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超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型 被引量:3
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作者 韩名君 柯导明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期94-98,共5页
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与M... 文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15~45nm MOSFET的二维电势和电流. 展开更多
关键词 超浅结亚45nm MOSFET 二维电势半解析模型 亚阈值电流
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