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基于MZI结构的二氧化硅波导模式选择开关 被引量:1
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作者 岳建波 孙小强 +5 位作者 王曼卓 孙朝阳 姚振涛 张越 王菲 张大明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期181-188,共8页
设计并且制备了一种基于马赫-曾德尔干涉仪结构的二氧化硅波导模式选择开关。该器件由不对称定向耦合器及金属电极组成。通过金属电极产生的热场改变单模波导中的模式相位,实现了单模波导中E00模式向多模波导中E10模式的转换。器件采用... 设计并且制备了一种基于马赫-曾德尔干涉仪结构的二氧化硅波导模式选择开关。该器件由不对称定向耦合器及金属电极组成。通过金属电极产生的热场改变单模波导中的模式相位,实现了单模波导中E00模式向多模波导中E10模式的转换。器件采用标准CMOS工艺制备,在调制臂两侧引入空气槽,提高热场调制效率,降低开关功耗。实验结果表明,当输入E00模式时,输出端的串扰小于−17.13 dB,消光比大于16.7 dB;当输入E10模式时,输出端的串扰小于−19.84 dB,消光比大于22.5 dB。模式开关的上升时间和下降时间分别为0.7 ms和1 ms。该模式选择开关在模分复用系统中具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 模式开关 二氧化硅波导 波导器件 MZI 热光开关
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O波段硅基二氧化硅密集波分复用AWG设计及制备 被引量:1
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作者 韩凤 张家顺 +6 位作者 王亮亮 崔鹏伟 王玥 安俊明 陈军 孙冰丽 周天红 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期102-111,共10页
O波段波分复用器是数据中心高速互连关键器件,采用相对折射率差为0.75%的硅基二氧化硅光波导材料,设计并制备了O波段48通道平顶型密集波分复用阵列波导光栅芯片,采用金属合金架固定阵列波导光栅芯片,金属螺杆随温度变化收缩或伸张,可补... O波段波分复用器是数据中心高速互连关键器件,采用相对折射率差为0.75%的硅基二氧化硅光波导材料,设计并制备了O波段48通道平顶型密集波分复用阵列波导光栅芯片,采用金属合金架固定阵列波导光栅芯片,金属螺杆随温度变化收缩或伸张,可补偿阵列波导光栅芯片响应谱波长随温度产生的飘移,实现-5℃到65℃温度范围内响应谱稳定输出,采用非归零和4电平信号两种调制方式进行高速信号传输。测试结果表明,封装后的阵列波导光栅的插入损耗在-5.31~-6.59 dB之间,通道间隔0.676 nm,1 dB、3 dB带宽分别为0.41 nm、0.55 nm,相邻串扰、非相邻串扰分别为29.4 dB、29.2 dB,偏振相关损耗小于0.67 dB,-5℃到65℃变温下中心波长漂移由7 pm/℃减小到0.6 pm/℃,26.56 Gbps非归零及53.12 Gbps 4电平信号调制传输眼图消光比分别大于5.5 dB和3.6 dB。 展开更多
关键词 阵列波导光栅 密集波分复用 数据中心 二氧化硅波导 非归零调制 4电平调制
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基于级联多模干涉耦合器的模式选择开关
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作者 王曼卓 姚振涛 +5 位作者 孙朝阳 张越 方记民 孙小强 吴远大 张大明 《光子学报》 北大核心 2025年第3期147-159,共13页
提出并制备了一种由1×3多模干涉(Multimode Interference,MMI)耦合器和3×3 MMI耦合器级联构建的二氧化硅波导模式选择开关,通过热光调制改变输入至3×3 MMI耦合器光信号的相位,可实现一阶模(E_(10))输入转换为基模(E_(00... 提出并制备了一种由1×3多模干涉(Multimode Interference,MMI)耦合器和3×3 MMI耦合器级联构建的二氧化硅波导模式选择开关,通过热光调制改变输入至3×3 MMI耦合器光信号的相位,可实现一阶模(E_(10))输入转换为基模(E_(00)),并有选择地从目标端口输出;当输入为基模(E_(00))时,E_(00)可直接由选定端口输出。开关采用光束传播方法(Beam Propagation Method,BPM)进行设计和优化,并且通过标准CMOS技术制备。测试结果表明,一阶模(E_(10))在两个输出端口间切换时,驱动功耗分别为170 mW和395.3 mW。在1523~1556 nm波长范围内,三个输出端口的插入损耗、串扰和消光比分别≤10 dB、≤-15 dB和≥15 dB。开关的上升时间为0.9418 ms,下降时间为1.042 ms。所提出的模式选择开关在片上信号路由应用中具有良好的潜力。 展开更多
关键词 光通信 多模干涉 模分复用 模式开关 二氧化硅波导
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扩展BANYAN网络的可重构无阻塞8×8矩阵光开关 被引量:7
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作者 查英 孙德贵 +4 位作者 刘铁根 张鹰 李小奇 邓文渊 江俊峰 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期50-56,共7页
在分析CROSSBAR网络(CN)和BANYAN网络(BN)结构的基础上,提出了一种新的扩展BANYAN网络(EBN)可重构无阻塞结构。以8×8矩阵光开关为例,分析了EBN结构的两种形式及其可重构无阻塞特性,给出了开关单元驱动逻辑。从理论上计算了SiO2波导... 在分析CROSSBAR网络(CN)和BANYAN网络(BN)结构的基础上,提出了一种新的扩展BANYAN网络(EBN)可重构无阻塞结构。以8×8矩阵光开关为例,分析了EBN结构的两种形式及其可重构无阻塞特性,给出了开关单元驱动逻辑。从理论上计算了SiO2波导EBN结构矩阵光开关的光学损耗和功耗。对于8×8开关,插入损耗为3.3 dB。按理论计算设计制作了8×8矩阵光开关,测得波导传输损耗为0.1 dB/cm,光纤-波导耦合损耗为0.5 dB/point。光开关插入损耗为4.6 dB,平均串扰为-38 dB,平均偏振相关损耗为0.4 dB,开关平均功率为1.6 W,响应时间约为1 ms。实验结果与理论计算基本符合。 展开更多
关键词 矩阵光开关 扩展BANYAN网络 可重构无阻塞 集成光学 二氧化硅波导
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