表面镀膜调控二次电子发射的研究进展

1

作者 万雪曼 杨晶 +5 位作者 胡天存 何鋆 杨兆伦 张雨婷 张娜 崔万照 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期31-39,98,共10页

二次电子发射现象属于材料表面的一种特殊物理效应,广泛存在于显微分析和信号探测领域、空间大功率微波部件、大型粒子加速器以及高压真空绝缘部件中。表面镀膜技术是二次电子发射调控的重要研究方向之一,通过引入镀层材料来改变衬底的... 二次电子发射现象属于材料表面的一种特殊物理效应,广泛存在于显微分析和信号探测领域、空间大功率微波部件、大型粒子加速器以及高压真空绝缘部件中。表面镀膜技术是二次电子发射调控的重要研究方向之一,通过引入镀层材料来改变衬底的表面状态,从而影响材料对电子的散射能力。从镀膜材料二次电子发射的物理机制和理论模型出发,分析了半经验物理模型的适用条件及优化方向。随后,根据二次电子发射特性应用场景的不同,对常用的镀层材料及其调控方法进行了文献调研和综合分析,从镀膜工艺和显微结构等方面进行了讨论。对电子倍增领域而言,镀覆Al_(2)O_(3)、MgO和Zn O等氧化物薄膜作为二次电子倍增层材料,可以提高器件的探测效率。对空间大功率微波部件而言,镀覆碳化物、氮化物等低SEY的材料,可以降低材料的二次电子发射能力,避免由电子倍增所引起微放电效应。最后,总结了镀膜结构在调控二次电子发射特性的研究进展,并对其未来发展进行了合理展望。 展开更多

关键词 二次电子发射特性 二次电子发射系数调控 表面镀膜技术 表面结构 纳米薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系 被引量：14

2

作者 谢爱根 裴元吉 +1 位作者 孙红兵 王荣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1059-1062,共4页

　提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论:不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发... 　提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论:不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时,它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量,有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。 展开更多

关键词 二次电子 入射能量 金属 有效真二次电子发射系数

在线阅读 下载PDF 职称材料

金属二次电子发射系数表达式 被引量：9

3

作者 谢爱根 张健 +1 位作者 刘斌 王铁邦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期481-485,共5页

根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2～10keV比... 根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2～10keV比率的表达式。根据推导的关系式,用实验数据分别计算出6种金属的平均参数。发现6种金属的平均参数都近似为一个常数11.89(eV)0.5。根据推导的关系式和计算的参数,推导出以背散射系数、原电子入射能量和最大二次电子发射系数为变量的二次电子发射系数通式。用该通式计算出二次电子发射系数,并与相应的实验值进行了比较,最后成功地推导出金属2～10keV的二次电子发射系数通式。 展开更多

关键词 通式 二次电子发射系数 最大二次电子发射系数 金属

在线阅读 下载PDF 职称材料

金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究 被引量：7

4

作者 漆世锴 王小霞 +3 位作者 罗积润 赵世柯 李云 赵青兰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期158-162,共5页

实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5%。二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5%Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系... 实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5%。二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5%Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系数,其值为1.8,相比于纯钨阴极,能够提高80%。鉴于Re对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,对Re掺杂质量分数分别为20%,10%,6%,5%,4%,3%W-Re合金阴极材料二次电子发射系数进行了研究,发现随着Re在W-Re合金阴极材料中含量的降低,其二次电子发射系数在不断增大,仅当Re含量下降至5%左右时,合金阴极具有最大二次电子发射系数,继续下降至4%,合金阴极二次电子发射系数不但没有升高,相反下降至1.41,当下降至3%时,合金阴极二次电子发射系数值迅速降低为1.1。 展开更多

关键词 合金阴极 二次电子发射系数 磁控管 掺杂 阳极

在线阅读 下载PDF 职称材料

10～30keV二次电子发射系数的表达式 被引量：6

5

作者 谢爱根 王祖松 +2 位作者 刘战辉 詹煜 吴红艳 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期542-546,共5页

根据二次电子发射的主要物理过程和特性，推导出最大二次电子发射系数（δm）的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数（δPE）的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数（δ）之间的关系，推导出以δm、原子序数... 根据二次电子发射的主要物理过程和特性，推导出最大二次电子发射系数（δm）的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数（δPE）的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数（δ）之间的关系，推导出以δm、原子序数、原子质量数、物质密度、背散射系数、高能背散射系数、参数A、能量幂次（n）和原电子入射能量为变量δ的通式。用ESTAR程序计算出一些材料的10—30keY能量范围内的参数A和n。用该通式计算出δ并与相应的实验值进行了比较，结果表明，成功地推导出金属、半金属和元素半导体10～30kev的艿通式。 展开更多

关键词 通式 二次电子发射系数 金属 半金属 元素半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料

绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制 被引量：5

6

作者 谢爱根 郭胜利 +1 位作者 李传起 裴元吉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期134-138,共5页

成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0．8～60keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0．8～45keV的多晶MgO的... 成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0．8～60keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0．8～45keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中，收集极（偏置盒）离材料表面设置为约35mm，偏置电压设置为45V。测量得到：用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2．83，处于2～26范围内，其对应的原电子能量约为980eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的，但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低，这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。 展开更多

关键词 测量装置 绝缘体 二次电子发射系数 氧化镁

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于负偏压收集极的绝缘体二次电子发射系数测量 被引量：5

7

作者 翁明 曹猛 +1 位作者 赵红娟 张海波 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1262-1266,共5页

建立了一个主要由单把脉冲电子枪和一个二次电子收集极构成的测量装置用于室温下绝缘体二次电子发射系数的测量。通过给收集极设定负偏压,本文提出了一种新的电荷中和方法,有效地中和了在测量过程中累积在样品表面的电荷。采用双通道示... 建立了一个主要由单把脉冲电子枪和一个二次电子收集极构成的测量装置用于室温下绝缘体二次电子发射系数的测量。通过给收集极设定负偏压,本文提出了一种新的电荷中和方法,有效地中和了在测量过程中累积在样品表面的电荷。采用双通道示波器对二次电子电流和样品电流进行了测量,根据相应脉冲电流的峰值确定了样品的二次电子发射系数。成功测量了尼龙样品的二次电子发射系数与一次电子能量的关系曲线,并与文献测量结果进行了比较,结果表明本文的测量装置和测量方法简单易行。 展开更多

关键词 二次电子发射系数 电荷中和 绝缘体 测量

在线阅读 下载PDF 职称材料

电子辐照介质材料二次电子发射系数与能谱测量数据库 被引量：4

8

作者 王芳 黎东杰 +3 位作者 翁明 封国宝 曹猛 张洪太 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1142-1156,共15页

电子辐照电介质材料的二次电子发射特性是影响各类真空电子器件与设备性能的重要参数,本文对电子束辐照下二十余种常用的典型介质材料的二次电子发射特性进行了实验测量研究。采用收集极负偏压法测量二次电子发射系数(SEY),通过给二次... 电子辐照电介质材料的二次电子发射特性是影响各类真空电子器件与设备性能的重要参数,本文对电子束辐照下二十余种常用的典型介质材料的二次电子发射特性进行了实验测量研究。采用收集极负偏压法测量二次电子发射系数(SEY),通过给二次电子收集极加载不同的偏压来引导二次电子的运动,实现对积累电荷的中和,实验获得了介质材料的SEY随着入射电子能量变化的曲线,以及SEY最大值σ_(max)、第一、第二临界能量E1、E2等特征参数。采用高分辨率筒镜型电子能谱仪测量了电子束脉冲序列辐照介质材料的二次电子能谱,得到不同入射电子能量条件下的二次电子能谱分布曲线,以及真二次电子峰半高宽参数。通过实验测量建立了常用介质材料二次电子发射特性数据库,该结果将为介质材料二次电子发射的各类应用提供重要参考。 展开更多

关键词 介质 二次电子 二次电子发射系数 能谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

第一性原理研究PDP放电单元MgO保护层各种空缺对二次电子发射系数的影响 被引量：6

9

作者 李巧芬 屠彦 于金 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期597-603,共7页

基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了PDP放电单元中MgO保护层在形成氧空缺后的电子结构的变化。通过对能带结构和态密度分布的计算,可以看到MgO形成氧空缺后在禁带中引入了能级。本文计算了完整MgO以及含F、F+、F2+空缺的MgO晶体,... 基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了PDP放电单元中MgO保护层在形成氧空缺后的电子结构的变化。通过对能带结构和态密度分布的计算,可以看到MgO形成氧空缺后在禁带中引入了能级。本文计算了完整MgO以及含F、F+、F2+空缺的MgO晶体,得到不同能带结构和态密度分布,同时计算了相应的二次电子发射系数。结果表明空缺的形成,可有效提高二次电子发射系数,其中形成F空缺的MgO晶体的二次电子发射系数最大。 展开更多

关键词 第一性原理 MgO保护层 二次电子发射系数 空缺

在线阅读 下载PDF 职称材料

高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系 被引量：5

10

作者 谢爱根 宋标 赵浩峰 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2008年第6期53-55,68,共4页

根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,从理论上论述了高能原电子斜射入金属发射体内的金属的有效真二次电子发射系数的表达式,然后又根据高能原电子斜轰击金属并激发产生二次电子发射的特点,推导出金属... 根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,从理论上论述了高能原电子斜射入金属发射体内的金属的有效真二次电子发射系数的表达式,然后又根据高能原电子斜轰击金属并激发产生二次电子发射的特点,推导出金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度和高能原电子入射角度的关系式.对结果进行了讨论并得出结论:当高能原电子斜射入金属发射体内时,金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子的入射角的余弦函数近似成反比,金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度近似成正比. 展开更多

关键词 高能 金属 有效真二次电子发射系数 入射角度 逸出深度

在线阅读 下载PDF 职称材料

测量氧化镁的二次电子发射系数 被引量：2

11

作者 谢爱根 郭胜利 +1 位作者 李传起 裴元吉 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第6期61-64,共4页

介绍单脉冲电子枪法测量氧化镁的二次电子发射系数的测量系统和测量原理,用该测量系统测量出了原电子能量EP高达几十keV时的氧化镁的二次电子发射系数,对测量结果进行了讨论并得出结论:所测量的氧化镁的最大二次电子发射系数在以前的科... 介绍单脉冲电子枪法测量氧化镁的二次电子发射系数的测量系统和测量原理,用该测量系统测量出了原电子能量EP高达几十keV时的氧化镁的二次电子发射系数,对测量结果进行了讨论并得出结论:所测量的氧化镁的最大二次电子发射系数在以前的科技工作者所测的氧化镁的最大二次电子发射系数的范围内,表明用磁控溅射法制备的氧化镁的二次电子发射系数较低. 展开更多

关键词 测量 氧化镁 二次电子发射系数

在线阅读 下载PDF 职称材料

PDP放电单元Si掺杂MgO保护层二次电子发射系数理论研究 被引量：3

12

作者 李巧芬 屠彦 +1 位作者 杨兰兰 王保平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期535-540,共6页

采用基于密度泛函理论的原子轨道展开方法的第一性原理计算了Mg1-xSixO体系的电子结构、用SIESTA软件包计算了Mg1-xSixO体系的晶胞结构,体系基态总能,确定了MgO的最优晶格常数。同时,计算了Mg1-xSixO的能带结构、态密度、分波态密度等... 采用基于密度泛函理论的原子轨道展开方法的第一性原理计算了Mg1-xSixO体系的电子结构、用SIESTA软件包计算了Mg1-xSixO体系的晶胞结构,体系基态总能,确定了MgO的最优晶格常数。同时,计算了Mg1-xSixO的能带结构、态密度、分波态密度等。针对采用氖氙混合气体的PDP放电单元,分析了Si掺杂对MgO晶体的电子结构以及氖离子和氙离子二次电子发射系数的影响。结果表明,掺入微量的Si(掺杂浓度小于0.06)可提高MgO保护层氖离子和氙离子的二次电子发射系数,其中氙离子的二次电子发射系数的提高尤为显著。同时由分析结果表明,Si掺杂量存在最优化值为0.0185。 展开更多

关键词 二次电子发射系数 si掺杂 MgO保护层 等离子体平板显示

在线阅读 下载PDF 职称材料

微通道板玻璃的二次电子发射系数 被引量：8

13

作者 高秀敏 蔡春平 《应用光学》 CAS CSCD 1998年第4期9-17,8,共10页

讨论微通道板玻璃的二次电子发射系数及其影响因素。通过将Ｒ＋ｂ、Ｃ＋ｓ离子部分或全部代替玻璃中的Ｋ＋离子，调整玻璃网络结构参数以及ＰｂＯ与Ｂｉ２Ｏ３的摩尔比例，使玻璃的二次电子发射系数从２７增加到３７。

关键词 微通道板玻璃 二次电子发射系数 网络结构 增益 摩尔比例 寿命 电子倍增器

在线阅读 下载PDF 职称材料

氘离子轰击钼靶的二次电子发射系数测量 被引量：2

14

作者 刘猛 柯建林 +4 位作者 黄刚 梁建华 刘湾 娄本超 卢彪 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期786-789,共4页

设计了一套二次电子测量装置,采用间接测量法,利用中子发生器产生的氘离子束,对氘离子束轰击下钼靶的二次电子发射系数进行了实验研究,获得了钼的二次电子发射系数随不同入射氘离子能量的变化趋势,氘离子束能量为170 keV时的二次电子发... 设计了一套二次电子测量装置,采用间接测量法,利用中子发生器产生的氘离子束,对氘离子束轰击下钼靶的二次电子发射系数进行了实验研究,获得了钼的二次电子发射系数随不同入射氘离子能量的变化趋势,氘离子束能量为170 keV时的二次电子发射系数最大,约为2.33。 展开更多

关键词 氘离子束 钼靶 二次电子发射系数

在线阅读 下载PDF 职称材料

金属的高能二次电子发射系数与入射能量和能量幂次的关系 被引量：2

15

作者 谢爱根 李传起 赵浩峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期143-146,共4页

根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式,推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式;并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系,推导出金属的高能二... 根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式,推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式;并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系,推导出金属的高能二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式。用实验数据计算出高能原电子轰击在金或银上时原电子入射能量幂次n,采用实验数据证实高能二次电子发射系数与原电子入射能量和能量幂次三者的关系,对结果进行讨论并得出结论:当高能原电子轰击在同一块金属上时,高能二次电子发射系数与原电子入射能量的n-1次幂之积近似为一常数。 展开更多

关键词 高能电子 二次电子发射系数 能量幂次 金 银

在线阅读 下载PDF 职称材料

0-89°的金属二次电子发射系数的通式 被引量：1

16

作者 谢爱根 陈云云 +1 位作者 王祖松 仲坤 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期150-155,共6页

根据二次电子发射的物理特性和过程,以θ角射入原子序数为Z的金属的每个原电子发射的二次电子数（δPEθZ）、原电子的入射能量（Wp0）、cosθ和参数Y（θ,Z）之间的关系被推导出来了。根究实验结果,得出Wp0为2-10keV的比率βθ、Wp0和... 根据二次电子发射的物理特性和过程,以θ角射入原子序数为Z的金属的每个原电子发射的二次电子数（δPEθZ）、原电子的入射能量（Wp0）、cosθ和参数Y（θ,Z）之间的关系被推导出来了。根究实验结果,得出Wp0为2-10keV的比率βθ、Wp0和cosθ之间的关系式。根据二次电子发射系数δθ和二次电子发射系数δ0之间的关系,Wp0为2-10keV的δθ、δ0、背散射系数η0、背散射系数ηθ、参数Y（θ,Z）、Wp0和cosθ之间的关系式（r）被推导出。根据r、实验结果、ηθ和η0的表达式,得出参数Y（θ,Z）、Z和θ之间的关系式。以δ0、η0、ηθ、cosθ的[1.08-0.59（θ/90）12]（20/Z）0.07407次方、Wp0和cosθ为变量的Wp0为2-10keVδθ的通式被推导出。用该通式计算出来的二次电子发射系数与实验的铝、镍、铅和铍二次电子发射系数分别进行了比较。结果表明：推导的二次电子发射系数的通式可以用来估算Wp0为2-10keV和θ为0-89°的二次电子发射系数。 展开更多

关键词 二次电子发射系数 比率 入射角 金属 通式

在线阅读 下载PDF 职称材料

较高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系 被引量：2

17

作者 谢爱根 雷勇 姚义俊 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第5期53-56,共4页

从理论上论述较高能原电子对金属射程的能量幂次n、入射能量与有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明该理论的正确性,最后对结果进行讨论并得出结论:入射能量不同但属于同一个能区的较高能原电子轰击同一个金属发射体时,它... 从理论上论述较高能原电子对金属射程的能量幂次n、入射能量与有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明该理论的正确性,最后对结果进行讨论并得出结论:入射能量不同但属于同一个能区的较高能原电子轰击同一个金属发射体时,它们的有效真二次电子发射系数与原电子入射能量的n-1次方之积近似为一个常量. 展开更多

关键词 较高能 能量幂次 入射能量 有效真二次电子发射系数

在线阅读 下载PDF 职称材料

空间用抗辐照玻璃的二次电子发射系数及测量 被引量：1

18

作者 赵慧峰 祖成奎 +2 位作者 王衍行 韩滨 陈江 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第S1期98-102,共5页

采用脉冲电子枪法对空间用抗辐照玻璃进行了二次电子发射系数的测量,解决了玻璃等绝缘材料测量时表面充电导致无法测量的问题,获得了典型的二次电子发射系数特征曲线,研究了玻璃组成及钢化处理对玻璃二次电子发射系数的影响。空间用抗... 采用脉冲电子枪法对空间用抗辐照玻璃进行了二次电子发射系数的测量,解决了玻璃等绝缘材料测量时表面充电导致无法测量的问题,获得了典型的二次电子发射系数特征曲线,研究了玻璃组成及钢化处理对玻璃二次电子发射系数的影响。空间用抗辐照玻璃的二次电子发射特性的测量和研究,为航天器表面材料带电研究提供了重要的参考和依据。 展开更多

关键词 二次电子发射系数 空间用抗辐照玻璃 测量

在线阅读 下载PDF 职称材料

提高砷化镓二次电子发射系数的探讨

19

作者 谢爱根 裴元吉 +1 位作者 王荣 孙红兵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期279-282,共4页

介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 k... 介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 keV)时,两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高(大于20 keV)时,经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大,而且随着原电子入射能量的升高,两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大。 展开更多

关键词 二次电子发射系数 负电子亲和势 二次电子发射材料 逸出深度

在线阅读 下载PDF 职称材料

纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究

20

作者 韦海成 许亚杰 +1 位作者 肖明霞 吉文欣 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期467-473,共7页

为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)_2以及三段式温度煅烧Mg(OH)_2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征。在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度... 为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)_2以及三段式温度煅烧Mg(OH)_2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征。在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响。实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长。常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高。 展开更多

关键词 MgO晶体 二次电子发射系数 第一性原理 直接沉淀法

在线阅读 下载PDF 职称材料