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二次电子发射束剖面诊断系统的设计与实现
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作者 张世纪 张为堂 +1 位作者 许永建 于玲 《核电子学与探测技术》 北大核心 2025年第5期608-615,共8页
束剖面是CRAFT(Comprehensive Research Acility for Fusion Technology)负离子源中性束注入系统(Negative ion based neutral beam injection system,NNBI)引出束流的关键参数之一,其可以直接反映NNBI的运行状态,为NNBI装置的运行参数... 束剖面是CRAFT(Comprehensive Research Acility for Fusion Technology)负离子源中性束注入系统(Negative ion based neutral beam injection system,NNBI)引出束流的关键参数之一,其可以直接反映NNBI的运行状态,为NNBI装置的运行参数调节提供依据。传统的基于热电偶的束流截止靶、一维碳纤维复合材料(Carbon Fibre Composite,CFC)红外诊断靶、钨丝诊断靶不能同时满足长脉冲(≥100 s)、高束功率(2~5MW)情况下高时间分辨率(ms级)的诊断要求。为了满足上述诊断要求,利用二次电子发射原理在功率测量靶后方采用半嵌入的方法安装分布式的探针阵列,并基于LabVIEW软件设计了一套实时信号采集单元,实现了NNBI MW级束流引出下的二次电子信号实时采集、数据存储和波形回放,利用MATLAB编程实现了数据处理和分析。结果表明,研发的系统能够满足NNBI束剖面诊断需求,实现了不同运行参数下的束剖面分析。 展开更多
关键词 中性束 束诊断剖面 数据采集 LABVIEW 二次电子发射
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表面镀膜调控二次电子发射的研究进展
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作者 万雪曼 杨晶 +5 位作者 胡天存 何鋆 杨兆伦 张雨婷 张娜 崔万照 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期31-39,98,共10页
二次电子发射现象属于材料表面的一种特殊物理效应,广泛存在于显微分析和信号探测领域、空间大功率微波部件、大型粒子加速器以及高压真空绝缘部件中。表面镀膜技术是二次电子发射调控的重要研究方向之一,通过引入镀层材料来改变衬底的... 二次电子发射现象属于材料表面的一种特殊物理效应,广泛存在于显微分析和信号探测领域、空间大功率微波部件、大型粒子加速器以及高压真空绝缘部件中。表面镀膜技术是二次电子发射调控的重要研究方向之一,通过引入镀层材料来改变衬底的表面状态,从而影响材料对电子的散射能力。从镀膜材料二次电子发射的物理机制和理论模型出发,分析了半经验物理模型的适用条件及优化方向。随后,根据二次电子发射特性应用场景的不同,对常用的镀层材料及其调控方法进行了文献调研和综合分析,从镀膜工艺和显微结构等方面进行了讨论。对电子倍增领域而言,镀覆Al_(2)O_(3)、MgO和Zn O等氧化物薄膜作为二次电子倍增层材料,可以提高器件的探测效率。对空间大功率微波部件而言,镀覆碳化物、氮化物等低SEY的材料,可以降低材料的二次电子发射能力,避免由电子倍增所引起微放电效应。最后,总结了镀膜结构在调控二次电子发射特性的研究进展,并对其未来发展进行了合理展望。 展开更多
关键词 二次电子发射特性 二次电子发射系数调控 表面镀膜技术 表面结构 纳米薄膜
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金属二次电子发射系数表达式 被引量:9
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作者 谢爱根 张健 +1 位作者 刘斌 王铁邦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期481-485,共5页
根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2~10keV比... 根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2~10keV比率的表达式。根据推导的关系式,用实验数据分别计算出6种金属的平均参数。发现6种金属的平均参数都近似为一个常数11.89(eV)0.5。根据推导的关系式和计算的参数,推导出以背散射系数、原电子入射能量和最大二次电子发射系数为变量的二次电子发射系数通式。用该通式计算出二次电子发射系数,并与相应的实验值进行了比较,最后成功地推导出金属2~10keV的二次电子发射系数通式。 展开更多
关键词 通式 二次电子发射系数 最大二次电子发射系数 金属
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提高砷化镓二次电子发射系数的探讨
4
作者 谢爱根 裴元吉 +1 位作者 王荣 孙红兵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期279-282,共4页
介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 k... 介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 keV)时,两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高(大于20 keV)时,经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大,而且随着原电子入射能量的升高,两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大。 展开更多
关键词 二次电子发射系数 电子亲和势 二次电子发射材料 逸出深度
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高性能多功能超高真空金属二次电子发射特性测试平台 被引量:19
5
作者 张娜 曹猛 +1 位作者 崔万照 张海波 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期554-558,共5页
介绍了一套高性能多功能的超高真空金属二次电子发射特性测试平台。该平台包含了超高真空系统、测试系统、原位表面处理系统和控制与数据处理系统四个部分,实现了在10-8Pa的超高真空下准确测试金属材料的二次电子发射特性。该平台采用... 介绍了一套高性能多功能的超高真空金属二次电子发射特性测试平台。该平台包含了超高真空系统、测试系统、原位表面处理系统和控制与数据处理系统四个部分,实现了在10-8Pa的超高真空下准确测试金属材料的二次电子发射特性。该平台采用了偏压电流法和收集极法两种测试二次电子产额的方法,配置了全自动控制的双通道筒镜型电子能谱仪测试二次电子能谱,集成了氩离子清洗和热处理部件研究表面状况对二次电子发射特性的影响。在测试原理及功能介绍的基础上,展示了二次电子发射特性的典型测试结果。 展开更多
关键词 物理电子 二次电子发射 测试平台 超高真空系统
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高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系 被引量:14
6
作者 谢爱根 裴元吉 +1 位作者 孙红兵 王荣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1059-1062,共4页
 提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论:不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发...  提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论:不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时,它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量,有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。 展开更多
关键词 二次电子 入射能量 金属 有效真二次电子发射系数
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伴有二次电子发射的磁化等离子体鞘层结构特性 被引量:13
7
作者 赵晓云 刘金远 +1 位作者 段萍 李世刚 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期279-284,共6页
建立了包括电子、离子以及器壁发射二次电子的磁化等离子体鞘层流体模型,采用四阶龙格库塔法数值研究了伴有二次电子发射的磁鞘结构特性。模拟结果显示二次电子发射对于弱磁等离子体鞘层中的离子密度影响较大,而对于磁场较强的等离子体... 建立了包括电子、离子以及器壁发射二次电子的磁化等离子体鞘层流体模型,采用四阶龙格库塔法数值研究了伴有二次电子发射的磁鞘结构特性。模拟结果显示二次电子发射对于弱磁等离子体鞘层中的离子密度影响较大,而对于磁场较强的等离子体鞘层,鞘层中离子密度分布主要由磁场来决定。磁场的存在可以促进器壁电子的发射,磁场的增加或二次电子发射系数的增加都将使得鞘层厚度的减小,同时将导致沉积到器壁的离子动能流发生变化,从而直接影响器壁材料的性能。 展开更多
关键词 等离子体 鞘层 二次电子发射 磁场
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Vaughan二次电子发射模型的深入研究与拓展 被引量:11
8
作者 游检卫 张剑锋 +1 位作者 李韵 王洪广 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期3035-3039,共5页
当前国际上基于Vaughan二次电子模型的材料数据库十分丰富,且其数据均经过大量实验验证,具有很高的实验精度和可信度。为了将这些数据库融入到自主开发的电磁粒子联合模拟平台,完善和提高电磁粒子混合算法的计算精度,在对经典Vaughan模... 当前国际上基于Vaughan二次电子模型的材料数据库十分丰富,且其数据均经过大量实验验证,具有很高的实验精度和可信度。为了将这些数据库融入到自主开发的电磁粒子联合模拟平台,完善和提高电磁粒子混合算法的计算精度,在对经典Vaughan模型做了深入研究的基础上,成功地推导出产生二次电子数目的计算方法。此外,为了使经典Vaughan二次电子发射理论更便捷和完整地应用到实际工程应用当中,还对二次电子出射能量以及二次电子出射角度的计算等实际问题做了进一步的拓展性研究。数值计算结果验证了拓展后Vaughan模型算法的准确性和鲁棒性。 展开更多
关键词 二次电子发射模型 Vaughan模型 电磁粒子仿真 出射能量 出射角度
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金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究 被引量:7
9
作者 漆世锴 王小霞 +3 位作者 罗积润 赵世柯 李云 赵青兰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期158-162,共5页
实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5%。二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5%Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系... 实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5%。二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5%Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系数,其值为1.8,相比于纯钨阴极,能够提高80%。鉴于Re对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,对Re掺杂质量分数分别为20%,10%,6%,5%,4%,3%W-Re合金阴极材料二次电子发射系数进行了研究,发现随着Re在W-Re合金阴极材料中含量的降低,其二次电子发射系数在不断增大,仅当Re含量下降至5%左右时,合金阴极具有最大二次电子发射系数,继续下降至4%,合金阴极二次电子发射系数不但没有升高,相反下降至1.41,当下降至3%时,合金阴极二次电子发射系数值迅速降低为1.1。 展开更多
关键词 合金阴极 二次电子发射系数 磁控管 掺杂 阳极
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基于ZnO阵列的银表面二次电子发射抑制技术 被引量:6
10
作者 胡天存 曹猛 +3 位作者 鲍艳 张永辉 马建中 崔万照 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2017年第2期54-60,共7页
随着卫星有效载荷的射频功率越来越大,传统的微放电抑制方法已经无法满足大功率卫星有效载荷的需求。降低大功率射频部件内表面的二次电子发射系数是抑制微放电效应的重要方法之一,通过在金属银表面构造纳米量级ZnO阵列,实现了纳米尺度... 随着卫星有效载荷的射频功率越来越大,传统的微放电抑制方法已经无法满足大功率卫星有效载荷的需求。降低大功率射频部件内表面的二次电子发射系数是抑制微放电效应的重要方法之一,通过在金属银表面构造纳米量级ZnO阵列,实现了纳米尺度银陷阱结构的制备,研究了晶种制备方式、锌盐浓度对ZnO阵列生长的影响。结果表明,采用紫外照射法制备晶种获得的ZnO阵列在样片表面分布均匀,提高锌盐浓度可改善ZnO阵列的分布均匀性。分析了ZnO阵列排列密度对银膜构筑的影响,发现在低密度的ZnO阵列上更加容易镀覆金属银。因此,获得了镀银表面基于ZnO阵列的陷阱结构制备的工艺技术,实现金属银表面二次电子发射系数最大值降低36.3%。 展开更多
关键词 微放电 二次电子发射系数 ZnO阵列 陷阱结构 抑制
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10~30keV二次电子发射系数的表达式 被引量:6
11
作者 谢爱根 王祖松 +2 位作者 刘战辉 詹煜 吴红艳 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期542-546,共5页
根据二次电子发射的主要物理过程和特性,推导出最大二次电子发射系数(δm)的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数(δPE)的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数(δ)之间的关系,推导出以δm、原子序数... 根据二次电子发射的主要物理过程和特性,推导出最大二次电子发射系数(δm)的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数(δPE)的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数(δ)之间的关系,推导出以δm、原子序数、原子质量数、物质密度、背散射系数、高能背散射系数、参数A、能量幂次(n)和原电子入射能量为变量δ的通式。用ESTAR程序计算出一些材料的10—30keY能量范围内的参数A和n。用该通式计算出δ并与相应的实验值进行了比较,结果表明,成功地推导出金属、半金属和元素半导体10~30kev的艿通式。 展开更多
关键词 通式 二次电子发射系数 金属 半金属 元素半导体
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不同掺杂对可加工陶瓷二次电子发射及沿面闪络特性的影响 被引量:6
12
作者 于开坤 张冠军 +6 位作者 田杰 郑楠 黄学增 马新沛 李光新 山纳康 小林信一 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期23-28,33,共7页
固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性,长期以来这一现象极大地制约着真空绝缘系统的整体性能,限制了高压电真空设备的发展进程。本文针对一种具有良好加工性能及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘... 固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性,长期以来这一现象极大地制约着真空绝缘系统的整体性能,限制了高压电真空设备的发展进程。本文针对一种具有良好加工性能及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘的背景,在不明显降低可加工性能的前提下,通过在可加工陶瓷原材料内掺杂不同的低二次电子发射系数金属氧化物Cu2O以及Cr2O3,研究掺杂之后材料的二次电子发射系数的变化,对不同掺杂工艺下试品的沿面闪络电压进行研究。结果发现:掺杂低二次电子发射系数金属氧化物能够相应降低可加工陶瓷材料的二次电子发射系数,通过研究不同加工工艺条件下材料的闪络电压,发现试样的闪络电压随其二次电子发射系数的降低而提高。 展开更多
关键词 沿面闪络 可加工陶瓷 二次电子发射系数 真空
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不同带电情况下介质材料二次电子发射特性研究 被引量:5
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作者 陈益峰 杨生胜 +3 位作者 李得天 秦晓刚 王俊 柳青 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1673-1677,共5页
空间材料二次电子发射特性是决定航天器表面带电速率和充电平衡电位水平的重要参数。本文利用1~5 keV 的脉冲电子束开展了聚酰亚胺(kapton)、玻璃盖片和光学太阳反射镜(OSR)材料的二次电子发射系数(δ)测试,并完成了介质材料表... 空间材料二次电子发射特性是决定航天器表面带电速率和充电平衡电位水平的重要参数。本文利用1~5 keV 的脉冲电子束开展了聚酰亚胺(kapton)、玻璃盖片和光学太阳反射镜(OSR)材料的二次电子发射系数(δ)测试,并完成了介质材料表面不同充电情况下的二次电子发射特性研究。研究结果表明,在入射电子能量为1~5 keV 范围内材料二次电子发射系数随入射电子能量上升而下降,同时当二次电子发射系数大于1时,材料表面将累积正电荷,二次电子发射系数下降,当二次电子发射系数小于1时,材料表面将累积负电荷,二次电子发射系数将增加。 展开更多
关键词 充放电效应 二次电子发射 能量 表面电荷
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二次电子发射对稳态等离子体推进器加速通道鞘层的影响 被引量:8
14
作者 田立成 石红 +1 位作者 李娟 张天平 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期193-197,共5页
稳态等离子体推进器(Stationary Plasma Thruster,SPT)工作时产生的高密度等离子体遇到其加速通道陶瓷器壁时,在陶瓷器壁与等离子体之间形成鞘层。离子会在鞘层电场作用下到达SPT加速通道器壁表面进而复合,而等离子体中的电子由于具有... 稳态等离子体推进器(Stationary Plasma Thruster,SPT)工作时产生的高密度等离子体遇到其加速通道陶瓷器壁时,在陶瓷器壁与等离子体之间形成鞘层。离子会在鞘层电场作用下到达SPT加速通道器壁表面进而复合,而等离子体中的电子由于具有高能可跃过鞘层电场轰击器壁表面,从而产生二次电子发射效应。从器壁表面发射出的二次电子由于受到鞘层电场的排斥,导致其向等离子体源区移动,进而影响等离子体鞘层的特性。建立了考虑二次电子发射效应的无碰撞等离子体鞘层的一维流体模型,研究了二次电子发射对SPT加速通道鞘层特性的影响。计算结果显示,随二次电子发射系数增加,鞘层电势、离子密度、电子密度和二次电子密度增加,而离子速度降低,鞘层中离子密度始终大于电子密度。鞘层中二次电子绝大多数集中在器壁附近,随二次电子穿越鞘层厚度的增加,二次电子密度快速下降。 展开更多
关键词 稳态等离子体推进器 加速通道 二次电子发射 等离子体鞘层
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Re掺杂对W丝阴极二次电子发射的影响 被引量:5
15
作者 漆世锴 王小霞 +3 位作者 罗积润 赵世柯 李云 赵青兰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期480-484,共5页
为了提高纯W丝阴极的二次电子发射系数(δ),在W粉中掺杂不同比例的Re粉。将混合好的W-Re粉制备在W片表面,经高温烧结后测量其二次电子发射系数。实验结果显示Re掺杂合金阴极能够提高纯钨丝阴极的δ。不同掺杂Re的W-Re合金阴极对提高二... 为了提高纯W丝阴极的二次电子发射系数(δ),在W粉中掺杂不同比例的Re粉。将混合好的W-Re粉制备在W片表面,经高温烧结后测量其二次电子发射系数。实验结果显示Re掺杂合金阴极能够提高纯钨丝阴极的δ。不同掺杂Re的W-Re合金阴极对提高二次电子发射系数的能力不同,掺杂5(质量比)%Re的W-Re合金阴极的二次电子发射系数最大,其最大二次电子发射系数(δm)值为1.8,相比于未掺杂的纯钨粉烧结阴极的δm,能够提高80%。 展开更多
关键词 合金阴极 二次电子发射 掺杂 寿命
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基于扫描电子显微镜的二次电子发射系数测量 被引量:1
16
作者 蔡亚辉 王丹 贺永宁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期654-657,共4页
二次电子发射特性对许多领域的真空器件有着重要的影响,准确测量二次电子发射系数至关重要。本文介绍了一种基于扫描电子显微镜的二次电子发射系数的测量方法。利用扫描电子显微镜电子束流的高稳定性和电子能量的宽范围可调的特性,引入... 二次电子发射特性对许多领域的真空器件有着重要的影响,准确测量二次电子发射系数至关重要。本文介绍了一种基于扫描电子显微镜的二次电子发射系数的测量方法。利用扫描电子显微镜电子束流的高稳定性和电子能量的宽范围可调的特性,引入法拉第杯样品台,通过改变电子束扫描速度,放大倍数及聚焦状态等电镜参数,对平滑Ag的二次电子发射系数进行测量。结果显示,平滑Ag的二次电子发射系数不受电镜参数影响,且与参考文献测量结果相符合。本测试方法对于研究材料宽电子能量范围的二次电子发射特性具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 二次电子发射 二次电子发射系数测量 扫描电子显微镜 真空系统 电子能量范围
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三维规则形貌影响下的二次电子发射特性研究 被引量:4
17
作者 张娜 崔万照 +2 位作者 曹猛 王瑞 胡天存 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2020年第3期1-7,共7页
通过人工加工出特定的表面形貌来调控材料的二次电子发射特性已在诸多领域得到应用。规则表面形貌易于揭示抑制规律和影响机制对二次电子发射特性的影响,同时采用光刻、等离子刻蚀等工艺可以较好地实现特定设计的规则形貌,因此,在抑制... 通过人工加工出特定的表面形貌来调控材料的二次电子发射特性已在诸多领域得到应用。规则表面形貌易于揭示抑制规律和影响机制对二次电子发射特性的影响,同时采用光刻、等离子刻蚀等工艺可以较好地实现特定设计的规则形貌,因此,在抑制微放电的研究初期或原理性试验验证过程中多采用定制的规则表面形貌。基于提出的电子与表面形貌相互作用的多代模型,以三维圆柱孔为例,采用蒙特卡罗方法系统研究了三维规则表面形貌的深宽比、占空比等参量影响二次电子产额、二次电子能谱以及出射角分布的规律。研究发现:规则形貌的深宽比越大,能谱展宽越强烈,形貌对出射角的选择性越强,二次电子产额的抑制效果越好,但该抑制效果存在饱和效应。在形貌不发生交叠时,增加占空比,可有效降低二次电子产额,由于圆柱孔出射电子占比较少,二次电子能谱与出射角分布接近于平面。所获得的三维规则表面形貌的二次电子发射特性对于全面评估其对微放电效应的影响提供了参考。 展开更多
关键词 二次电子发射 规则形貌 二次电子产额 二次电子能谱 出射角分布
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绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制 被引量:5
18
作者 谢爱根 郭胜利 +1 位作者 李传起 裴元吉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期134-138,共5页
成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60keV。采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8~45keV的多晶MgO的... 成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60keV。采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8~45keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中,收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35mm,偏置电压设置为45V。测量得到:用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83,处于2~26范围内,其对应的原电子能量约为980eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的,但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低,这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。 展开更多
关键词 测量装置 绝缘体 二次电子发射系数 氧化镁
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基于负偏压收集极的绝缘体二次电子发射系数测量 被引量:5
19
作者 翁明 曹猛 +1 位作者 赵红娟 张海波 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1262-1266,共5页
建立了一个主要由单把脉冲电子枪和一个二次电子收集极构成的测量装置用于室温下绝缘体二次电子发射系数的测量。通过给收集极设定负偏压,本文提出了一种新的电荷中和方法,有效地中和了在测量过程中累积在样品表面的电荷。采用双通道示... 建立了一个主要由单把脉冲电子枪和一个二次电子收集极构成的测量装置用于室温下绝缘体二次电子发射系数的测量。通过给收集极设定负偏压,本文提出了一种新的电荷中和方法,有效地中和了在测量过程中累积在样品表面的电荷。采用双通道示波器对二次电子电流和样品电流进行了测量,根据相应脉冲电流的峰值确定了样品的二次电子发射系数。成功测量了尼龙样品的二次电子发射系数与一次电子能量的关系曲线,并与文献测量结果进行了比较,结果表明本文的测量装置和测量方法简单易行。 展开更多
关键词 二次电子发射系数 电荷中和 绝缘体 测量
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Cr_2O_3涂层对Al_2O_3绝缘瓷二次电子发射特性的影响 被引量:4
20
作者 郑家贵 蒋立新 +2 位作者 蔡亚平 罗四维 周心明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期497-502,共6页
用Cr2O3涂复a-Al2O3绝缘瓷表面,并经热退火处理.观测了它们的二次电子发射系数、SEM、XRD、XPS和EELS.发现样品在退火后,涂层元素扩散进了Al2O3陶瓷基底,生成了新相;根据XPS和EELS的分析结... 用Cr2O3涂复a-Al2O3绝缘瓷表面,并经热退火处理.观测了它们的二次电子发射系数、SEM、XRD、XPS和EELS.发现样品在退火后,涂层元素扩散进了Al2O3陶瓷基底,生成了新相;根据XPS和EELS的分析结果,表面层能隙减小,能隙中的缺陷态、杂质态及表面态增加,提供了更多可能的复合中心和陷阱中心,有利于非平衡载流子的散射跃迁,从而大大耗散能量,减少二次电子发射. 展开更多
关键词 二次电子发射特性 二氧化二铝绝缘瓷 氧化铬涂层
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