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硅微电容式二维加速度传感器的加工与测试(英文)
被引量：
1
1
作者
刘妤
温志渝
+1 位作者
陈李
杨红韵
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期444-447,共4页
设计了一种基于体硅加工技术的单敏感质量元差分电容式二维加速度传感器,并采用硅-玻璃静电键合、ICP工艺释放等技术完成了二维加速度传感器的加工。测试结果表明:该二维加速度传感器两个检测方向上的灵敏度基本一致,线性度较好,交叉干...
设计了一种基于体硅加工技术的单敏感质量元差分电容式二维加速度传感器,并采用硅-玻璃静电键合、ICP工艺释放等技术完成了二维加速度传感器的加工。测试结果表明:该二维加速度传感器两个检测方向上的灵敏度基本一致,线性度较好,交叉干扰较小。X、Y方向的灵敏度分别为58.3 mV/gn、55.6 mV/gn;线性相关系数分别为0.9968、0.9961,交叉灵敏度分别为6.17%、7.82%。
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关键词
MEMS加速度
传感器
二维电容式传感器
体硅工艺
ICP深刻蚀
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职称材料
题名
硅微电容式二维加速度传感器的加工与测试(英文)
被引量：
1
1
作者
刘妤
温志渝
陈李
杨红韵
机构
重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室
重庆大学微系统研究中心
重庆理工大学汽车学院
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期444-447,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10176040)
文摘
设计了一种基于体硅加工技术的单敏感质量元差分电容式二维加速度传感器,并采用硅-玻璃静电键合、ICP工艺释放等技术完成了二维加速度传感器的加工。测试结果表明:该二维加速度传感器两个检测方向上的灵敏度基本一致,线性度较好,交叉干扰较小。X、Y方向的灵敏度分别为58.3 mV/gn、55.6 mV/gn;线性相关系数分别为0.9968、0.9961,交叉灵敏度分别为6.17%、7.82%。
关键词
MEMS加速度
传感器
二维电容式传感器
体硅工艺
ICP深刻蚀
Keywords
MEMS accelerometers
biaxial capacitive sensors
bulk silicon micromachining
ICP deep etching
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅微电容式二维加速度传感器的加工与测试(英文)
刘妤
温志渝
陈李
杨红韵
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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