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双边二次电子倍增效应分析
被引量:
2
1
作者
应旭华
郝建红
范杰清
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期906-910,共5页
根据高功率微波源相互作用腔结构,建立了一种双边二次电子倍增效应模型。采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法,计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律,分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响。结果表明:高频场比低频场更容...
根据高功率微波源相互作用腔结构,建立了一种双边二次电子倍增效应模型。采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法,计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律,分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响。结果表明:高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应;二次电子倍增效应的时间演化与射频场的大小和腔结构呈非单调关系,且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多,这与理论分析的结果一致。
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关键词
双边
二次电子倍增效应
敏感曲线
二次电子
共振区域
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职称材料
S波段波导窗的设计
被引量:
1
2
作者
朱志斌
王修龙
周文振
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2004年第z1期58-61,共4页
采用高频结构模拟器(HFSS)建立波导窗物理模型,并计算波导窗内的电场分布、大小和方向,以及波导窗的射频参数如频率与带宽、输入电压驻波比,从而为改进波导窗提供了理论依据,并最终设计了一个适合5MW、45kW高功率传输的波导窗。
关键词
波导窗
二次电子倍增效应
电子
直线加速器
高功率传输
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职称材料
题名
双边二次电子倍增效应分析
被引量:
2
1
作者
应旭华
郝建红
范杰清
机构
华北电力大学电气与电子工程学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期906-910,共5页
基金
国家高技术发展计划强辐射重点实验室基金资助课题
文摘
根据高功率微波源相互作用腔结构,建立了一种双边二次电子倍增效应模型。采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法,计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律,分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响。结果表明:高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应;二次电子倍增效应的时间演化与射频场的大小和腔结构呈非单调关系,且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多,这与理论分析的结果一致。
关键词
双边
二次电子倍增效应
敏感曲线
二次电子
共振区域
Keywords
two-surface multipaetor discharge
susceptibility curves
secondary electron
resonant region
分类号
O462.2 [理学—电子物理学]
O411.3 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
S波段波导窗的设计
被引量:
1
2
作者
朱志斌
王修龙
周文振
机构
中国原子能科学研究院核技术应用研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2004年第z1期58-61,共4页
文摘
采用高频结构模拟器(HFSS)建立波导窗物理模型,并计算波导窗内的电场分布、大小和方向,以及波导窗的射频参数如频率与带宽、输入电压驻波比,从而为改进波导窗提供了理论依据,并最终设计了一个适合5MW、45kW高功率传输的波导窗。
关键词
波导窗
二次电子倍增效应
电子
直线加速器
高功率传输
Keywords
wave-guide window
multipactor effect
electron linear accelerators
high-power transmission
分类号
TL503 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
双边二次电子倍增效应分析
应旭华
郝建红
范杰清
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
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职称材料
2
S波段波导窗的设计
朱志斌
王修龙
周文振
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2004
1
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职称材料
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