期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
铌表面固体粉末包埋渗硅研究
被引量：
16
1
作者
李明
宋力昕
+2 位作者
乐军
宋学平
郭占成
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期764-768,共5页
采用固体粉末包埋渗硅工艺在铌表面制备了二硅化铌涂层,研究了渗硅过程中Si沉积的反应机理和二硅化铌涂层的结构.结果表明:涂层由单相的二硅化铌组成;Si的输运和沉积主要依靠硅的低氟化物SiF2完成.
关键词
渗硅
涂层
铌
二硅化铌
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
铌表面固体粉末包埋渗硅研究
被引量：
16
1
作者
李明
宋力昕
乐军
宋学平
郭占成
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所特种无机材料研究发展中心
中国科学院过程工程研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期764-768,共5页
文摘
采用固体粉末包埋渗硅工艺在铌表面制备了二硅化铌涂层,研究了渗硅过程中Si沉积的反应机理和二硅化铌涂层的结构.结果表明:涂层由单相的二硅化铌组成;Si的输运和沉积主要依靠硅的低氟化物SiF2完成.
关键词
渗硅
涂层
铌
二硅化铌
Keywords
Chemical vapor deposition
Coatings
Metals
Microstructure
Morphology
Oxidation resistance
Scanning electron microscopy
Silicon compounds
Thermodynamics
X ray diffraction analysis
分类号
O484 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铌表面固体粉末包埋渗硅研究
李明
宋力昕
乐军
宋学平
郭占成
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
16
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
