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题名微通道板高增益二次电子发射层制备研究
被引量：8
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作者
郝子恒
李相鑫
张妮
朱宇峰
李丹
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机构
微光夜视技术重点实验室
昆明物理研究所
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出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2018年第11期1077-1080,共4页
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文摘
提高微通道板(Micro-channel Plate,MCP)的综合性能一直都是器件使用性能提升首要解决的关键问题。纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板性能提升提供了契机,使用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术,在微通道板的通道内壁生长一层Al2O3薄膜作为高二次电子发射层,以增强通道内壁的二次电子发射能力,从而提升微通道板的增益性能。通过调节ALD沉积过程中的循环数,腔室反应温度和前驱体反应时间,分析工艺条件改变对MCP二次电子增益的影响。结果表明ALD沉积工艺参数对MCP二次电子增益有很大影响,使用适当的工艺参数,可得到具有高二次电子增益的MCP。
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关键词
原子层沉积
微通道板
二次电子发射层
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Keywords
atomic layer deposition
micro-channel plate
secondary electron emission layer
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分类号
O484.1
[理学—固体物理]
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题名原子层沉积法制备微通道板发射层的性能
被引量：13
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作者
丛晓庆
邱祥彪
孙建宁
李婧雯
张智勇
王健
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机构
北方夜视技术股份有限公司
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2016年第9期217-222,共6页
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文摘
随着微通道板的不断发展与完善,通过改善传统工艺提升其性能越来越困难,开发提升微通道板性能的新技术迫在眉睫。纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板的发展提供了契机,利用原子层沉积技术在通道内壁沉积一层氧化铝纳米薄膜,作为二次电子发射功能层,可以增强通道内壁的二次电子发射能力,从而提升微通道板的增益性能。通过优化原子层沉积工艺参数可以在微通道板的通道内壁沉积厚度均匀的氧化铝薄膜。研究结果表明,微通道板增益随沉积氧化铝厚度的变化而变化,在氧化铝厚度为60 cycles时,施加偏压800 V时增益可达56 000,约为正常微通道板增益的12倍。
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关键词
微通道板
原子层沉积
氧化铝纳米薄膜
二次电子发射层
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Keywords
microchannel plate
atomic layer deposition
alumina nano films
SEE layer
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分类号
TN223
[电子电信—物理电子学]
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