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题名基于硅基IPD技术的新型S波段带通滤波器设计
被引量：3
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作者
方芝清
唐高弟
吕立明
曾荣
李智鹏
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机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期347-352,共6页
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文摘
将无源器件内埋或集成在封装基板中,是射频系统级封装（SIP）的小型化面临的首要问题之一。基于硅基集成无源器件（IPD）技术,借鉴经典的级联四角元件（CQ）滤波器拓扑,提出一种四电感互耦结构。利用集总LC谐振器和分布式互感耦合原理,在交叉耦合节点处以加载电容的方式引入频变耦合节点,实现了一款新颖的S波段四阶带通滤波器,尺寸仅为1.5 mm×1 mm,其通带内最小插损约为-3.5 dB@2.8 GHz,-1 dB带宽为2.63~2.96 GHz,在带外形成两个传输零点位置：-41.5 dB@2.29 GHz和-26 dB@3.34 GHz。该滤波器结构形式新颖,可以整体集成到硅基板中,为射频系统级封装一体化集成提供支持。
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关键词
带通滤波器
集成无源器件(IPD)
系统级封装(SIP)
频变耦合
互感电感结构
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Keywords
bandpass filter
integrated passive device （IPD）
system in package （SIP）
fre-quency-dependent-coupling
mutual inductor structure
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分类号
TN713.5
[电子电信—电路与系统]
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
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