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一种新颖的二维纠错码加固存储器设计方法 被引量:4
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作者 肖立伊 祝名 李家强 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期227-234,共8页
提出了一种新颖的二维纠错码电路,可以有效地抑制辐射引起的存储器多位翻转。提出设计方法的最大特点是可以修正任意指定宽度的多位翻转,并以较低的硬件开销确保存储器的高可靠性。首先,本文提出一种新颖的二维修正码:把一个存储器的字... 提出了一种新颖的二维纠错码电路,可以有效地抑制辐射引起的存储器多位翻转。提出设计方法的最大特点是可以修正任意指定宽度的多位翻转,并以较低的硬件开销确保存储器的高可靠性。首先,本文提出一种新颖的二维修正码:把一个存储器的字拆分成一个二维矩阵的形式,分别对每一行和每一列加入多位错误探测码和奇偶校验码。随后,设计了存储器多位翻转的修正算法。最后,对提出的方法进行了电路和版图设计,并且利用提出的版图分割法解决了二维修正码冗余位中可能出现的多位翻转,进一步提高了存储器的可靠性。实验结果表明,提出的存储加固设计方法具有更高的可靠性。同目前已知的多位修正码相比,具有更低的编码和译码硬件开销,甚至低于只有一位修正能力的汉明码。 展开更多
关键词 存储器 抗辐射加固 纠错码 二维纠错码 多位翻转
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基于辐射环境集成电路的二维纠错码设计 被引量:1
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作者 齐艺轲 李少甫 施宇根 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第9期67-69,73,共4页
针对辐射环境对传感器中集成电路造成的影响,设计了一种新型二维纠错码及其相应的编译码电路。介绍了新型二维纠错码的编码算法,将信息位分成相等两行排列成矩阵形式,分别对每行每列加入校验位。设计了其译码算法,重复编码步骤,并运用... 针对辐射环境对传感器中集成电路造成的影响,设计了一种新型二维纠错码及其相应的编译码电路。介绍了新型二维纠错码的编码算法,将信息位分成相等两行排列成矩阵形式,分别对每行每列加入校验位。设计了其译码算法,重复编码步骤,并运用水平校正子和伴随式计算出正确信息位。运用信息位与校验位交错排列的方法,使其具有更强的纠错性能。实验结果与性能分析表明:设计的新型二维纠错码具有纠错能力强、编译码电路功耗、时延低等特点,适用于对辐射环境下传感器集成电路进行抗辐射加固。 展开更多
关键词 辐射环境 传感器 集成电路 二维纠错码
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针对RAM防护的二维多比特报警法 被引量:1
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作者 孙瑞一 张钦宇 +1 位作者 梁松海 梁允萍 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期264-271,共8页
针对安全芯片中RAM故障对系统安全性的危害,提出了一种基于二维纠错码的RAM防护技术,即二维多比特纠正报警法(TDMBAM)。该技术设计了一种可以有效识别、纠正RAM故障类型的二维纠错码,并可对二维纠错码的纠错能力和RAM的故障类型进行评估... 针对安全芯片中RAM故障对系统安全性的危害,提出了一种基于二维纠错码的RAM防护技术,即二维多比特纠正报警法(TDMBAM)。该技术设计了一种可以有效识别、纠正RAM故障类型的二维纠错码,并可对二维纠错码的纠错能力和RAM的故障类型进行评估。TDMBAM对RAM进行了分区防护,将RAM分为程序存储区和数据存储区,并根据存储区的各自特点设计相异的纠错报警电路。对TDMBAM进行算法仿真,结果表明TDMBAM纠正了给定宽度内所有的连续和非连续故障,并对超过识别能力的故障给出了报警。报警后的系统有99.147 7%没有产生系统故障,并按照系统预定状态工作。 展开更多
关键词 容错 存储器 安全芯片 二维纠错码
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