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氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响
1
作者
向少华
谢茂浓
+3 位作者
张明高
廖伟
彭志坚
傅鹤鉴
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期57-59,共3页
氧等离子体处理高阻Ｐ型（１００）硅片上的聚硅烷涂层制备ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构。其ＭＯＳ结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达－０．５５～－０．８８Ｖ，比同一环境热氧化...
氧等离子体处理高阻Ｐ型（１００）硅片上的聚硅烷涂层制备ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构。其ＭＯＳ结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达－０．５５～－０．８８Ｖ，比同一环境热氧化制备的ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构平带电压小得多。
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关键词
氧等离子体
聚
硅
烷涂层
平带电压
二氧化硅/硅结构
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职称材料
题名
氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响
1
作者
向少华
谢茂浓
张明高
廖伟
彭志坚
傅鹤鉴
机构
怀化师专物理系
四川大学物理系
四川大学化学系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期57-59,共3页
基金
国家自然科学基金!(29771024)
文摘
氧等离子体处理高阻Ｐ型（１００）硅片上的聚硅烷涂层制备ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构。其ＭＯＳ结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达－０．５５～－０．８８Ｖ，比同一环境热氧化制备的ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构平带电压小得多。
关键词
氧等离子体
聚
硅
烷涂层
平带电压
二氧化硅/硅结构
Keywords
O2-plasma
polysilane coating
flat-band volt<
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响
向少华
谢茂浓
张明高
廖伟
彭志坚
傅鹤鉴
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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