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MEMS器件的W2W真空封装研究
被引量：
3
1
作者
董艳
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015年第5期17-19,共3页
开发了一种适于MEMS器件的基于W2W(圆片对圆片)工艺的简易的圆片级真空封装方法。通过电镀工艺在MEMS器件圆片和封盖圆片上各沉积含5μm Cu和1.5μm Sn金属层的键合环。器件圆片和封盖圆片在160℃及0.01Pa的真空环境中保持10 min以形成...
开发了一种适于MEMS器件的基于W2W(圆片对圆片)工艺的简易的圆片级真空封装方法。通过电镀工艺在MEMS器件圆片和封盖圆片上各沉积含5μm Cu和1.5μm Sn金属层的键合环。器件圆片和封盖圆片在160℃及0.01Pa的真空环境中保持10 min以形成真空,之后在270℃及4 MPa保持30 min通过Cu和Sn的互溶扩散工艺完成键合。测量键合区内Cu元素和Sn元素的重量比,证实形成了Cu3Sn和Cu6Sn5金属间化合物。通过剪切力测试对单个芯片的键合面强度进行标定,计算剪切强度达32.20 MPa。
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关键词
圆片对圆片
工艺
真空封装
微电子机械系统
Cu-Sn键合
圆片级封装
互溶扩散工艺
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职称材料
题名
MEMS器件的W2W真空封装研究
被引量：
3
1
作者
董艳
机构
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015年第5期17-19,共3页
文摘
开发了一种适于MEMS器件的基于W2W(圆片对圆片)工艺的简易的圆片级真空封装方法。通过电镀工艺在MEMS器件圆片和封盖圆片上各沉积含5μm Cu和1.5μm Sn金属层的键合环。器件圆片和封盖圆片在160℃及0.01Pa的真空环境中保持10 min以形成真空,之后在270℃及4 MPa保持30 min通过Cu和Sn的互溶扩散工艺完成键合。测量键合区内Cu元素和Sn元素的重量比,证实形成了Cu3Sn和Cu6Sn5金属间化合物。通过剪切力测试对单个芯片的键合面强度进行标定,计算剪切强度达32.20 MPa。
关键词
圆片对圆片
工艺
真空封装
微电子机械系统
Cu-Sn键合
圆片级封装
互溶扩散工艺
Keywords
W2W （wafer-to-wafer） process
vacuum package
MEMS （ Micro-electro-mechanical systems）
Cu-Sn bonding
waferlevel package
inter diffusion process
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
MEMS器件的W2W真空封装研究
董艳
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015
3
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