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像增强型图像传感器在总剂量辐照下的光响应度 被引量:5
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作者 闫劲云 江洁 张广军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3153-3159,共7页
采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验,以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预定剂量点时,采用离线测试的方法定量测试了器件的光响应度变化情况。实验结果表明,随着辐照总剂量的增加,... 采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验,以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预定剂量点时,采用离线测试的方法定量测试了器件的光响应度变化情况。实验结果表明,随着辐照总剂量的增加,器件的光响应度迅速下降;当总剂量达60krad(Si)时,相对光响应度降低至辐照前的6%。根据像增强型图像传感器的构成,分析了光响应度下降的原因,并推导了光响应度随辐照剂量变化的经验公式。实验显示,提高像增强型图像传感器的增益电压可补偿光响应度的衰减,总剂量达25krad(Si)时,增益提高0.23V其光响应度即可恢复至未接受辐照前的100%,并保持良好的微光探测能力。研究表明,像增强型图像传感器可承受25krad(Si)的总剂量辐射。 展开更多
关键词 像增强型图像传感器 互补金属氧化半导体(cmos) 总剂量辐射效应 光响应度 增益补偿
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全新图像传感器技术
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《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2005年第10期1832-1832,共1页
IBM推出面向拍照手机、数码相机和其他消费产品的CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器.这种基于0.18微米制造工艺,内置超薄2.5微米铜堆栈、片上色彩过滤器和显微镜头的CMOS传感器可进一步提高图像质量,其中,铜堆栈厚度比标准... IBM推出面向拍照手机、数码相机和其他消费产品的CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器.这种基于0.18微米制造工艺,内置超薄2.5微米铜堆栈、片上色彩过滤器和显微镜头的CMOS传感器可进一步提高图像质量,其中,铜堆栈厚度比标准铝制造工艺大约薄了30%,满足拍照手机等产品在低光照条件下的拍摄需要.在数码成像领域,CCD(光电荷耦合器件)由于其图片质量较高主宰着传感器市场.与CCD技术相比,CMOS技术具有低能耗、高集成度和低生产成本等优势. 展开更多
关键词 传感器技术 图像传感器 互补金属氧化半导体 cmos传感器 微米制造工艺 CCD技术 电荷耦合器件 cmos技术 拍照手机
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多发光目标的高速跟踪 被引量:2
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作者 孔凡辉 陈青山 +1 位作者 刘洋 吕勇 《传感器与微系统》 CSCD 2017年第5期33-35,共3页
研究了一种基于高速图像采集与处理的多发光目标跟踪技术。采用现场可编程门阵列(FPGA)形成高速Camera Link CMOS相机的图像采集与实时处理系统。通过对图像数据进行开窗、求重心等算法处理,实现对多发光目标的跟踪,并搭建由直流电机驱... 研究了一种基于高速图像采集与处理的多发光目标跟踪技术。采用现场可编程门阵列(FPGA)形成高速Camera Link CMOS相机的图像采集与实时处理系统。通过对图像数据进行开窗、求重心等算法处理,实现对多发光目标的跟踪,并搭建由直流电机驱动、具有两个LED光源的发光靶标进行跟踪测试。测试结果表明:相机输出帧频100 Hz时,运动目标相对于相机角速度达1.93 rad/s,仍可实时跟踪。系统的跟踪能力正比于相机帧频。 展开更多
关键词 互补金属氧化物体半导体(cmos)高速图像传感器 图像处理 跟踪 现场可编程门阵列
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适用于昼夜视觉的微光CIS 被引量:2
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作者 潘京生 郭一亮 +4 位作者 顾燕 李燕红 孙建宁 张勤东 苏德坦 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第3期181-187,共7页
CMOS图像传感器(CIS)相比于CCD图像传感器具有可集成更多功能和集成度以及更小的系统尺寸、重量和功耗及成本(SWa P-C)的优势,CIS技术的最新进步,特别在低读出噪声和高灵敏度的突破,使其不仅达到了相当于CCD图像传感器的图像性能,同时... CMOS图像传感器(CIS)相比于CCD图像传感器具有可集成更多功能和集成度以及更小的系统尺寸、重量和功耗及成本(SWa P-C)的优势,CIS技术的最新进步,特别在低读出噪声和高灵敏度的突破,使其不仅达到了相当于CCD图像传感器的图像性能,同时也将其微光使用限定推进到了微光条件,介绍了一种高灵敏度低噪声大动态范围的微光CIS组件,具备从白天到多云残月夜晚的实时单色成像能力,可作为一种在微光成像性能和SWa P-C优选的可见光近红外(VIS-NIR)昼夜成像器件。 展开更多
关键词 微光夜视 互补金属氧化半导体 有源像素传感器 cmos图像传感器 微光cmos图像传感器
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