。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 气体传感器 电子鼻 热调制 模式识别 机器学习 卷积神经网络
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CMOS图像传感器固定模式噪声抑制新技术。 被引量:4
9
作者 刘宇 王国裕 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期345-348,419,共5页
针对有源像素(APS)CMOS图像传感器中的固定模式噪声(FPN),设计了一种动态数字双采样的噪声抑制新技术;该技术比普通双采样技术具有更佳的抑制效果,其电路结构简单,适合于像素尺寸不断缩小的CMOS图像传感器发展趋势。通过MPW计划,采用Cha... 针对有源像素(APS)CMOS图像传感器中的固定模式噪声(FPN),设计了一种动态数字双采样的噪声抑制新技术;该技术比普通双采样技术具有更佳的抑制效果,其电路结构简单,适合于像素尺寸不断缩小的CMOS图像传感器发展趋势。通过MPW计划,采用Chartered0.35μmCMOS工艺制作了测试ASIC芯片,试验结果表明动态数字双采样技术有效抑制了FPN噪声。 展开更多
关键词 有源像素 互补金属氧化物半导体图像传感器 固定模式噪声 噪声抑制 动态数字双采样
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CMOS图像传感器在航天遥感中的应用 被引量:19
10
作者 王军 李国宏 《航天返回与遥感》 2008年第2期42-47,共6页
文章对互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器的应用情况进行了综述,对CMOS传感器的优缺点与CCD进行了比较。通过计算CMOS遥感器的理论信噪比,证明CMOS传感器能满足航天遥感应用。
关键词 互补金属氧化物半导体 图像传感器 信噪比 航天遥感
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基于量子成像的下一代甚高灵敏度图像传感器技术 被引量:2
11
作者 潘卫军 王耕耘 +7 位作者 姚瑶 吴淞波 程甘霖 翟国芳 樊奔 卜洪波 张旭 陈瑞明 《航天返回与遥感》 CSCD 北大核心 2021年第6期111-121,共11页
高灵敏探测成像是空间遥感应用中的一个重要技术领域,如全天时对地观测、空间暗弱目标跟踪识别等应用,对于甚高灵敏度图像传感器的需求日益强烈。文章围绕具有单光子分辨能力的量子CMOS图像传感器这一新型甚高灵敏度图像传感器,从单光... 高灵敏探测成像是空间遥感应用中的一个重要技术领域,如全天时对地观测、空间暗弱目标跟踪识别等应用,对于甚高灵敏度图像传感器的需求日益强烈。文章围绕具有单光子分辨能力的量子CMOS图像传感器这一新型甚高灵敏度图像传感器,从单光子探测的噪声特性以及固态图像传感器的高灵敏技术机理出发,对量子CMOS图像传感器的技术发展历史、关键技术以及未来发展趋势都做了综合的论述,并在此基础上对量子CMOS图像传感器的空间应用做了分析和展望。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 甚高灵敏 单光子探测 全天时对地观测 空间暗弱目标 量子图像传感器
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智能化成像与识别CMOS图像传感器技术 被引量:5
12
作者 徐江涛 程思璐 《航天返回与遥感》 CSCD 北大核心 2021年第6期95-110,共16页
近年来,高性能智能化CMOS图像传感器芯片作为视觉信息获取的核心部件,日益成为国家重大科技研究项目(如载人航天、大飞机、高分辨率对地观测等)航天与空间探测领域的重要基础和技术支撑。三维集成的图像传感器芯片架构为构建智能化成像... 近年来,高性能智能化CMOS图像传感器芯片作为视觉信息获取的核心部件,日益成为国家重大科技研究项目(如载人航天、大飞机、高分辨率对地观测等)航天与空间探测领域的重要基础和技术支撑。三维集成的图像传感器芯片架构为构建智能化成像系统奠定了基础,模拟生物视觉感知机理的智能仿生图像传感器有效解决了分辨率和帧频不断提高的需求带来的感知与处理能力的挑战,同时还具有大动态范围、低数据冗余和低功耗等优势。文章在分析了智能化成像机理的基础上,调研了国际上多种仿生CMOS图像传感器的研究进展并分析了智能化成像与识别的关键技术,展望了该领域未来研究的可能发展方向,为抢占智能化CMOS图像传感器技术的制高点提供参考。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体图像传感器 智能化成像 生物视觉 三维堆叠
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半导体照明光源恒流驱动芯片的研究 被引量:8
13
作者 沈慧 朱大中 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期238-241,共4页
介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0.6μm CM O S标准工艺制造,包含有大功率M O SFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块,在标准工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。... 介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0.6μm CM O S标准工艺制造,包含有大功率M O SFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块,在标准工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。该芯片可为工作电压为3.5 V,工作电流为350 mA的单个半导体照明光源提供恒定的驱动电流。在5 V电源电压有10%跳变的情况下,半导体照明光源的驱动电流的变化可被控制在1.71%以内,而距离光源10 cm处的照度变化仅为1.28%。当环境温度由25°C升高至85°C时,半导体照明光源的驱动电流减小1.14%,而距离光源10 cm处的照度仅减小1.09%。该恒流驱动芯片的电源效率可达63.4%。 展开更多
关键词 半导体照明 互补金属氧化物半导体集成电路 功率集成 恒流驱动
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图像传感器技术的专利状况分析——图像传感器技术的宏观定量分析 被引量:1
14
作者 杨隆鑫 左恬源 侯冠华 《电视技术》 北大核心 2012年第S2期78-80,85,共4页
图像传感器是一种将光学图像转换成电子信号的器件,它被广泛地应用于摄像机、数码相机、照相手机等设备中。图像传感器主要分为感光耦合元件和互补式金属氧化物半导体有源像素传感器两种。基于图像传感器技术领域的专利文献,对该领域专... 图像传感器是一种将光学图像转换成电子信号的器件,它被广泛地应用于摄像机、数码相机、照相手机等设备中。图像传感器主要分为感光耦合元件和互补式金属氧化物半导体有源像素传感器两种。基于图像传感器技术领域的专利文献,对该领域专利总体变化情况进行统计和分析,研究当前技术发展状况,分析在中国市场具有知识产权竞争优势的申请人,从专利布局现状揭示产业发展风险与机遇。 展开更多
关键词 图像传感器 固态成像器件 CCD CMOS 电子耦合器件 互补金属氧化物半导体
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简化4T像素结构CMOS图像传感器设计与实现
15
作者 赵秋卫 李晓宇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期179-183,共5页
阐述了一种简化4T像素结构的设计。较普通4T像素结构而言,该简化结构像素内部去掉了行选通管,从而提高了像素的填充因子,简化了内部电路设计,减小了版图的面积,消除了行选通管引入的随机噪声。该像素结构采用0.11μm CIS工艺,成功应用... 阐述了一种简化4T像素结构的设计。较普通4T像素结构而言,该简化结构像素内部去掉了行选通管,从而提高了像素的填充因子,简化了内部电路设计,减小了版图的面积,消除了行选通管引入的随机噪声。该像素结构采用0.11μm CIS工艺,成功应用于一款像素阵列为640×480的CMOS图像传感器芯片,经过流片测试,芯片整体性能达到了预期的设计目标。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体图像传感器 简化4T像素结构 填充因子 灵敏度
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CMOS图像传感器用像素级双采样存储技术
16
作者 裴志军 国澄明 +1 位作者 姚素英 赵毅强 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期335-339,共5页
多次曝光技术是扩展CM O S APS图像传感器动态范围较为有效的方法,但多于两次的曝光,信号处理复杂,使传感器的帧频受到限制,而像素级双采样存储技术将两次曝光采样及图像组合处理在像素内实现,在获得高动态范围的同时,可有效提高图像实... 多次曝光技术是扩展CM O S APS图像传感器动态范围较为有效的方法,但多于两次的曝光,信号处理复杂,使传感器的帧频受到限制,而像素级双采样存储技术将两次曝光采样及图像组合处理在像素内实现,在获得高动态范围的同时,可有效提高图像实时处理的速度,并且可以工作于高速同步曝光模式。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 图像传感器 动态范围 双采样存储
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基于压缩感知的CMOS图像传感器设计
17
作者 任晓娜 阮文韬 王俊青 《激光杂志》 北大核心 2016年第7期84-86,共3页
传统CMOS图像传感器系统的功耗大,工作过程复杂,应用范围受限。为解决传统CMOS图像传感器存在的不足,提出了一种基于压缩感知的CMOS图像传感器。首先采用压缩感知算法对CMOS图像传感器的模拟像素矩阵进行处理,大幅度减少数据量,然后对C... 传统CMOS图像传感器系统的功耗大,工作过程复杂,应用范围受限。为解决传统CMOS图像传感器存在的不足,提出了一种基于压缩感知的CMOS图像传感器。首先采用压缩感知算法对CMOS图像传感器的模拟像素矩阵进行处理,大幅度减少数据量,然后对CMOS图像传感器的电路结构进行完善,降低CMOS图像传感器的功耗,最后仿真实验结果表明,本文CMOS图像传感器可以加快测量值的获取,而且可以保证图像重构质量,具有较高的实用价值。 展开更多
关键词 图像传感器 压缩感知理论 设计与实现 金属氧化物半导体元件
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CMOS图像传感器的最新进展及应用
18
作者 程开富 《世界电子元器件》 2002年第12期14-16,共3页
随着多媒体、数字电视,可视通信等领域的热点增加,CMOS图像传感器应用前景更加广阔,在实现小像素尺寸方面,CMOS图像传感器取得了快速的进步,已有3.3μm×3.3μm像素尺寸的报道。采用0.25μm CMOS工艺技术,将生产出高性能的CMOS图像... 随着多媒体、数字电视,可视通信等领域的热点增加,CMOS图像传感器应用前景更加广阔,在实现小像素尺寸方面,CMOS图像传感器取得了快速的进步,已有3.3μm×3.3μm像素尺寸的报道。采用0.25μm CMOS工艺技术,将生产出高性能的CMOS图像传感器,高性能CMOS摄像机有希望短期内大量出现。 展开更多
关键词 CMOS 图像传感器 单斜率模式 低噪声 互补金属氧化物半导体 ADD 雪崩光电二极管
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一种用于单细胞阻抗检测的CMOS-MEMS单芯片电化学阻抗传感器
19
作者 聂鉴卿 蔡盛训 +2 位作者 王琨 关一民 刘德盟 《微纳电子技术》 CAS 2024年第12期114-121,共8页
传统的基于贵金属的共面电极价格昂贵,且难以与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺集成,阻碍了采用共面电极的传感器的量产与大规模应用。开发了一种基于微机电系统(MEMS)工艺的共面钽电极电化学阻抗传感器,该传感器集成了精准微泵和微流道... 传统的基于贵金属的共面电极价格昂贵,且难以与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺集成,阻碍了采用共面电极的传感器的量产与大规模应用。开发了一种基于微机电系统(MEMS)工艺的共面钽电极电化学阻抗传感器,该传感器集成了精准微泵和微流道,可实现单细胞在共面电极上的精准操控和非侵入性电阻抗检测和分析。设计了3组不同宽度和间距的钽电极,其中30μm/10μm的配置对细胞响应最为灵敏。细胞流过电极的动态阻抗测试表明,在500 kHz~2 MHz频率范围内,传感器能有效检测HEK 293细胞和CHO细胞,两种细胞的阻抗响应指数分别达到3.93%和1.80%。研究表明基于钽电极的电化学阻抗传感器在单细胞阻抗分析中有较高的应用潜力,测试结果可以指导高通量、低成本的单细胞电阻抗检测芯片的量产开发。 展开更多
关键词 单细胞阻抗检测 共面钽电极 微型阻抗传感器 精准微泵 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容
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基于动态温度调制的氧化锌纳米气体传感器敏感特性分析 被引量:1
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作者 苑振宇 类延峰 +1 位作者 董慧 孟凡利 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期469-477,共9页
采用水热法制作了纳米氧化锌气敏材料,分析了双溶剂洗涤和水洗涤下的成品形貌,并采用传统的静态测试方法测试了灵敏度、稳定性及响应/恢复时间等特性参数.针对金属氧化物气体传感器的选择性和稳定性问题,基于静态测试,提出了一种新颖的... 采用水热法制作了纳米氧化锌气敏材料,分析了双溶剂洗涤和水洗涤下的成品形貌,并采用传统的静态测试方法测试了灵敏度、稳定性及响应/恢复时间等特性参数.针对金属氧化物气体传感器的选择性和稳定性问题,基于静态测试,提出了一种新颖的动态温度调制测试方法.系统研究了不同波形(三角波、矩形波及梯形波)下传感器的响应,并分析了三角波下对称性的影响及基于梯形波下干扰气体和幅值对传感器响应的影响.研究成果可为人工智能产业前端的精确感知器件提供技术基础. 展开更多
关键词 气体传感器 半导体金属氧化物 氧化 动态温度调制 波形分析
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