期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
偶联剂表面改性二维片状SrTiO_(3)粉体/聚偏氟乙烯复合材料介电储能特性研究
1
作者 陈铃 王娇 +3 位作者 刘少辉 高畅 刘辉 查道颖 《表面技术》 北大核心 2025年第20期228-237,251,共11页
目的开发高储能密度、高放电效率复合电介质材料对提升功率型器件设备小型化、微型化和轻量化具有重要意义。方法利用熔盐工艺结合混合碱法合成出大长径比二维片状SrTiO_(3)粉体作为无机填料,并利用3-氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂对其进行... 目的开发高储能密度、高放电效率复合电介质材料对提升功率型器件设备小型化、微型化和轻量化具有重要意义。方法利用熔盐工艺结合混合碱法合成出大长径比二维片状SrTiO_(3)粉体作为无机填料,并利用3-氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂对其进行表面改性,随后将改性后的二维片状SrTiO_(3)粉体与聚偏氟乙烯(PVDF)进行复合,系统地研究了不同表面改性二维片状SrTiO_(3)粉体填料含量对PVDF复合材料介电储能特性的影响。结果实验测试表明:合成出的SrTiO_(3)粉体无机填料具有良好的二维片状形貌,其尺寸长为2~5μm,宽为2~5μm,厚度为0.3~0.7μm,表面改性后的二维片状SrTiO_(3)粉体填料均匀分布在PVDF复合材料中,随着二维片状SrTiO_(3)填料含量的增加,PVDF电介质复合材料的介电性能显著提升,二维片状SrTiO_(3)粉体填充量为7.5%(体积分数)时,复合材料的介电常数高达23.2,是纯PVDF介电常数的2.9倍。在较低的二维片状SrTiO_(3)粉体填充量下,PVDF复合材料均展现出较高的耐击穿场强。表面改性后二维片状SrTiO_(3)粉体填料填充量为2.5%(体积分数)时,PVDF复合材料的储能密度达6.9 J/cm^(3),是纯PVDF储能密度的2.46倍。结论采用表面偶联剂改性可以显著改善二维片状SrTiO_(3)填料表面性能,在较小的含量下显著提升复合材料的介电常数、耐击穿场强,从而显著提升复合材料的储能特性,为制备高性能电介质储能电容器提供了重要的实验参考。 展开更多
关键词 复合材料 钛酸锶 储能性能 二维片状填料 表面改性 介电性能
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部