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二次离子发射的LTE模型及其在GaAs样品中的应用
1
作者
陈新
陈春华
王佑祥
《真空科学与技术》
CSCD
1994年第2期107-113,共7页
介绍了二次离子发射的局部热平衡（LTE）模型的发展过程及其在GaAs样品SIMS定量分析中的应用，并尝试了用GaAs基体元素作内标的定量分析方法，取得了较好的结果。
关键词
二次离子发射
LTE
砷化镓
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职称材料
注氧条件下GaAs中Ga^+二次离子发射的研究
2
作者
莫志强
姜志雄
查良镇
《真空科学与技术》
CSCD
1994年第1期6-10,共5页
在有与没有Ar+同时轰击的条件下，研究了GaAs中Ga+2次离子发射的氧效应。对吸附在表面上的氧以及反弹注入到表面内的氧引起的Ga+二次离子产额增强效应进行了实验研究，同时测量了氧分压强对Ga+二次离子能量分布的影响。实验结果表明：...
在有与没有Ar+同时轰击的条件下，研究了GaAs中Ga+2次离子发射的氧效应。对吸附在表面上的氧以及反弹注入到表面内的氧引起的Ga+二次离子产额增强效应进行了实验研究，同时测量了氧分压强对Ga+二次离子能量分布的影响。实验结果表明：注氧后Ga+二次离子能量分布变窄且最可见能量向低能端移动2～3eV，说明氧对低能Ga+二次离子的增强作用更强，这可以用断键模型来解释。
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关键词
二次离子发射
砷化镓
镓
注氧
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职称材料
覆氧或氧离子轰击下固体表面二次正离子发射的研究
被引量：
1
3
作者
杨得全
范垂祯
《分析测试学报》
CAS
CSCD
1994年第6期7-12,共6页
通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为，在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外，激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用。在此基础上修正了局部热力学平衡模型，得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能...
通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为，在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外，激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用。在此基础上修正了局部热力学平衡模型，得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能、金属－氧原子键断键能以及表面金属原子与氧原子结合份数等参数决定的新电离几率分析表达式。应用该分析表达式解释了金属表面覆氧、氧离子轰击金属、化合物半导体表面二次离子发射中氧增强效应、充氧量对二次离子发射的影响及其基体效应等实验现象。并由此得到了元素相对灵敏度因子的分析表达式，对化合物半导体及一些陶瓷材料表面二次离子质谱分析中元素灵敏度因子随元素电离能变化曲线给予了相应的物理解释。
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关键词
固体表面
二
次
正
离子
发射
氧
离子
轰击
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职称材料
题名
二次离子发射的LTE模型及其在GaAs样品中的应用
1
作者
陈新
陈春华
王佑祥
机构
中国科学院表面物理国家重点开放实验室
中国科学院半导体研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1994年第2期107-113,共7页
文摘
介绍了二次离子发射的局部热平衡（LTE）模型的发展过程及其在GaAs样品SIMS定量分析中的应用，并尝试了用GaAs基体元素作内标的定量分析方法，取得了较好的结果。
关键词
二次离子发射
LTE
砷化镓
Keywords
Secondary ion emission, Local thermal equilibrium model, Quantitative analysis
分类号
O462.5 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
注氧条件下GaAs中Ga^+二次离子发射的研究
2
作者
莫志强
姜志雄
查良镇
机构
清华大学电子工程系
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1994年第1期6-10,共5页
文摘
在有与没有Ar+同时轰击的条件下，研究了GaAs中Ga+2次离子发射的氧效应。对吸附在表面上的氧以及反弹注入到表面内的氧引起的Ga+二次离子产额增强效应进行了实验研究，同时测量了氧分压强对Ga+二次离子能量分布的影响。实验结果表明：注氧后Ga+二次离子能量分布变窄且最可见能量向低能端移动2～3eV，说明氧对低能Ga+二次离子的增强作用更强，这可以用断键模型来解释。
关键词
二次离子发射
砷化镓
镓
注氧
Keywords
Oxygen effect, Secondary ion emission, Energy distribution, GaAs
分类号
O462.5 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
覆氧或氧离子轰击下固体表面二次正离子发射的研究
被引量：
1
3
作者
杨得全
范垂祯
机构
中国空间技术研究院兰州物理研究所
出处
《分析测试学报》
CAS
CSCD
1994年第6期7-12,共6页
文摘
通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为，在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外，激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用。在此基础上修正了局部热力学平衡模型，得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能、金属－氧原子键断键能以及表面金属原子与氧原子结合份数等参数决定的新电离几率分析表达式。应用该分析表达式解释了金属表面覆氧、氧离子轰击金属、化合物半导体表面二次离子发射中氧增强效应、充氧量对二次离子发射的影响及其基体效应等实验现象。并由此得到了元素相对灵敏度因子的分析表达式，对化合物半导体及一些陶瓷材料表面二次离子质谱分析中元素灵敏度因子随元素电离能变化曲线给予了相应的物理解释。
关键词
固体表面
二
次
正
离子
发射
氧
离子
轰击
Keywords
Solid surface,Secondary positive ion emission,SIMS.
分类号
O462.5 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二次离子发射的LTE模型及其在GaAs样品中的应用
陈新
陈春华
王佑祥
《真空科学与技术》
CSCD
1994
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
注氧条件下GaAs中Ga^+二次离子发射的研究
莫志强
姜志雄
查良镇
《真空科学与技术》
CSCD
1994
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
覆氧或氧离子轰击下固体表面二次正离子发射的研究
杨得全
范垂祯
《分析测试学报》
CAS
CSCD
1994
1
在线阅读
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职称材料
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