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基于高性能二维二硒化钨的光电探测器
1
作者
刘翔宇
唐嘉琦
+1 位作者
谭志富
潘曹峰
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第10期75-84,共10页
通过物理气相沉积(PVD)方法制备了二维二硒化钨(WSe_2)材料,并与利用化学气相沉积(CVD)方法制备的材料进行对比,证明了其具有不同的导电类型和更好的电学性质.利用两种不同工艺所得材料分别为p型和n型导电的性质,制备了由同种WSe_2材料...
通过物理气相沉积(PVD)方法制备了二维二硒化钨(WSe_2)材料,并与利用化学气相沉积(CVD)方法制备的材料进行对比,证明了其具有不同的导电类型和更好的电学性质.利用两种不同工艺所得材料分别为p型和n型导电的性质,制备了由同种WSe_2材料组成的pn结器件.测试结果表明,该器件在黑暗条件下具有单向整流性和对光照极灵敏的响应度,证明了其在光电器件应用领域具有广泛的发展前景.
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关键词
二维二硒化钨
物理气相沉积
PN结
光电探测器
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职称材料
题名
基于高性能二维二硒化钨的光电探测器
1
作者
刘翔宇
唐嘉琦
谭志富
潘曹峰
机构
中国科学院北京纳米能源与系统研究所
中国科学院大学纳米科学与工程学院
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第10期75-84,共10页
基金
国家自然科学基金(批准号:52250398)资助。
文摘
通过物理气相沉积(PVD)方法制备了二维二硒化钨(WSe_2)材料,并与利用化学气相沉积(CVD)方法制备的材料进行对比,证明了其具有不同的导电类型和更好的电学性质.利用两种不同工艺所得材料分别为p型和n型导电的性质,制备了由同种WSe_2材料组成的pn结器件.测试结果表明,该器件在黑暗条件下具有单向整流性和对光照极灵敏的响应度,证明了其在光电器件应用领域具有广泛的发展前景.
关键词
二维二硒化钨
物理气相沉积
PN结
光电探测器
Keywords
Two-dimensional WSe2
Physical vapor deposition
pn Junction
Photodetector
分类号
O613 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于高性能二维二硒化钨的光电探测器
刘翔宇
唐嘉琦
谭志富
潘曹峰
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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