化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物研究进展

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作者 王栋 魏子健 +5 位作者 张倩 夏月庆 张秀丽 王天汉 袁志华 兰明明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期156-169,共14页

二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的... 二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的高度可控性使其具有很大优势。本文综述了近期通过CVD制备TMDs的研究进展,探讨了在CVD制备工艺中各种参数对产物生长和最终形貌的影响,包括前驱体、温度、衬底、辅助剂、压力和载气流量等。列举了一些改进的CVD制备工艺,并对其特点进行了总结。最后讨论了目前CVD制备TMDs所面临的挑战并对其发展前景进行展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 化学气相沉积 盐辅助化学气相沉积 金属有机化学气相沉积 二维材料 前驱体 影响因素

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二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术及其应用

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作者 沈永才 徐菲 吴义恒 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期30-33,35,共5页

综述近年来二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术及其应用,重点介绍了二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备方法,包括微机械剥离法、化学气相沉积法、电化学法、液相剥离法等,并对二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术和应... 综述近年来二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术及其应用,重点介绍了二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备方法,包括微机械剥离法、化学气相沉积法、电化学法、液相剥离法等,并对二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术和应用前景进行了展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 二维纳米材料 制备方法

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过渡金属硫族化合物二维晶体基复合材料的研究进展 被引量：3

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作者 孙兰 张龙 马飞 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期40-47,共8页

石墨烯的发现掀起了人们对二维晶体材料的探索热潮。单层或少数层过渡金属硫族化合物(TMDs)是二维晶体材料的典型代表,此类材料的带隙合适、电子迁移率和热导率高、光吸收强、比表面积大,在新型光电器件、光/电催化、锂离子电池电极、... 石墨烯的发现掀起了人们对二维晶体材料的探索热潮。单层或少数层过渡金属硫族化合物(TMDs)是二维晶体材料的典型代表,此类材料的带隙合适、电子迁移率和热导率高、光吸收强、比表面积大,在新型光电器件、光/电催化、锂离子电池电极、气体传感及生物医学等领域蕴藏着巨大的应用潜能。特别是,对于TMDs二维晶体与其他材料复合而成的纳米结构,强烈的界面耦合作用对材料物理和化学特性的调控至关重要,甚至可能导致新奇特性,预示着新功能和新应用。详细综述了TMDs二维晶体基复合材料的制备方法、结构与性能的界面调控及其潜在应用,并指出了该研究领域仍存在的问题及未来发展方向。 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 复合结构 耦合效应

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二维过渡金属硫族化合物中的缺陷和相关载流子动力学的研究进展 被引量：6

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作者 王云坤 李耀龙 高宇南 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期18-42,共25页

原子级厚度的单层或者少层二维过渡金属硫族化合物因其独特的物理特性而被寄希望成为下一代光电子器件的重要组成部分。然而,二维材料的缺陷在很大程度上影响着材料的性质。一方面,缺陷的存在降低了材料的荧光量子效率、载流子迁移率等... 原子级厚度的单层或者少层二维过渡金属硫族化合物因其独特的物理特性而被寄希望成为下一代光电子器件的重要组成部分。然而,二维材料的缺陷在很大程度上影响着材料的性质。一方面,缺陷的存在降低了材料的荧光量子效率、载流子迁移率等重要参数,影响了器件的性能。另一方面,合理地调控和利用缺陷催生了单光子源等新的应用,因此,表征、理解、处理和调控二维材料中的缺陷至关重要。本文综述了二维过渡金属硫族化合物中的缺陷以及缺陷相关的载流子动力学研究进展,旨在梳理二维材料中的缺陷及其超快动力学与材料性能之间的关系,为二维过渡金属硫族化合物材料特性和高性能光电子器件的相关研究提供支持。 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 缺陷 载流子动力学

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二维过渡金属硫属化合物氧还原反应催化剂的研究进展 被引量：2

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作者 孙炼 顾全超 +3 位作者 杨雅萍 王洪磊 余金山 周新贵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期697-709,共13页

氧还原(ORR)反应是燃料电池等清洁能源阴极的关键反应,其反应动力学复杂,阴极需使用Pt等贵金属催化剂。然而Pt价格昂贵,且载体炭黑在高电位环境下稳定性欠佳,导致电池部件成本高且寿命短。二维过渡金属硫属化合物(2D TMDs)具有高比表面... 氧还原(ORR)反应是燃料电池等清洁能源阴极的关键反应,其反应动力学复杂,阴极需使用Pt等贵金属催化剂。然而Pt价格昂贵,且载体炭黑在高电位环境下稳定性欠佳,导致电池部件成本高且寿命短。二维过渡金属硫属化合物(2D TMDs)具有高比表面积与可调节的电学性能,且稳定性强,有望在维持活性的同时提高燃料电池阴极的耐久性。本文梳理了近年来2D TMDs在ORR催化剂领域的最新研究进展:首先概述了2D TMDs的结构、性质及ORR反应机理;其次分析了调控2D TMDs的ORR性能策略,包括异质元素掺杂、相转变、缺陷工程与应力工程等,介绍了2D TMDs基异质结构对ORR性能的提升作用;最后,针对该领域目前存在的挑战进行展望与总结。 展开更多

关键词 氧还原反应 二维材料 过渡金属硫属化合物 电催化 综述

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碲协助法制备二维过渡金属硫属化合物合金及异质结

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作者 郭鹏 段恒利 闫文盛 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1018-1024,共7页

二维过渡金属硫属化合物(TMDC)合金和异质结由于具有独特的光电性能,因而在下一代光电器件中有着广泛的应用前景.然而,如何可控地制备出二维TMDC合金和异质结是一个重大的挑战.以WS2与MoS2的异质结和合金为例,通过在钨粉中引入不同含量... 二维过渡金属硫属化合物(TMDC)合金和异质结由于具有独特的光电性能,因而在下一代光电器件中有着广泛的应用前景.然而,如何可控地制备出二维TMDC合金和异质结是一个重大的挑战.以WS2与MoS2的异质结和合金为例,通过在钨粉中引入不同含量的低熔点碲粉,有效降低了WS2的生长温度,继而调节了WS2的成核和生长速率,利用一步化学气相沉积方法,可控地制备出WS2/MoS2垂直异质结和Mo1-xWxS2合金.拉曼光谱、光致发光谱、拉曼成像和光致发光成像技术表明,制备出的WS2/MoS2垂直异质结是由单层的WS2和MoS2上下叠加而成,而在Mo1-xWxS2合金中,W的含量(x)为0.83.此研究为人们提供了一个简单、有效的可控制备二维TMDC异质结和合金的化学气相沉积方法. 展开更多

关键词 化学气相沉积 二维过渡金属硫属化合物(tmdc) 合金 异质结

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二维过渡金属硫族化合物在超级电容器中的研究进展

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作者 陈明华 李宏武 +4 位作者 范鹤 李誉 刘威铎 夏新辉 陈庆国 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期539-555,共17页

近年来,过渡金属硫族化合物(TMDs)作为一种新兴的二维材料,因其独特的层状结构及电学特性成为超级电容器电极材料的理想候选者之一.本文介绍了二维TMDs的常用合成方法,阐述了钼基、钨基和钒基等TMDs在超级电容器中的研究进展,分析了形... 近年来,过渡金属硫族化合物(TMDs)作为一种新兴的二维材料,因其独特的层状结构及电学特性成为超级电容器电极材料的理想候选者之一.本文介绍了二维TMDs的常用合成方法,阐述了钼基、钨基和钒基等TMDs在超级电容器中的研究进展,分析了形貌、尺寸和改性方法等因素对TMDs材料电化学性能的影响,并对TMDs在超级电容器领域的工业化应用和挑战进行了总结与展望. 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 超级电容器

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二维过渡金属硫族化合物缺陷工程 被引量：1

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作者 李景涛 马洋 +2 位作者 李绍先 何业鸣 张永哲 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第6期993-1015,共23页

二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs)具有厚度在原子级别、禁带宽度随层数在1~2 eV内变化、高载流子迁移率(如MoS_(2)载流子迁移率达到了200 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1))等特点,在光... 二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs)具有厚度在原子级别、禁带宽度随层数在1~2 eV内变化、高载流子迁移率(如MoS_(2)载流子迁移率达到了200 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1))等特点,在光学、电学等领域具有广泛应用。TMDs的超薄特性使此类材料与块体材料相比,更容易受到缺陷调控的影响,改变材料原有性能。在本综述中,首先介绍了TMDs的晶体结构和相结构,并根据维度特征对缺陷的类型进行了分类;接着从缺陷的抑制和修复,以及缺陷的制造两方面出发,总结了缺陷调控TMDs材料性能的最新研究进展;在此基础上,介绍了缺陷工程在电学、光学、磁学、电催化等领域的具体应用;最后,本综述讨论了缺陷工程在应用过程中面临的实际问题,并对其未来的研究及发展方向进行了展望。 展开更多

关键词 二维过渡金属硫族化合物 缺陷工程 缺陷调控

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二维过渡金属硫族化合物中激子-极化激元的研究进展(特邀) 被引量：1

9

作者 徐哲元 蒋英 潘安练 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期122-139,共18页

二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-... 二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-爱因斯坦凝聚态),它们不受粒子数反转的限制,可实现超低阈值激光。同时结合其谷极化特性,可为强耦合状态的谷电子学应用如光自旋开关和谷极化双稳态器件等提供潜在应用。分别对二维过渡金属硫族化合物中的激子-极化激元、谷极化激子-极化激元和激子-极化激元的玻色爱因斯坦凝聚的研究进展进行了系统综述,最后总结分析了未来实现二维激子-极化激元激光需解决的关键科学问题并对其发展进行了展望。 展开更多

关键词 低维半导体光与物质相互作用 激子-极化激元 二维过渡金属硫族化合物 谷电子学 玻色-爱因斯坦凝聚

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二维过渡金属硫族化合物的环境稳定性

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作者 周振佳 徐洁 高力波 《物理学进展》 北大核心 2023年第4期97-116,共20页

二维过渡金属硫族化合物具有独特、优异的电学和力学性能,已被广泛应用于基础研究以及电子、自旋电子、光电子、能量收集捕获和催化等领域当中。然而,二维过渡金属硫族化合物在苛刻的条件下不稳定,并且在环境中极易降解,这限制了其在大... 二维过渡金属硫族化合物具有独特、优异的电学和力学性能,已被广泛应用于基础研究以及电子、自旋电子、光电子、能量收集捕获和催化等领域当中。然而,二维过渡金属硫族化合物在苛刻的条件下不稳定,并且在环境中极易降解,这限制了其在大多数领域的应用。在本篇综述中,我们总结了二维过渡金属硫族化合物环境稳定性研究的最新进展,包括最新的生长方法、稳定性的基本机制以及保护二维过渡金属硫族化合物材料免受老化和性能衰退的方法。通过从生长过程中分析影响二维过渡金属硫族化合物稳定性的关键因素,我们对优化生长方法以提高其稳定性进行了回顾。最后,我们展望了生长稳定二维过渡金属硫族化合物的指导方法,这也为制备、设计其他先进功能材料以及相应异质结结构带来可能。 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 稳定性 缺陷

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保温时间对二维二硫化钼生长的影响 被引量：3

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作者 熊礼威 王凯 +2 位作者 李鑫 陶雪华 崔宇 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期303-308,共6页

目的研究二维MoS2薄片的生长规律,为将来过渡金属硫族化合物薄膜的生长提供理论参考与技术经验。方法采用化学气相沉积法(CVD)制备MoS2薄片,且仅改变薄片生长的保温时间。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)和拉曼光谱分析探究MoS2薄片的生... 目的研究二维MoS2薄片的生长规律,为将来过渡金属硫族化合物薄膜的生长提供理论参考与技术经验。方法采用化学气相沉积法(CVD)制备MoS2薄片,且仅改变薄片生长的保温时间。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)和拉曼光谱分析探究MoS2薄片的生长规律。结果MoS2薄片由最初的形核点逐渐生长为中心有亮点的三角形(形核点MoS2拉曼光谱特征峰波数差为20.25 cm^−1)进一步生长为完整三角形的MoS2薄片(拉曼光谱特征峰波数差为18.32 cm^−1)。随着保温时间的延长,薄片之间开始“拼接”成膜,并最终在此膜层上再次形核生长出体相MoS2薄片。结论二维MoS2薄片的生长模式随着生长阶段而表现不同,最开始以非二维生长模式产生形核点,而非形核点区域以二维生长模式进行生长。在持续长大阶段,薄片以二维生长的模式为主导。在“拼接”阶段,出现多层MoS2区域。在第二层生长阶段,MoS2薄片以三维生长的模式生长。 展开更多

关键词 二维材料 MoS2薄片 CVD 生长机理 保温时间 过渡金属硫族化合物

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类石墨烯硫族化合物纳米材料及其在能源领域中的应用

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作者 沈永才 徐菲 吴义恒 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期136-142,共7页

2004年以来,以石墨烯为代表的新型二维纳米材料引起了全球范围内的研究热潮,在光电子、生物、能源等领域展现出了巨大的应用潜力。过渡金属硫族化合物因平面内结合力较强、平面外结合力较弱以致可以将其剥离成单个细胞厚度的二维层状纳... 2004年以来,以石墨烯为代表的新型二维纳米材料引起了全球范围内的研究热潮,在光电子、生物、能源等领域展现出了巨大的应用潜力。过渡金属硫族化合物因平面内结合力较强、平面外结合力较弱以致可以将其剥离成单个细胞厚度的二维层状纳米材料,且该材料具备类石墨烯物理化学性质而被誉为"无机石墨烯"。关于二维过渡金属硫族化合物纳米材料的研究已有多年,众多研究表明,因其具有独特的结构和特性,在光电器件、催化及能源存储领域有着广阔的应用前景。基于该领域研究的最新进展,综述了二维过渡金属硫族化合物纳米材料在能源领域中的应用,并对目前相关研究领域的发展趋势进行了总结和展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 二维层状纳米材料 制备方法 能源存储

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二维TMC忆阻器在神经形态计算中的研究进展 被引量：1

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作者 毛成烈 高小玉 南海燕 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期109-122,共14页

忆阻器和突触器件作为一种有潜力的神经形态器件,近年来得到了广泛的研究。二维过渡金属硫族化合物(2D TMC)由于其独特的性能,使基于其的电子器件制造工艺具有高集成度、高兼容性和高扩展性等优势。对基于2D TMC的高性能忆阻器在神经形... 忆阻器和突触器件作为一种有潜力的神经形态器件,近年来得到了广泛的研究。二维过渡金属硫族化合物(2D TMC)由于其独特的性能,使基于其的电子器件制造工艺具有高集成度、高兼容性和高扩展性等优势。对基于2D TMC的高性能忆阻器在神经形态计算中的应用进行了全面的综述。首先介绍了2D TMC及其异质结在忆阻器中的应用潜力,然后基于该类材料的基本结构和物理性能,对近年来报道的器件进行了分类介绍,接着讨论了这些新兴材料和器件在神经形态计算中的应用,最后基于目前存在的问题,提出了解决方案,并对该类器件在其他场景的应用进行了展望。 展开更多

关键词 二维过渡金属硫族化合物(2D TMC) 异质结 忆阻器 人工突触 神经形态计算

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超级电容器中的二维材料 被引量：7

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作者 唐捷 华青松 +3 位作者 元金石 张健敏 赵玉玲 无 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期26-35,共10页

以石墨烯为代表的具有层状结构的二维材料因具有大比表面积等特性成为超级电容器电极材料的热门候选。文章着眼于针对诸如石墨烯、过渡金属二硫族化合物、过渡金属碳/氮化物、层状过渡金属氧化物/氢氧化物等二维材料在超级电容器领域应... 以石墨烯为代表的具有层状结构的二维材料因具有大比表面积等特性成为超级电容器电极材料的热门候选。文章着眼于针对诸如石墨烯、过渡金属二硫族化合物、过渡金属碳/氮化物、层状过渡金属氧化物/氢氧化物等二维材料在超级电容器领域应用的研究,尝试总结了其制备方法、产物形貌特征以及作为电极的性能等,并对这一领域的未来发展和面临的挑战提出了看法与预测。 展开更多

关键词 超级电容器 双电层电容器 赝电容电容器 二维材料 石墨烯 过渡金属二硫族化合物(tmdcs) 过渡金属碳/氮化物(MXenes) 层状过渡金属氧化物(TMOs) 层状过渡金属氢氧化物(TMHs)

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衬底位置对制备二维的MoS2的影响 被引量：1

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作者 赵建江 李洪飞 +1 位作者 谢爽 徐明生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期12189-12192,12199,共5页

新型的二维层状材料凭借着其优异的机械、光学、电学等独特性能受到研究者广泛关注,二维层状材料如石墨烯、过渡金属硫族化合物等在柔性器件等领域具有潜在的应用前景,成为了现阶段研究热点之一;然而,应用的前提是高质量的二维材料大面... 新型的二维层状材料凭借着其优异的机械、光学、电学等独特性能受到研究者广泛关注,二维层状材料如石墨烯、过渡金属硫族化合物等在柔性器件等领域具有潜在的应用前景,成为了现阶段研究热点之一;然而,应用的前提是高质量的二维材料大面积可控制备。利用化学气相沉积方法制备了二维的MoS_2,探讨了放置衬底的差异对合成二维的MoS_2的影响。结果表明,在其它相同的实验条件下,face-up和face-down的放置位置制备的MoS_2具有不同的形状、在衬底上的覆盖率不同;尽管如此,两种放置情况下,获得的单层的MoS_2具有类似的结构和荧光特性。研究结果对可控合成二维的MoS_2以及其它的TMDs均具有指导意义和参考价值。 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 化学气相沉积制备 衬底放置

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二维界面修饰对全无机CsPbBr_(3)薄膜光电性能的调控

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作者 周青伟 吴凡 +3 位作者 罗芳 黄先燕 郭楚才 朱志宏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第6期294-303,共10页

全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池中的电荷传输层与钙钛矿层界面的载流子复合是制约其光电转换效率进一步提升的关键因素。文中采用带隙和带边可调控的二维过渡金属硫族化合物(MoS_(2)、MoSe_(2)、WS_(2)和WSe_(2))材料作为电子传输层和... 全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池中的电荷传输层与钙钛矿层界面的载流子复合是制约其光电转换效率进一步提升的关键因素。文中采用带隙和带边可调控的二维过渡金属硫族化合物(MoS_(2)、MoSe_(2)、WS_(2)和WSe_(2))材料作为电子传输层和钙钛矿层之间的界面修饰材料和载流子传输材料,利用晶格匹配的范德华外延生长高质量的钙钛矿薄膜,同时通过界面能级补偿和势垒消减,降低钙钛矿层与电子传输层之间的界面电荷损失,促进全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池器件中载流子的提取与传输,使器件光电转换效率由初始的7.94%提高到10.02%,同时开路电压从1.474 V提升至1.567 V。该研究为制备高质量的钙钛矿薄膜同时实现界面能级匹配的高性能光电器件提供了一条新途径。 展开更多

关键词 太阳能电池 光电性能 二维界面修饰 钙钛矿 过渡金属硫族化合物

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二硫化钼的电子输运与器件 被引量：4

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作者 邱浩 王欣然 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期280-293,共14页

二硫化钼具有与石墨烯类似的二维层状结构,因其宽禁带、无悬挂键等特性,在以晶体管为代表的逻辑器件领域有广泛的应用;另外,单层二硫化钼为直接带隙半导体,在光电器件中应用也逐渐引起研究人员的关注.本文综述了近期基于二硫化钼晶体管... 二硫化钼具有与石墨烯类似的二维层状结构,因其宽禁带、无悬挂键等特性,在以晶体管为代表的逻辑器件领域有广泛的应用;另外,单层二硫化钼为直接带隙半导体,在光电器件中应用也逐渐引起研究人员的关注.本文综述了近期基于二硫化钼晶体管器件电子输运研究、及其在电子、光电器件领域研究进展;除此,对于二维过渡金属二硫属化物中诸如二硫化钨、二硒化钨在器件方面应用也进行了简单的讨论. 展开更多

关键词 二硫化钼 电子输运 器件应用 二维过渡金属二硫属化物

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二维TMDs析氢催化剂的改性和耦合产电研究进展

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作者 严文思 由颖琪 +2 位作者 赵雪婷 汪海东 李雷 《化学研究与应用》 CAS 北大核心 2023年第8期1818-1826,共9页

二维过渡金属硫属化合物(2D TMDs)具有比表面积大和电子结构可调的优点,被认为是电催化析氢反应(HER)最具前景的非贵金属催化材料。而纯的2D TMDs的活性位点数量有限且电导率不够高,通过对其进行有效改性,可优化氢吸附自由能、提高导电... 二维过渡金属硫属化合物(2D TMDs)具有比表面积大和电子结构可调的优点,被认为是电催化析氢反应(HER)最具前景的非贵金属催化材料。而纯的2D TMDs的活性位点数量有限且电导率不够高,通过对其进行有效改性,可优化氢吸附自由能、提高导电率、增加催化剂活性位点数量以提升本征催化性能。本文综述了对近年来2D TMDs基电催化剂在HER中的应用研究进展,以促进电解水制氢的进一步发展。重点分析了改性策略及相应的制备方法、电解水析氢性能与影响机制以及耦合产电应用进展,最后对2D TMDs在HER及耦合产电应用中面临的挑战进行分析与展望。 展开更多

关键词 二维过渡金属硫属化合物 改性策略 析氢反应 电解水 耦合产电

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二维MoS_(2)/WSe_(2)异质结的光电性能研究 被引量：2

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作者 皇甫路遥 戴梦德 +2 位作者 南海燕 顾晓峰 肖少庆 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第11期2075-2080,共6页

近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS_(2)的光电晶体管被广泛研究。虽然基于单层MoS_(2)的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级。二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且... 近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS_(2)的光电晶体管被广泛研究。虽然基于单层MoS_(2)的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级。二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且空间均匀的范德华异质结构,是提高二维光电探测器性能的有效途径。基于此本文通过机械剥离转移法构筑MoS_(2)/WSe_(2)垂直pn异质结,其较强的空间电荷区能有效地分离光生载流子,所以在自驱动状态下仍具有较好的光电探测能力,光响应度和探测率分别达到2.12×10^(3) A/W和2.33×10^(11) Jones,同时极大地缩短了响应时间,响应时间达到40 ms。这种二维异质结器件制备方法简易,性能优异,在光电子领域具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 MoS_(2)/WSe_(2) PN结 机械剥离转移法 二维范德华异质结构 光电探测器 过渡金属硫族化合物

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中国科大在二维材料研究中取得系列进展

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《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期77-77,共1页

中国科学技术大学博士崔萍与校内外同行合作，揭示了过渡金属二硫族化合物锯齿型纳米条带边缘重构的普适性原子尺度机制；进一步，基于所发现的边缘重构模式的可调性，与实验结合首次实现了二硒化钼纳米条带自下而上的可控生长，并揭示... 中国科学技术大学博士崔萍与校内外同行合作，揭示了过渡金属二硫族化合物锯齿型纳米条带边缘重构的普适性原子尺度机制；进一步，基于所发现的边缘重构模式的可调性，与实验结合首次实现了二硒化钼纳米条带自下而上的可控生长，并揭示了其微观机制。 展开更多

关键词 二维材料 中国科大 中国科学技术大学 微观机制 硫族化合物 原子尺度 过渡金属 可控生长

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