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砷离子注入体材料碲镉汞的二次离子质谱分析
被引量：
3
1
作者
赵军
陆慧庆
+1 位作者
李向阳
方家熊
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期281-284,共4页
用二次离子质谱 (SIMS)分析了低能注入 (1 5 0 ke V)砷在体材料碲镉汞中的深度分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况 .砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制 .在缺陷密度 (EPD)比较低的碲镉汞材料中 ,砷扩散的主体符合恒定扩...
用二次离子质谱 (SIMS)分析了低能注入 (1 5 0 ke V)砷在体材料碲镉汞中的深度分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况 .砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制 .在缺陷密度 (EPD)比较低的碲镉汞材料中 ,砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型 ,呈现出浓度随深度的高斯分布 .而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中 ,砷的分布呈多段指数型分布 。
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关键词
碲镉汞
二次离了质谱
砷扩散
红外焦平面
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职称材料
题名
砷离子注入体材料碲镉汞的二次离子质谱分析
被引量：
3
1
作者
赵军
陆慧庆
李向阳
方家熊
机构
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期281-284,共4页
文摘
用二次离子质谱 (SIMS)分析了低能注入 (1 5 0 ke V)砷在体材料碲镉汞中的深度分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况 .砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制 .在缺陷密度 (EPD)比较低的碲镉汞材料中 ,砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型 ,呈现出浓度随深度的高斯分布 .而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中 ,砷的分布呈多段指数型分布 。
关键词
碲镉汞
二次离了质谱
砷扩散
红外焦平面
Keywords
HgCdTe, secondary ion mass spectrometry(SIMS), arsenic diffusion.
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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被引量
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1
砷离子注入体材料碲镉汞的二次离子质谱分析
赵军
陆慧庆
李向阳
方家熊
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
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