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超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型
被引量：
3
1
作者
韩名君
柯导明
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期94-98,共5页
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与M...
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15~45nm MOSFET的二维电势和电流.
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关键词
超浅结亚45nm
MOSFET
二维电势半解析模型
亚阈值电流
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职称材料
题名
超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型
被引量：
3
1
作者
韩名君
柯导明
机构
安徽大学电子信息工程学院
安徽工程大学电气工程学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期94-98,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61076086
No.06070458)
高等学校博士学科点专项科研基金(No.2103401110008)
文摘
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15~45nm MOSFET的二维电势和电流.
关键词
超浅结亚45nm
MOSFET
二维电势半解析模型
亚阈值电流
Keywords
ultra shallow junctions sub-45nm M OSFETs
2-D potential semi-analytical model
sub-threshold current
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型
韩名君
柯导明
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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