ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）成像表明，过饱和度σ=0．053时，晶面上出现二维成核生长；随σ增加至0．11，二维岛数量急剧增加，尺寸减小，分布渐趋均匀，二维成核生长逐渐增强，界面呈现出...ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）成像表明，过饱和度σ=0．053时，晶面上出现二维成核生长；随σ增加至0．11，二维岛数量急剧增加，尺寸减小，分布渐趋均匀，二维成核生长逐渐增强，界面呈现出由光滑向粗糙转变的特征；各二维岛形状趋近于长条形，表现出各向异性，长轴平行于[001]晶向；二维岛上有单分子高度的台阶和台阶聚并后高度为2～3nm的大台阶；二维岛间融合时取向相同；σ=0．053时，融合后所形成的较大二维岛的生长呈现出周边快中心慢的情况，将可能导致产生晶体缺陷。展开更多
文摘ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）成像表明，过饱和度σ=0．053时，晶面上出现二维成核生长；随σ增加至0．11，二维岛数量急剧增加，尺寸减小，分布渐趋均匀，二维成核生长逐渐增强，界面呈现出由光滑向粗糙转变的特征；各二维岛形状趋近于长条形，表现出各向异性，长轴平行于[001]晶向；二维岛上有单分子高度的台阶和台阶聚并后高度为2～3nm的大台阶；二维岛间融合时取向相同；σ=0．053时，融合后所形成的较大二维岛的生长呈现出周边快中心慢的情况，将可能导致产生晶体缺陷。
