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氮化物异质结电子气的二维特性和迁移率
被引量：
14
1
作者
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期1-6,12,共7页
从自洽求解薛定谔方程出发,计算了氮化物异质结中的二维电子气、退局域态和二维表面态。研究了电子气二维特性与迁移率间的关联。用电子气的二维特性和沟道电子向表面态溢出模型解释了室温和低温下迁移率随电子浓度变化的行为。以电子...
从自洽求解薛定谔方程出发,计算了氮化物异质结中的二维电子气、退局域态和二维表面态。研究了电子气二维特性与迁移率间的关联。用电子气的二维特性和沟道电子向表面态溢出模型解释了室温和低温下迁移率随电子浓度变化的行为。以电子迁移率与异质结构间的关联为依据,提出了优化设计异质结构来增大电子迁移率和降低迁移率随电子浓度变化的新思路。
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关键词
:铝镓氮/氮化镓异质结
电子气的
二
维
特性
退局域
态
二维表面态
迁移率
子带间散射
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职称材料
AlGaN/GaN HFET中的陷阱
被引量：
1
2
作者
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期457-463,共7页
提出了二维表面态和表面缺陷层构成的AlGaN/GaN HFET中的陷阱模型。自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数。发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程。从缺陷态...
提出了二维表面态和表面缺陷层构成的AlGaN/GaN HFET中的陷阱模型。自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数。发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程。从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流、肖特基势垒的伏安特性和产生-复合噪声。最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径。
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关键词
AlGaN/GaN场效应管
陷阱
二维表面态
表面
缺陷
热电子隧穿
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职称材料
题名
氮化物异质结电子气的二维特性和迁移率
被引量：
14
1
作者
薛舫时
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期1-6,12,共7页
文摘
从自洽求解薛定谔方程出发,计算了氮化物异质结中的二维电子气、退局域态和二维表面态。研究了电子气二维特性与迁移率间的关联。用电子气的二维特性和沟道电子向表面态溢出模型解释了室温和低温下迁移率随电子浓度变化的行为。以电子迁移率与异质结构间的关联为依据,提出了优化设计异质结构来增大电子迁移率和降低迁移率随电子浓度变化的新思路。
关键词
:铝镓氮/氮化镓异质结
电子气的
二
维
特性
退局域
态
二维表面态
迁移率
子带间散射
Keywords
AIGaN/GaN heterojunction
two dimensional degree of electron gases
delocalized states
two dimensional surface states
mobility
interband scattering
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
AlGaN/GaN HFET中的陷阱
被引量：
1
2
作者
薛舫时
机构
单片集成电路与模块国家级重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期457-463,共7页
基金
科技预研基金资助课题(51327010202)
文摘
提出了二维表面态和表面缺陷层构成的AlGaN/GaN HFET中的陷阱模型。自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数。发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程。从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流、肖特基势垒的伏安特性和产生-复合噪声。最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径。
关键词
AlGaN/GaN场效应管
陷阱
二维表面态
表面
缺陷
热电子隧穿
Keywords
AIGaN/GaN HFET
trapping
two dimensional surface states
surface defects
hot electron tunneling
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化物异质结电子气的二维特性和迁移率
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
14
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职称材料
2
AlGaN/GaN HFET中的陷阱
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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职称材料
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