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题名CVD法制备单层二硒化钨薄膜及其生长机制研究
被引量：1
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作者
胡冬冬
宋述鹏
刘俊男
毕江元
丁兴
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机构
武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室
武汉科技大学材料与冶金学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期14-19,共6页
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基金
国家自然科学基金(50901053,51771139)。
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文摘
二硒化钨(WSe2)是一种具有较高带隙的半导体材料,其结构类似于石墨烯,具有优异的光电特性,在互补逻辑电路、场效应晶体管以及气敏传感器等领域具有潜在的应用价值。本实验采用化学气相沉积法(CVD)实现了大面积、高质量单层WSe2薄膜的制备,利用XPS、AFM、Raman对薄膜进行了表征,探究了基片到钨源的距离和生长温度对样品的形貌、尺寸及形核密度的影响。从晶体生长学的角度,用不同n(W):n(Se)(■0.5,>0.5,=0.5)生长模型解释了不同形貌WSe2薄膜的生长机制,为可调控二维半导体单层薄膜制备工艺的优化提供了参考。
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关键词
二硒化钨薄膜
化学气相沉积
过渡金属硫属化合物
晶体生长
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Keywords
tungsten diselenide film
chemical vapor deposition
transition metal sulfur compound
crystal growth
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分类号
O469
[理学—凝聚态物理]
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