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二硫化钼的电子输运与器件
被引量：
4
1
作者
邱浩
王欣然
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期280-293,共14页
二硫化钼具有与石墨烯类似的二维层状结构,因其宽禁带、无悬挂键等特性,在以晶体管为代表的逻辑器件领域有广泛的应用;另外,单层二硫化钼为直接带隙半导体,在光电器件中应用也逐渐引起研究人员的关注.本文综述了近期基于二硫化钼晶体管...
二硫化钼具有与石墨烯类似的二维层状结构,因其宽禁带、无悬挂键等特性,在以晶体管为代表的逻辑器件领域有广泛的应用;另外,单层二硫化钼为直接带隙半导体,在光电器件中应用也逐渐引起研究人员的关注.本文综述了近期基于二硫化钼晶体管器件电子输运研究、及其在电子、光电器件领域研究进展;除此,对于二维过渡金属二硫属化物中诸如二硫化钨、二硒化钨在器件方面应用也进行了简单的讨论.
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关键词
二
硫
化
钼
电子输运
器件应用
二维过渡金属二硫属化物
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职称材料
二维WSe_(2)场效应晶体管光电性能
被引量：
8
2
作者
夏风梁
石凯熙
+3 位作者
赵东旭
王云鹏
范翊
李金华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期257-263,共7页
自石墨烯被发现以来,随着人们不断的研究和探索,越来越多具有类似结构的二维材料因其优异的光电性质相继被发现和研究。过渡金属硫族化合物(TMDs)因其丰富的物理性质而受到广泛关注。本文研究了三层二硒化钨(WSe_(2))纳米片的光电性能...
自石墨烯被发现以来,随着人们不断的研究和探索,越来越多具有类似结构的二维材料因其优异的光电性质相继被发现和研究。过渡金属硫族化合物(TMDs)因其丰富的物理性质而受到广泛关注。本文研究了三层二硒化钨(WSe_(2))纳米片的光电性能。利用范德华力将WSe_(2)转移到SiO_(2)/Si衬底的Au电极上,用银浆引出背栅电极,制备了WSe_(2)场效应晶体管,其载流子迁移率为3.42 cm^(2)/(V·s)。WSe_(2)场效应晶体管在630 nm波长下探测器响应度为0.61 A/W,器件的光响应恢复时间为1900 ms。
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关键词
二
维
半导体材料
过渡
金属
硫
族
化
物
二
硒
化
钨
光电探测
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职称材料
题名
二硫化钼的电子输运与器件
被引量：
4
1
作者
邱浩
王欣然
机构
南京大学固体微结构物理国家重点实验室
出处
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期280-293,共14页
基金
国家973计划(2013CBA01600,2011CB922100,2010CB923401,2011CB302004)
国家自然科学基金(61261160499,11274154,21173040,11274222,21373045,61274114)
+1 种基金
国家科技重大专项(2011ZX02707)
江苏省自然科学基金(BK2012302,BK20130016,BK2012024)
文摘
二硫化钼具有与石墨烯类似的二维层状结构,因其宽禁带、无悬挂键等特性,在以晶体管为代表的逻辑器件领域有广泛的应用;另外,单层二硫化钼为直接带隙半导体,在光电器件中应用也逐渐引起研究人员的关注.本文综述了近期基于二硫化钼晶体管器件电子输运研究、及其在电子、光电器件领域研究进展;除此,对于二维过渡金属二硫属化物中诸如二硫化钨、二硒化钨在器件方面应用也进行了简单的讨论.
关键词
二
硫
化
钼
电子输运
器件应用
二维过渡金属二硫属化物
Keywords
electron transport
applications in devices
TMDCs
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
二维WSe_(2)场效应晶体管光电性能
被引量：
8
2
作者
夏风梁
石凯熙
赵东旭
王云鹏
范翊
李金华
机构
长春理工大学理学院
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期257-263,共7页
基金
教育部“111”创新引智项目(D17017)
吉林省科技发展计划(202002040JC,20200201266JC,20200201271JC)资助项目。
文摘
自石墨烯被发现以来,随着人们不断的研究和探索,越来越多具有类似结构的二维材料因其优异的光电性质相继被发现和研究。过渡金属硫族化合物(TMDs)因其丰富的物理性质而受到广泛关注。本文研究了三层二硒化钨(WSe_(2))纳米片的光电性能。利用范德华力将WSe_(2)转移到SiO_(2)/Si衬底的Au电极上,用银浆引出背栅电极,制备了WSe_(2)场效应晶体管,其载流子迁移率为3.42 cm^(2)/(V·s)。WSe_(2)场效应晶体管在630 nm波长下探测器响应度为0.61 A/W,器件的光响应恢复时间为1900 ms。
关键词
二
维
半导体材料
过渡
金属
硫
族
化
物
二
硒
化
钨
光电探测
Keywords
two-dimensional semiconductor materials
transition metal dichaldogenides(TMDs)
WSe2
photoelectric detection
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二硫化钼的电子输运与器件
邱浩
王欣然
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
二维WSe_(2)场效应晶体管光电性能
夏风梁
石凯熙
赵东旭
王云鹏
范翊
李金华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
8
在线阅读
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职称材料
已选择
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