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基于二硒化钨界面态调控的类脑人工突触创新实验设计
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作者 王海珍 任俊文 李德慧 《实验技术与管理》 北大核心 2025年第5期36-44,共9页
人工智能等新兴技术的快速发展,使得基于“冯·诺依曼”架构的传统计算机面临高能耗和低计算效率的挑战,无法满足当前更高效、快速的应用需求。类似于人脑的神经形态计算体系因其可实现“运算-存储”一体化,是实现大规模高密度并行... 人工智能等新兴技术的快速发展,使得基于“冯·诺依曼”架构的传统计算机面临高能耗和低计算效率的挑战,无法满足当前更高效、快速的应用需求。类似于人脑的神经形态计算体系因其可实现“运算-存储”一体化,是实现大规模高密度并行运算的重要途径之一。而基于忆阻器原理模拟生物突触功能的类脑人工突触器件可以为类脑计算提供硬件支持。近年来,二维材料逐渐被用作类脑人工突触的候选材料,其中,过渡金属硫族化合物由于其与层数相关的带隙特征、高载流子迁移率和栅压调控的光电特性等被广泛应用于对生物突触可塑性功能的模拟。因此,该文设计了基于过渡金属硫族化合物晶体管的类脑人工突触创新实验。基于二硒化钨材料,采用等离子体处理二氧化硅/硅衬底表面引入界面态用以制备类脑人工突触晶体管器件。通过调控栅压极性,实现器件高低阻态转换,并且通过调节等离子体处理时间来调控生物突触可塑性功能。该实验囊括了器件制备及表征和测试等手段,并且将科研与实践教学相融合,不仅可以激发学生的兴趣,还有助于培养学生的创新实践能力。 展开更多
关键词 维材料 二硒化钨 界面态 类脑人工突触
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二硒化钨催化剂电催化析氢研究进展
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作者 王闻达 刘思宇 +3 位作者 段毅 王海平 郭博森 罗卫华 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期24-27,共4页
介绍了二硒化钨催化剂的主要制备方法及其在电催化析氢中的最新研究进展,分析了二硒化钨催化剂高效析氢的策略,并对未来的研究方向进行了展望。
关键词 二硒化钨 水裂解 析氢 异质结 杂原子掺杂
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液态前驱体化学气相沉积法生长单层二硒化钨
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作者 安博星 王雅洁 +1 位作者 肖永厚 楚飞鸿 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期50-55,共6页
化学气相沉积(CVD)是实现二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDs)制备的简单有效方法。晶核位置的随机分布和生长可控性差是当前实现大面积高质量制备TMDs的一项巨大挑战。本工作以单层二硒化钨的生长为例,采用液态前驱体并调控其浓度使微量... 化学气相沉积(CVD)是实现二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDs)制备的简单有效方法。晶核位置的随机分布和生长可控性差是当前实现大面积高质量制备TMDs的一项巨大挑战。本工作以单层二硒化钨的生长为例,采用液态前驱体并调控其浓度使微量金属前驱体高度均匀地分散在生长衬底表面,可有效诱导低过饱和度,从而降低成核密度,最终得到组分分布均匀、高质量的单层二硒化钨。这种液态前驱体化学气相沉积技术可以推广到其他2D材料的生长,为大面积、均匀的高质量2D材料的生长提供了一种更有效的方式。 展开更多
关键词 液态前驱体 学气相沉积 可控生长 二硒化钨
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CVD法制备单层二硒化钨薄膜及其生长机制研究 被引量:1
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作者 胡冬冬 宋述鹏 +2 位作者 刘俊男 毕江元 丁兴 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期14-19,共6页
二硒化钨(WSe2)是一种具有较高带隙的半导体材料,其结构类似于石墨烯,具有优异的光电特性,在互补逻辑电路、场效应晶体管以及气敏传感器等领域具有潜在的应用价值。本实验采用化学气相沉积法(CVD)实现了大面积、高质量单层WSe2薄膜的制... 二硒化钨(WSe2)是一种具有较高带隙的半导体材料,其结构类似于石墨烯,具有优异的光电特性,在互补逻辑电路、场效应晶体管以及气敏传感器等领域具有潜在的应用价值。本实验采用化学气相沉积法(CVD)实现了大面积、高质量单层WSe2薄膜的制备,利用XPS、AFM、Raman对薄膜进行了表征,探究了基片到钨源的距离和生长温度对样品的形貌、尺寸及形核密度的影响。从晶体生长学的角度,用不同n(W):n(Se)(■0.5,>0.5,=0.5)生长模型解释了不同形貌WSe2薄膜的生长机制,为可调控二维半导体单层薄膜制备工艺的优化提供了参考。 展开更多
关键词 二硒化钨薄膜 学气相沉积 过渡金属硫属合物 晶体生长
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基于简单液相法对单层二硒化钨表面电荷掺杂的研究
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作者 狄淑贤 赖泳爵 +2 位作者 邱武 林乃波 詹达 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期12025-12029,共5页
本实验利用质量分数为40%的硫酸铵((NH4)2SO4)溶液在相对较低的温度条件下实现了对单层二硒化钨(WSe2)的高效n型掺杂,同时利用浓度为18 mol/L的浓硫酸(H 2SO4)对单层WSe2样品在常温下进行浸泡处理,实现了对该材料的p型掺杂。将本实验的... 本实验利用质量分数为40%的硫酸铵((NH4)2SO4)溶液在相对较低的温度条件下实现了对单层二硒化钨(WSe2)的高效n型掺杂,同时利用浓度为18 mol/L的浓硫酸(H 2SO4)对单层WSe2样品在常温下进行浸泡处理,实现了对该材料的p型掺杂。将本实验的n型掺杂样品分别置于不同温度下反应,探索出单层WSe2在液相环境下高效掺杂反应稳定存在的临界温度为140℃。进一步地,通过抽真空和超纯水清洗的手段可分别实现对n型掺杂和p型掺杂WSe2的可回复调控。另外,研究还发现,对样品首先利用(NH4)2SO4溶液进行n型掺杂,再利用浓H2SO4进行p型掺杂的处理,可显著增强p型掺杂的效果。通过对单层WSe2进行简单有效的电荷掺杂,不但可以对其光致发光特性进行相关调制,还为基于WSe2的柔性半导体材料器件的设计提供了科学基础。 展开更多
关键词 单层二硒化钨 电荷掺杂 光致发光 费米面 热稳定性
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基于高性能二维二硒化钨的光电探测器
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作者 刘翔宇 唐嘉琦 +1 位作者 谭志富 潘曹峰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期75-84,共10页
通过物理气相沉积(PVD)方法制备了二维二硒化钨(WSe_2)材料,并与利用化学气相沉积(CVD)方法制备的材料进行对比,证明了其具有不同的导电类型和更好的电学性质.利用两种不同工艺所得材料分别为p型和n型导电的性质,制备了由同种WSe_2材料... 通过物理气相沉积(PVD)方法制备了二维二硒化钨(WSe_2)材料,并与利用化学气相沉积(CVD)方法制备的材料进行对比,证明了其具有不同的导电类型和更好的电学性质.利用两种不同工艺所得材料分别为p型和n型导电的性质,制备了由同种WSe_2材料组成的pn结器件.测试结果表明,该器件在黑暗条件下具有单向整流性和对光照极灵敏的响应度,证明了其在光电器件应用领域具有广泛的发展前景. 展开更多
关键词 二硒化钨 物理气相沉积 PN结 光电探测器
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锂硫电池中硒缺陷WSe_(2)催化性能的理论研究
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作者 胡平澳 张琪 张会茹 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期57-67,共11页
二硒化钨具有优异导电性、高比表面积和大间距层状结构等特点,能作为催化材料有效提升锂硫电池的性能;然而少量的边缘活性位点阻碍了其催化活性的进一步提升.通过引入原子空位制造表面缺陷,可使其暴露更多的表面活性位点,提高催化活性.... 二硒化钨具有优异导电性、高比表面积和大间距层状结构等特点,能作为催化材料有效提升锂硫电池的性能;然而少量的边缘活性位点阻碍了其催化活性的进一步提升.通过引入原子空位制造表面缺陷,可使其暴露更多的表面活性位点,提高催化活性.本文通过第一性原理计算考察了不同Se空位缺陷浓度(3.125%,6.25%,9.375%和12.5%)WSe_(2)表面的多硫化物吸附能力、锂离子迁移能力和多硫化物转化能力,探究了缺陷改性硒化钨在锂硫电池中的应用潜力.结果表明,6.25%中等空位缺陷浓度的WSe_(2)表面具有适中的多硫化物吸附能力、快速的锂离子迁移和对于充电放电过程的同步促进作用,是最优势的表面;3.125%的低空位缺陷WSe_(2)表面对于多硫化物吸附、锂离子迁移和充放电过程均不利;9.375%和12.5%的高空位缺陷WSe_(2)表面虽然有利于锂离子迁移,但是对于短链多硫化物的吸附能力过强,同时不利于放电过程. 展开更多
关键词 锂硫电池 二硒化钨 缺陷 作用 第一性原理
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纳米线二聚体对单层WSe_(2)光致发光光谱的增强研究
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作者 王慧 尤卿章 王培杰 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第S01期297-298,共2页
二维过渡金属硫族化物(two-dimensional transition-metal dichalcogenides,2D-TMDs)是一种直接带隙半导体,表现出显著的光学特性,成为各种光电探测器、光伏和发光二级管等光电器件的理想材料。然而,由于原子级厚度的限制,TMDs的本征光... 二维过渡金属硫族化物(two-dimensional transition-metal dichalcogenides,2D-TMDs)是一种直接带隙半导体,表现出显著的光学特性,成为各种光电探测器、光伏和发光二级管等光电器件的理想材料。然而,由于原子级厚度的限制,TMDs的本征光吸收率和发射率非常低,限制了光与物质之间的相互作用,严重阻碍了其在电子学和光子学中的应用。而等离子体纳米结构可以将光限制在纳米尺度,极大增强局域电场强度,从而显著增强光与物质之间的相互作用。因此在这里,构建了由单层WSe_(2)和银纳米线二聚体(nanowire dimer,NWD)组成的复合体系,研究了单层WSe_(2)激子与NWD等离子体的相互作用,相比于原始单层WSe_(2),在NWD/WSe_(2)复合体系中荧光强度初步实现了1.2倍增强。理论模拟揭示这里荧光增强源于NWD的高辐射效率、purcell效应和激发增强,理论分析很好的解释了实验结果,证明了该体系可以有效地增强单层WSe_(2)的荧光。 展开更多
关键词 单层二硒化钨 纳米线聚体 光致发光光谱 光与物质相互作用
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二维WSe_(2)场效应晶体管光电性能 被引量:8
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作者 夏风梁 石凯熙 +3 位作者 赵东旭 王云鹏 范翊 李金华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期257-263,共7页
自石墨烯被发现以来,随着人们不断的研究和探索,越来越多具有类似结构的二维材料因其优异的光电性质相继被发现和研究。过渡金属硫族化合物(TMDs)因其丰富的物理性质而受到广泛关注。本文研究了三层二硒化钨(WSe_(2))纳米片的光电性能... 自石墨烯被发现以来,随着人们不断的研究和探索,越来越多具有类似结构的二维材料因其优异的光电性质相继被发现和研究。过渡金属硫族化合物(TMDs)因其丰富的物理性质而受到广泛关注。本文研究了三层二硒化钨(WSe_(2))纳米片的光电性能。利用范德华力将WSe_(2)转移到SiO_(2)/Si衬底的Au电极上,用银浆引出背栅电极,制备了WSe_(2)场效应晶体管,其载流子迁移率为3.42 cm^(2)/(V·s)。WSe_(2)场效应晶体管在630 nm波长下探测器响应度为0.61 A/W,器件的光响应恢复时间为1900 ms。 展开更多
关键词 维半导体材料 过渡金属硫族 二硒化钨 光电探测
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稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂单层WSe_(2)的第一性原理研究
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作者 姜冠戈 江玉琪 +1 位作者 郭祥 丁召 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期2155-2160,2167,共7页
单层二硒化钨(WSe_(2))是一种具有良好的热稳定性、电子运输和大面积可扩展性的优秀特性。基于密度泛函理论,利用第一性原理计算研究了稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂单层WSe_(2)的结构、电学性质和光学性质。采用稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂... 单层二硒化钨(WSe_(2))是一种具有良好的热稳定性、电子运输和大面积可扩展性的优秀特性。基于密度泛函理论,利用第一性原理计算研究了稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂单层WSe_(2)的结构、电学性质和光学性质。采用稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂使单层WSe_(2)呈现P型导电传输特性,增强了导电性能,展现半金属特性。此外,La、Eu、Ho掺杂后,提高了单层WSe_(2)在红外光区的光探测能力和对可见光的利用率,在深紫外区域也具有应用潜力。研究结果证明了La、Eu、Ho掺杂单层WSe_(2)的电学性质、光学性质和扩大其应用方面的重要性。 展开更多
关键词 单层二硒化钨 第一性原理计算 掺杂 光学性质
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碳包覆WSe_2纳米棒的制备及其摩擦学性能 被引量:3
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作者 曹可生 李长生 +3 位作者 李松田 程永华 唐华 宋浩杰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2150-2156,共7页
以马来酸酐接枝乙烯-辛烯共聚物(POE-g-MA)为碳源,以一锅煮工艺即在800℃、密闭条件下,通过钨-硒的固相合成和碳源的热解碳化,成功地制备出碳包覆二硒化钨(WSe2@C)纳米棒,并使用XRD、Raman、EDS、SEM和TEM对其组成、结构及形貌进行了表... 以马来酸酐接枝乙烯-辛烯共聚物(POE-g-MA)为碳源,以一锅煮工艺即在800℃、密闭条件下,通过钨-硒的固相合成和碳源的热解碳化,成功地制备出碳包覆二硒化钨(WSe2@C)纳米棒,并使用XRD、Raman、EDS、SEM和TEM对其组成、结构及形貌进行了表征。结果表明,WSe2纳米棒的直径为20 nm,包覆层为无定形碳,厚度为40 nm。TG-DSC分析表明,该复合材料的热氧稳定性比纯WSe2提高了约50℃。另外,将WSe2@C作为润滑添加剂应用到基础油石蜡中,使用UMT-2球-盘模式摩擦磨损测试仪考察其摩擦学性能。结果发现,适量(比如0.5wt%)WSe2@C纳米棒的加入,能有效地改善石蜡的减摩抗磨性能,显示出良好的润滑性能。 展开更多
关键词 碳包覆 二硒化钨 热氧稳定性 摩擦学性能
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Field controllable electronic properties of MnPSe_(3)/WS_(2) heterojunction for photocatalysis 被引量:1
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作者 FANG Li-mei ZENG Ying +2 位作者 EKHOLM Marcus HU Chun-feng FENG Qing-guo 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第12期3728-3736,共9页
Transition metal dichalcogenides are interesting candidates as photocatalysts for hydrogen evolution reaction.The MnPSe_(3)/WS_(2) heterostructure is hence studied here with first principles calculations by exploring ... Transition metal dichalcogenides are interesting candidates as photocatalysts for hydrogen evolution reaction.The MnPSe_(3)/WS_(2) heterostructure is hence studied here with first principles calculations by exploring its electronic properties under the application of an electric field.It is discovered that the band gap will decrease from the WS_(2) monolayer to the MnPSe_(3)/WS_(2) heterostructure with Perdew-Burke-Ernzerhof functional,while increase slightly when electron correlation is involved.The conduction band minimum of the heterostructure is determined by the MnPSe3 layer,while the valence band maximum is contributed by the WS_(2)layer.The band edges and band gap suggest that the heterostructure will have good photocatalytic properties for water splitting.Moreover,comparing to monolayer WS_(2),the light absorption in both the ultraviolet and visible regions will be enhanced.When an electric field is present,a linear relation is observed between the electric field and the band gap within specific range,which can thus modulate the photocatalytic performance of this heterostructure. 展开更多
关键词 MnPSe_(3) WS_(2) HETEROSTRUCTURE electric field PHOTOCATALYSIS first principles
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