金属二次电子发射系数表达式 被引量：9

1

作者 谢爱根 张健 +1 位作者 刘斌 王铁邦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期481-485,共5页

根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2～10keV比... 根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2～10keV比率的表达式。根据推导的关系式,用实验数据分别计算出6种金属的平均参数。发现6种金属的平均参数都近似为一个常数11.89(eV)0.5。根据推导的关系式和计算的参数,推导出以背散射系数、原电子入射能量和最大二次电子发射系数为变量的二次电子发射系数通式。用该通式计算出二次电子发射系数,并与相应的实验值进行了比较,最后成功地推导出金属2～10keV的二次电子发射系数通式。 展开更多

关键词 通式 二次电子发射系数 最大二次电子发射系数 金属

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高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系 被引量：14

2

作者 谢爱根 裴元吉 +1 位作者 孙红兵 王荣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1059-1062,共4页

　提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论:不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发... 　提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论:不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时,它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量,有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。 展开更多

关键词 二次电子 入射能量 金属 有效真二次电子发射系数

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金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究 被引量：7

3

作者 漆世锴 王小霞 +3 位作者 罗积润 赵世柯 李云 赵青兰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期158-162,共5页

实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5%。二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5%Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系... 实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5%。二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5%Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系数,其值为1.8,相比于纯钨阴极,能够提高80%。鉴于Re对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,对Re掺杂质量分数分别为20%,10%,6%,5%,4%,3%W-Re合金阴极材料二次电子发射系数进行了研究,发现随着Re在W-Re合金阴极材料中含量的降低,其二次电子发射系数在不断增大,仅当Re含量下降至5%左右时,合金阴极具有最大二次电子发射系数,继续下降至4%,合金阴极二次电子发射系数不但没有升高,相反下降至1.41,当下降至3%时,合金阴极二次电子发射系数值迅速降低为1.1。 展开更多

关键词 合金阴极 二次电子发射系数 磁控管 掺杂 阳极

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绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制 被引量：5

4

作者 谢爱根 郭胜利 +1 位作者 李传起 裴元吉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期134-138,共5页

成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0．8～60keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0．8～45keV的多晶MgO的... 成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0．8～60keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0．8～45keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中，收集极（偏置盒）离材料表面设置为约35mm，偏置电压设置为45V。测量得到：用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2．83，处于2～26范围内，其对应的原电子能量约为980eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的，但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低，这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。 展开更多

关键词 测量装置 绝缘体 二次电子发射系数 氧化镁

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金属的高能二次电子发射系数与入射能量和能量幂次的关系 被引量：2

5

作者 谢爱根 李传起 赵浩峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期143-146,共4页

根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式,推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式;并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系,推导出金属的高能二... 根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式,推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式;并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系,推导出金属的高能二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式。用实验数据计算出高能原电子轰击在金或银上时原电子入射能量幂次n,采用实验数据证实高能二次电子发射系数与原电子入射能量和能量幂次三者的关系,对结果进行讨论并得出结论:当高能原电子轰击在同一块金属上时,高能二次电子发射系数与原电子入射能量的n-1次幂之积近似为一常数。 展开更多

关键词 高能电子 二次电子发射系数 能量幂次 金 银

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氘离子轰击钼靶的二次电子发射系数测量 被引量：2

6

作者 刘猛 柯建林 +4 位作者 黄刚 梁建华 刘湾 娄本超 卢彪 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期786-789,共4页

设计了一套二次电子测量装置,采用间接测量法,利用中子发生器产生的氘离子束,对氘离子束轰击下钼靶的二次电子发射系数进行了实验研究,获得了钼的二次电子发射系数随不同入射氘离子能量的变化趋势,氘离子束能量为170 keV时的二次电子发... 设计了一套二次电子测量装置,采用间接测量法,利用中子发生器产生的氘离子束,对氘离子束轰击下钼靶的二次电子发射系数进行了实验研究,获得了钼的二次电子发射系数随不同入射氘离子能量的变化趋势,氘离子束能量为170 keV时的二次电子发射系数最大,约为2.33。 展开更多

关键词 氘离子束 钼靶 二次电子发射系数

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空间金属材料的二次电子发射系数测量研究 被引量：24

7

作者 崔万照 杨晶 张娜 《空间电子技术》 2013年第2期75-78,共4页

空间金属材料的二次电子发射系数是表征空间飞行器大功率微波部件微放电的重要参数,也是空间飞行器大功率微波部件的选材、分析与设计的重要依据。为了准确测量空间金属材料的二次电子发射系数,搭建了专门的测量平台。文章介绍了空间金... 空间金属材料的二次电子发射系数是表征空间飞行器大功率微波部件微放电的重要参数,也是空间飞行器大功率微波部件的选材、分析与设计的重要依据。为了准确测量空间金属材料的二次电子发射系数,搭建了专门的测量平台。文章介绍了空间金属材料的二次电子发射系数测量原理、测量平台的结构组成,实验测量结果表明该测量平台能够准确的测量空间金属材料的二次电子发射系数。 展开更多

关键词 空间金属材料 二次电子发射系数 测量平台

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氧化镁薄膜二次电子发射系数的测试方法 被引量：2

8

作者 龙建飞 罗崇泰 +1 位作者 王多书 李晨 《真空与低温》 2009年第4期238-243,共6页

综述了氧化镁薄膜二次电子发射系数的主要测试方法,包括静电法、脉冲中和法、双枪法、热控法、单脉冲法以及PDP间接法等。阐述了各测试方法的原理以及在测试中各自的优点和不足。分析表明,脉冲中和法和双枪法比较适合用于测试氧化镁薄... 综述了氧化镁薄膜二次电子发射系数的主要测试方法,包括静电法、脉冲中和法、双枪法、热控法、单脉冲法以及PDP间接法等。阐述了各测试方法的原理以及在测试中各自的优点和不足。分析表明,脉冲中和法和双枪法比较适合用于测试氧化镁薄膜二次电子发射。 展开更多

关键词 测试方法 氧化镁薄膜 二次电子发射系数

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纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究

9

作者 韦海成 许亚杰 +1 位作者 肖明霞 吉文欣 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期467-473,共7页

为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)_2以及三段式温度煅烧Mg(OH)_2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征。在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度... 为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)_2以及三段式温度煅烧Mg(OH)_2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征。在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响。实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长。常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高。 展开更多

关键词 MgO晶体 二次电子发射系数 第一性原理 直接沉淀法

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提高砷化镓二次电子发射系数的探讨

10

作者 谢爱根 裴元吉 +1 位作者 王荣 孙红兵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期279-282,共4页

介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 k... 介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 keV)时,两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高(大于20 keV)时,经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大,而且随着原电子入射能量的升高,两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大。 展开更多

关键词 二次电子发射系数 负电子亲和势 二次电子发射材料 逸出深度

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PDP器件中MgO薄膜二次电子发射系数γ的研究 被引量：4

11

作者 蔡秋萍 李青 +2 位作者 王志强 张青和 许晓伟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期416-420,446,共6页

结合等离子体显示器件 ( PDP)的放电机理 ,论述了 PDP中 Mg O保护膜的二次电子发射过程 :势能型发射和动能型发射。讨论了两种二次电子发射系数 γ的测量方法和装置 ,在此基础上 ,建立了一套简单可行的适用于 PDP样品的实验装置 ,文中... 结合等离子体显示器件 ( PDP)的放电机理 ,论述了 PDP中 Mg O保护膜的二次电子发射过程 :势能型发射和动能型发射。讨论了两种二次电子发射系数 γ的测量方法和装置 ,在此基础上 ,建立了一套简单可行的适用于 PDP样品的实验装置 ,文中给出γ值的测量结果。通过γ值的测试 ,可以反馈 Mg O保护膜的性能 。 展开更多

关键词 PDP器件 MgO薄膜 二次电子发射系数 等离子体显示器件 氧化镁 着火电压

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Al掺杂MgO保护层对二次电子发射系数的影响（英文） 被引量：2

12

作者 邓江 曾葆青 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期375-380,共6页

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法,研究了Al掺杂对于MgO保护层电子结构的影响。采用Hagstrum’s理论计算了在不同放电气体环境下,不同Al掺杂比例的Mg1-xAlxO的能带结构和态密度分布,分别获得了基于俄歇中和和俄歇退激理论的二次... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法,研究了Al掺杂对于MgO保护层电子结构的影响。采用Hagstrum’s理论计算了在不同放电气体环境下,不同Al掺杂比例的Mg1-xAlxO的能带结构和态密度分布,分别获得了基于俄歇中和和俄歇退激理论的二次电子发射系数。结果表明,Al掺杂MgO能有效提高二次电子发射系数,且在氦气环境下二次电子发射系数的提高尤为显著。当Al掺杂比例为0.375时,在氦气环境下基于俄歇中和和俄歇退激理论的二次电子发射系数最大,分别为0.4191和0.4316(纯MgO为0.3543、0.4060)。 展开更多

关键词 Al掺杂MgO 第一性原理 等离子体显示器 保护层 二次电子发射系数

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影响金属材料二次电子发射系数因素分析

13

作者 彭承敏 《通讯世界》 2018年第3期331-332,共2页

本文研究了粗糙度、镀层厚度对常用隔离器金属材料的二次电子发射系数的影响,研制结果表明表面镀层厚度对二次电子发射系数影响不大;表面越粗糙,二次电子发射系数越大;如果表面镀层材料太薄,二次电子发射系数与底面金属材料有关。

关键词 粗糙度 镀层厚度 二次电子发射系数

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打拿极材料二次电子发射系数计算模型研究现状 被引量：4

14

作者 何一蕾 王多书 郭磊 《真空与低温》 2017年第4期207-211,共5页

电子倍增器使用寿命短的问题严重制约了其在导航定位系统中的应用,究其根本原因在于现有电子倍增器增益低,且打拿极材料在轰击能量较高的离子或较强电子束流长期作用下耐轰击能力弱,增益衰减过快。通过对国内外研究人员提出的打拿极二... 电子倍增器使用寿命短的问题严重制约了其在导航定位系统中的应用,究其根本原因在于现有电子倍增器增益低,且打拿极材料在轰击能量较高的离子或较强电子束流长期作用下耐轰击能力弱,增益衰减过快。通过对国内外研究人员提出的打拿极二次电子发射系数计算模型进行详细分析,总结了这些模型的优缺点,提出建立打拿极材料二次电子发射系数计算模型的启示和建议。 展开更多

关键词 电子倍增器 打拿极材料 二次电子发射系数 计算模型

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基于ZnO阵列的银表面二次电子发射抑制技术 被引量：6

15

作者 胡天存 曹猛 +3 位作者 鲍艳 张永辉 马建中 崔万照 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2017年第2期54-60,共7页

随着卫星有效载荷的射频功率越来越大,传统的微放电抑制方法已经无法满足大功率卫星有效载荷的需求。降低大功率射频部件内表面的二次电子发射系数是抑制微放电效应的重要方法之一,通过在金属银表面构造纳米量级ZnO阵列,实现了纳米尺度... 随着卫星有效载荷的射频功率越来越大,传统的微放电抑制方法已经无法满足大功率卫星有效载荷的需求。降低大功率射频部件内表面的二次电子发射系数是抑制微放电效应的重要方法之一,通过在金属银表面构造纳米量级ZnO阵列,实现了纳米尺度银陷阱结构的制备,研究了晶种制备方式、锌盐浓度对ZnO阵列生长的影响。结果表明,采用紫外照射法制备晶种获得的ZnO阵列在样片表面分布均匀,提高锌盐浓度可改善ZnO阵列的分布均匀性。分析了ZnO阵列排列密度对银膜构筑的影响,发现在低密度的ZnO阵列上更加容易镀覆金属银。因此,获得了镀银表面基于ZnO阵列的陷阱结构制备的工艺技术,实现金属银表面二次电子发射系数最大值降低36.3%。 展开更多

关键词 微放电 二次电子发射系数 ZnO阵列 陷阱结构 抑制

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MPCVD生长B掺杂金刚石膜的二次电子发射研究(英文) 被引量：1

16

作者 丁明清 李莉莉 冯进军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期688-692,共5页

研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势(NEA)的行为。对于B_2H_6/CH_4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系数(SEE)分别达到18.3和10.9。值得注意的是,这两个样品在测试前已在大气中搁置了几个星期,并且测量... 研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势(NEA)的行为。对于B_2H_6/CH_4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系数(SEE)分别达到18.3和10.9。值得注意的是,这两个样品在测试前已在大气中搁置了几个星期,并且测量前未经过任何处理。如此高的SEE表明,样品在大气中暴露后NEA效应仍得到了保留。另外,10 mg/L B_2H_6/CH_4掺杂样品在酸溶液中处理后NEA消失,SEE较低,而在真空中加热后NEA明显恢复,SEE在1 kV时达到10.2。 展开更多

关键词 B掺杂金刚石膜 负电子亲和势 二次电子发射系数 氧化处理

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多层球形二次电子测量装置的栅网电子透过率仿真研究

17

作者 刘斯盛 陈宝华 +4 位作者 齐鑫 彭卫平 杜嘉余 马彦昭 张涛 《航天器环境工程》 CSCD 2024年第2期219-224,共6页

精确测量材料的二次电子发射系数(SEY)对研究航天器表面材料充放电具有重要意义。在二次电子测量装置中,栅网电子透过率是影响材料SEY测量精度的重要参数。文章通过仿真计算对一种多层球形SEY测量装置中影响栅网电子透过率的因素进行研... 精确测量材料的二次电子发射系数(SEY)对研究航天器表面材料充放电具有重要意义。在二次电子测量装置中,栅网电子透过率是影响材料SEY测量精度的重要参数。文章通过仿真计算对一种多层球形SEY测量装置中影响栅网电子透过率的因素进行研究,并对栅网网格参数进行优化。结果表明:栅网偏压对栅网电子透过率的影响较小;栅网网格参数是影响栅网电子透过率的主要因素,栅网线径为0.025 mm、格线间距为1 mm时栅网电子透过率达到最大。研究可为优化SEY测量装置设计提供参考。 展开更多

关键词 二次电子测量 二次电子发射系数 栅网电子透过率 仿真计算

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模拟分析随机粗糙金属表面的二次电子发射特性 被引量：2

18

作者 冯鹏 叶鸣 +2 位作者 李韵 王丹 贺永宁 《空间电子技术》 2018年第1期17-20,24,共5页

近年来,金属表面的二次电子发射系数(SEY)受表面形貌影响的研究得到了广泛关注。针对真空电子器件表面均为随机粗糙表面的实际情况,建立了基于二次电子发射唯象模型的随机粗糙表面SEY模拟仿真方法。以典型高斯分布型表面为例,针对表面... 近年来,金属表面的二次电子发射系数(SEY)受表面形貌影响的研究得到了广泛关注。针对真空电子器件表面均为随机粗糙表面的实际情况,建立了基于二次电子发射唯象模型的随机粗糙表面SEY模拟仿真方法。以典型高斯分布型表面为例,针对表面粗糙度对SEY的影响规律进行了研究。结果表明,随机粗糙表面的SEY随初始电子入射能量变化的曲线,相比于理想光滑表面发生了右移(朝向高能端移动),且SEY与粗糙度之间不存在单调依赖关系。采用该模拟方法所得的SEY与粗糙度间的依赖规律与已报道的基于蒙特卡罗模拟方法所得规律一致,证实了该方法的合理性。 展开更多

关键词 二次电子发射系数 随机粗糙表面 唯象模型 高斯分布 粗糙度

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碳/钛复合薄膜结构二次电子发射规律 被引量：1

19

作者 柴雅芳 朱淑凯 +5 位作者 赵亚楠 胡天存 杨晶 何鋆 胡忠强 刘明 《空间电子技术》 2022年第4期93-98,共6页

随着我国航天事业的发展,航天器中搭载的微波部件趋于小型化、集成化,而由此带来的微放电效应愈发显著,如何有效抑制微放电效应已成为当前研究的热点。文章使用磁控溅射技术制备了不同掺杂比例的钛/碳复合薄膜。对薄膜样品进行形貌、拉... 随着我国航天事业的发展,航天器中搭载的微波部件趋于小型化、集成化,而由此带来的微放电效应愈发显著,如何有效抑制微放电效应已成为当前研究的热点。文章使用磁控溅射技术制备了不同掺杂比例的钛/碳复合薄膜。对薄膜样品进行形貌、拉曼光谱及二次电子发射特性的测试分析。结果表明:随着金属钛掺杂比例的提高,薄膜按照柱状结构生长的规律越明显,致密度和平整度越好。结合测试结果及相关理论分析薄膜作用的机理,在碳/钛原子比为0.764时,复合薄膜的最大二次电子发射系数为1.40。碳/钛纳米复合薄膜对微放电效应具有良好的抑制效果,且具有大面积制备及工艺简单等特点。有助于未来有效载荷系统向高功率、高频段、集成化的方向发展。 展开更多

关键词 表面结构 钛/碳基纳米薄膜 微放电效应 二次电子发射系数

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表面微孔阵列结构调控二次电子发射特性研究

20

作者 黄昆 杨宁 +3 位作者 杨雄 邹方正 宋佰鹏 张冠军 《空间电子技术》 2022年第4期99-106,共8页

固体介质的二次电子发射受到材料成分、元素构成、表面状况等因素影响,其中表面状况对于二次电子发射系数起着至关重要的作用,表面微结构调控入射电子在材料表面的运动状态和碰撞频率,进而影响二次电子发射。基于粒子路径追踪算法,建立... 固体介质的二次电子发射受到材料成分、元素构成、表面状况等因素影响,其中表面状况对于二次电子发射系数起着至关重要的作用,表面微结构调控入射电子在材料表面的运动状态和碰撞频率,进而影响二次电子发射。基于粒子路径追踪算法,建立了一次电子与材料表面碰撞模型,研究了微孔阵列结构参数对二次电子发射系数的调控机制,分析了微孔阵列单元深度、孔径和面积占比的影响规律。研究发现,通过设置合理的结构单元深度和宽度,可以实现对二次电子发射系数的调节。单元孔径宽度为2 mm、深度为5 mm、数目为169时,二次电子发射系数降低了57%。研究结论可为脉冲功率、航天领域的沿面放电机理分析和抑制提供理论和数据支撑。 展开更多

关键词 微孔阵列结构 二次电子发射系数 路径追踪

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