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基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究
被引量：
2
1
作者
李力
姜辰明
+1 位作者
黄铭
沈辉
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期29-31,38,共4页
在叉指状背接触太阳电池(IBC电池)的制作过程中,一种办法是以二氧化硅作为掩膜阻挡磷扩散进入已经扩硼的区域,在有二氧化硅保护的区域,p+区保持不变,在没有二氧化硅保护的地方磷扩散进入形成n+背表面场,从而实现在不同区域的不同扩散。...
在叉指状背接触太阳电池(IBC电池)的制作过程中,一种办法是以二氧化硅作为掩膜阻挡磷扩散进入已经扩硼的区域,在有二氧化硅保护的区域,p+区保持不变,在没有二氧化硅保护的地方磷扩散进入形成n+背表面场,从而实现在不同区域的不同扩散。该文是研究在不同的的温度下热氧化得到的二氧化硅氧化层的厚度,厚度从0 nm到124 nm,然后通过测量磷扩散前后方阻变化和ECV图像,研究不同厚度下的二氧化硅掩膜对磷扩散的阻挡作用。同时,还测量了在不同情况下硅片的少子寿命,以确定一个最佳的热氧化二氧化硅工艺,为IBC电池工艺的后续研究提供参考。
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关键词
IBC太阳电池
二氧化硅掩膜
方阻
少子寿命
ECV
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职称材料
题名
基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究
被引量：
2
1
作者
李力
姜辰明
黄铭
沈辉
机构
中山大学太阳能系统研究所
出处
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期29-31,38,共4页
基金
粤港关键领域重点突破资助项目(2011Z3)
文摘
在叉指状背接触太阳电池(IBC电池)的制作过程中,一种办法是以二氧化硅作为掩膜阻挡磷扩散进入已经扩硼的区域,在有二氧化硅保护的区域,p+区保持不变,在没有二氧化硅保护的地方磷扩散进入形成n+背表面场,从而实现在不同区域的不同扩散。该文是研究在不同的的温度下热氧化得到的二氧化硅氧化层的厚度,厚度从0 nm到124 nm,然后通过测量磷扩散前后方阻变化和ECV图像,研究不同厚度下的二氧化硅掩膜对磷扩散的阻挡作用。同时,还测量了在不同情况下硅片的少子寿命,以确定一个最佳的热氧化二氧化硅工艺,为IBC电池工艺的后续研究提供参考。
关键词
IBC太阳电池
二氧化硅掩膜
方阻
少子寿命
ECV
Keywords
IBC solar cell
SiO2 mask
sheet resistance
minority carrier lifetime
ECV
分类号
TK51 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究
李力
姜辰明
黄铭
沈辉
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
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