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二次离子质谱法分析聚变裂变混合堆材料表面涂层成份
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作者 武昌平 李静 +3 位作者 王林博 赵永刚 李金英 李安利 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2004年第B10期7-8,共2页
An analytical technique used of secondary ion mass spectrometry (SIMS) for depth profile of aluminized coatings was developed. Analyzed components in the alumina coaling are Al,Fe,O, especially alumina. These samples ... An analytical technique used of secondary ion mass spectrometry (SIMS) for depth profile of aluminized coatings was developed. Analyzed components in the alumina coaling are Al,Fe,O, especially alumina. These samples with many elements and complex structure produced strong matrix effects, especially for negative metallic ions. 展开更多
关键词 二次离子质谱法 聚变裂变混合堆材料 成份分析 表面渗铝氧化涂层
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硅材料中锑杂质含量的二次离子质谱检测方法
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作者 陈潇 马农农 +1 位作者 何友琴 王东雪 《中国测试》 CAS 北大核心 2016年第8期53-56,共4页
针对二次离子质谱法测硅材料中锑杂质存在质量数干扰、实验结果不准确的问题,该文对排查干扰离子并消除干扰的方法进行研究。通过对相关样品进行二次离子质谱定量分析、深度剖析和全元素扫描分析,探究硅材料中锑杂质准确定量的最优检测... 针对二次离子质谱法测硅材料中锑杂质存在质量数干扰、实验结果不准确的问题,该文对排查干扰离子并消除干扰的方法进行研究。通过对相关样品进行二次离子质谱定量分析、深度剖析和全元素扫描分析,探究硅材料中锑杂质准确定量的最优检测方法。最终结果表明二次离子质谱法对硅中锑杂质浓度的检测限可低至1×1013atoms/cm3,相对标准偏差(RSD,n=10)为10.0%。研究结果对分析二次离子质谱检测中普遍存在的质量数干扰现象有参考价值,排查干扰离子的方法有广泛的适用性。 展开更多
关键词 二次离子质谱法 锑杂质 质量数干扰 检测限
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