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一种新颖的二维纠错码加固存储器设计方法
被引量:
4
1
作者
肖立伊
祝名
李家强
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期227-234,共8页
提出了一种新颖的二维纠错码电路,可以有效地抑制辐射引起的存储器多位翻转。提出设计方法的最大特点是可以修正任意指定宽度的多位翻转,并以较低的硬件开销确保存储器的高可靠性。首先,本文提出一种新颖的二维修正码:把一个存储器的字...
提出了一种新颖的二维纠错码电路,可以有效地抑制辐射引起的存储器多位翻转。提出设计方法的最大特点是可以修正任意指定宽度的多位翻转,并以较低的硬件开销确保存储器的高可靠性。首先,本文提出一种新颖的二维修正码:把一个存储器的字拆分成一个二维矩阵的形式,分别对每一行和每一列加入多位错误探测码和奇偶校验码。随后,设计了存储器多位翻转的修正算法。最后,对提出的方法进行了电路和版图设计,并且利用提出的版图分割法解决了二维修正码冗余位中可能出现的多位翻转,进一步提高了存储器的可靠性。实验结果表明,提出的存储加固设计方法具有更高的可靠性。同目前已知的多位修正码相比,具有更低的编码和译码硬件开销,甚至低于只有一位修正能力的汉明码。
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关键词
存储器
抗辐射加固
纠错码
二维纠错码
多位翻转
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职称材料
基于辐射环境集成电路的二维纠错码设计
被引量:
1
2
作者
齐艺轲
李少甫
施宇根
《传感器与微系统》
CSCD
2019年第9期67-69,73,共4页
针对辐射环境对传感器中集成电路造成的影响,设计了一种新型二维纠错码及其相应的编译码电路。介绍了新型二维纠错码的编码算法,将信息位分成相等两行排列成矩阵形式,分别对每行每列加入校验位。设计了其译码算法,重复编码步骤,并运用...
针对辐射环境对传感器中集成电路造成的影响,设计了一种新型二维纠错码及其相应的编译码电路。介绍了新型二维纠错码的编码算法,将信息位分成相等两行排列成矩阵形式,分别对每行每列加入校验位。设计了其译码算法,重复编码步骤,并运用水平校正子和伴随式计算出正确信息位。运用信息位与校验位交错排列的方法,使其具有更强的纠错性能。实验结果与性能分析表明:设计的新型二维纠错码具有纠错能力强、编译码电路功耗、时延低等特点,适用于对辐射环境下传感器集成电路进行抗辐射加固。
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关键词
辐射环境
传感器
集成电路
二维纠错码
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职称材料
针对RAM防护的二维多比特报警法
被引量:
1
3
作者
孙瑞一
张钦宇
+1 位作者
梁松海
梁允萍
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期264-271,共8页
针对安全芯片中RAM故障对系统安全性的危害,提出了一种基于二维纠错码的RAM防护技术,即二维多比特纠正报警法(TDMBAM)。该技术设计了一种可以有效识别、纠正RAM故障类型的二维纠错码,并可对二维纠错码的纠错能力和RAM的故障类型进行评估...
针对安全芯片中RAM故障对系统安全性的危害,提出了一种基于二维纠错码的RAM防护技术,即二维多比特纠正报警法(TDMBAM)。该技术设计了一种可以有效识别、纠正RAM故障类型的二维纠错码,并可对二维纠错码的纠错能力和RAM的故障类型进行评估。TDMBAM对RAM进行了分区防护,将RAM分为程序存储区和数据存储区,并根据存储区的各自特点设计相异的纠错报警电路。对TDMBAM进行算法仿真,结果表明TDMBAM纠正了给定宽度内所有的连续和非连续故障,并对超过识别能力的故障给出了报警。报警后的系统有99.147 7%没有产生系统故障,并按照系统预定状态工作。
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关键词
容错
存储器
安全芯片
二维纠错码
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职称材料
题名
一种新颖的二维纠错码加固存储器设计方法
被引量:
4
1
作者
肖立伊
祝名
李家强
机构
哈尔滨工业大学微电子中心
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
出处
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期227-234,共8页
基金
哈尔滨市科技创新人才研究专项资金项目(抗多位翻转存储器加固技术研究
2012RFXXG042)
文摘
提出了一种新颖的二维纠错码电路,可以有效地抑制辐射引起的存储器多位翻转。提出设计方法的最大特点是可以修正任意指定宽度的多位翻转,并以较低的硬件开销确保存储器的高可靠性。首先,本文提出一种新颖的二维修正码:把一个存储器的字拆分成一个二维矩阵的形式,分别对每一行和每一列加入多位错误探测码和奇偶校验码。随后,设计了存储器多位翻转的修正算法。最后,对提出的方法进行了电路和版图设计,并且利用提出的版图分割法解决了二维修正码冗余位中可能出现的多位翻转,进一步提高了存储器的可靠性。实验结果表明,提出的存储加固设计方法具有更高的可靠性。同目前已知的多位修正码相比,具有更低的编码和译码硬件开销,甚至低于只有一位修正能力的汉明码。
关键词
存储器
抗辐射加固
纠错码
二维纠错码
多位翻转
Keywords
Memory
Radiation hardened
Error correction code
Two-dimensional error correction codes
Multiple bit upsets (MBU)
分类号
TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于辐射环境集成电路的二维纠错码设计
被引量:
1
2
作者
齐艺轲
李少甫
施宇根
机构
西南科技大学信息工程学院
中国空气动力研究与发展中心气动噪声控制重点实验室
出处
《传感器与微系统》
CSCD
2019年第9期67-69,73,共4页
基金
四川省科技计划资助项目(2017JY0050)
气动噪声控制重点实验室开放项目(ANCL20170304)
文摘
针对辐射环境对传感器中集成电路造成的影响,设计了一种新型二维纠错码及其相应的编译码电路。介绍了新型二维纠错码的编码算法,将信息位分成相等两行排列成矩阵形式,分别对每行每列加入校验位。设计了其译码算法,重复编码步骤,并运用水平校正子和伴随式计算出正确信息位。运用信息位与校验位交错排列的方法,使其具有更强的纠错性能。实验结果与性能分析表明:设计的新型二维纠错码具有纠错能力强、编译码电路功耗、时延低等特点,适用于对辐射环境下传感器集成电路进行抗辐射加固。
关键词
辐射环境
传感器
集成电路
二维纠错码
Keywords
radiation environment
sensor
integrated circuit
two-dimensional error correcting code
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
针对RAM防护的二维多比特报警法
被引量:
1
3
作者
孙瑞一
张钦宇
梁松海
梁允萍
机构
哈尔滨工业大学(深圳)电子与信息工程学院
国民技术股份有限公司
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期264-271,共8页
文摘
针对安全芯片中RAM故障对系统安全性的危害,提出了一种基于二维纠错码的RAM防护技术,即二维多比特纠正报警法(TDMBAM)。该技术设计了一种可以有效识别、纠正RAM故障类型的二维纠错码,并可对二维纠错码的纠错能力和RAM的故障类型进行评估。TDMBAM对RAM进行了分区防护,将RAM分为程序存储区和数据存储区,并根据存储区的各自特点设计相异的纠错报警电路。对TDMBAM进行算法仿真,结果表明TDMBAM纠正了给定宽度内所有的连续和非连续故障,并对超过识别能力的故障给出了报警。报警后的系统有99.147 7%没有产生系统故障,并按照系统预定状态工作。
关键词
容错
存储器
安全芯片
二维纠错码
Keywords
fault tolerant
memory
security chip
two dimensional error correction code
分类号
TP277 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新颖的二维纠错码加固存储器设计方法
肖立伊
祝名
李家强
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于辐射环境集成电路的二维纠错码设计
齐艺轲
李少甫
施宇根
《传感器与微系统》
CSCD
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
针对RAM防护的二维多比特报警法
孙瑞一
张钦宇
梁松海
梁允萍
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
在线阅读
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职称材料
已选择
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