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CVD金刚石薄膜二次形核机制的研究 被引量:14
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作者 黄元盛 刘正义 邱万奇 《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期50-52,共3页
根据实验观察分析提出了金刚石二次形核机制 ,此机制认为二次形核很容易在( 10 0 )晶面上和晶界上形成。通过比较 ( 10 0 )面的二次形核和形成新生长台阶的系统自由能差 ,可知当气氛中的碳氢基团浓度较大时 ,粘附在基底的碳氢基团发生堆... 根据实验观察分析提出了金刚石二次形核机制 ,此机制认为二次形核很容易在( 10 0 )晶面上和晶界上形成。通过比较 ( 10 0 )面的二次形核和形成新生长台阶的系统自由能差 ,可知当气氛中的碳氢基团浓度较大时 ,粘附在基底的碳氢基团发生堆集 ,如果堆集碳氢基团高度尺寸较大时将形成二次晶核。也对晶界二次形核的系统自由能差进行了推导 ,结果表明晶界二次形核是自发的 ,将导致体系自由能的下降。 展开更多
关键词 二次形核 生长台阶 碳氢基团 金刚石薄膜 化学气相沉积
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CVD金刚石形核的研究 被引量:4
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作者 黄元盛 邱万奇 刘正义 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期492-494,共3页
在钢渗铬层和硅片上进行了化学气相沉积金刚石膜 ,发现在渗铬层上形成的金刚石膜以球形金刚石为主 ;用高倍扫描电子显微镜分析显示 ,渗铬层上的球形金刚石是由大量二次晶核长大的微晶金刚石和非晶碳组成。
关键词 化学气相沉积 金刚石 二次形核 薄膜 密度
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二氧化钛/多孔碳纳米纤维复合材料的制备及其光催化性能 被引量:2
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作者 陆瑶瑶 叶俊涛 +1 位作者 阮承祥 娄瑾 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期67-75,共9页
为实现纳米二氧化钛(TiO_(2))的回收和重复使用,采用静电纺丝、高温煅烧和酸溶技术制备了多孔碳纳米纤维(PCNF),随后使用二次形核法将锐钛矿相TiO_(2)负载到其表面,得到具有光催化活性的TiO_(2)/PCNF复合材料。通过扫描电子显微镜、X射... 为实现纳米二氧化钛(TiO_(2))的回收和重复使用,采用静电纺丝、高温煅烧和酸溶技术制备了多孔碳纳米纤维(PCNF),随后使用二次形核法将锐钛矿相TiO_(2)负载到其表面,得到具有光催化活性的TiO_(2)/PCNF复合材料。通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、紫外-可见漫反射光谱仪等表征了TiO_(2)/PCNF复合材料的形貌结构、成分和光吸收性能,并测试了其对降解亚甲基蓝(MB)溶液的光催化性能。结果显示:复合材料的比表面积高达331.9 m^(2)/g,光照30 min后对MB溶液(5 mg/L)的去除率为98.6%,光照60 min后对MB溶液的去除率可达99.6%,均高于同等TiO_(2)含量的对比组;重复使用5次后,其对MB溶液的去除率仍然保持在95.0%;PCNF是一种性能优异的光催化载体材料,它不仅能够实现对纳米TiO_(2)的固定和回收,而且能提高TiO_(2)的光催化性能。 展开更多
关键词 有机染料 光降解 氧化钛 静电纺丝 碳纳米纤维 亚甲基蓝 二次形核 光催化性能 废水处理
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球形金刚石的形成机制 被引量:6
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作者 邱万奇 刘正义 陈剑惠 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期566-569,共4页
在 p Si(10 0 )基体上用热丝CVD法沉积了球形金刚石薄膜。用XL30FEG扫描电镜、X射线衍射仪及Raman光谱仪对不同沉积时间的球形金刚石的微观形貌及组成成分进行了研究 ,并对其形成机制进行了分析。结果表明 :球形金刚石的颗粒密度和形核... 在 p Si(10 0 )基体上用热丝CVD法沉积了球形金刚石薄膜。用XL30FEG扫描电镜、X射线衍射仪及Raman光谱仪对不同沉积时间的球形金刚石的微观形貌及组成成分进行了研究 ,并对其形成机制进行了分析。结果表明 :球形金刚石的颗粒密度和形核密度一致 ,球形金刚石由微晶金刚石组成 ,晶粒尺寸为 70~ 2 0 0nm ;微晶金刚石是沉积过程中快速二次形核而形成 ,呈无序分布 ; 展开更多
关键词 微晶 二次形核 化学气相沉积法 金刚石薄膜 金刚石 成机制
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DC Arc Plasma Jet CVD自支撑金刚石膜表面形貌的研究 被引量:1
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作者 戴风伟 陈广超 +8 位作者 兰昊 J.Askari 宋建华 李成明 佟玉梅 李彬 黑立富 唐伟忠 吕反修 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2007年第4期13-15,21,共4页
本文采用30kW级直流电弧等离子体喷射法沉积自支撑金刚石膜,研究了大进气量条件下不同的甲烷浓度对金刚石膜的表面形貌及晶面取向的影响,当甲烷浓度达到一定程度时,出现纳米二次晶的形核,晶粒细化,微米金刚石转变成为纳米金刚石。同时... 本文采用30kW级直流电弧等离子体喷射法沉积自支撑金刚石膜,研究了大进气量条件下不同的甲烷浓度对金刚石膜的表面形貌及晶面取向的影响,当甲烷浓度达到一定程度时,出现纳米二次晶的形核,晶粒细化,微米金刚石转变成为纳米金刚石。同时不同的氩氢配比对金刚石膜的表面形貌也产生一定的影响。在高甲烷浓度的情况下,可以得到一种具有(111)取向的微米级金刚石膜。结果表明,随着甲烷浓度和氩氢比(Ar/H2)的增加,金刚石膜表面晶粒尺寸是呈逐渐减小趋势的,此外,通过控制甲烷浓度可以得到(111)晶面的高取向金刚石膜,当甲烷浓度为20%时,金刚石膜表面晶粒的(111)晶面可以达到高取向。 展开更多
关键词 表面 二次形核 晶面取向
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酸性镀铜层晶体生长机理研究
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作者 张鹏华 黄元盛 温立哲 《电镀与精饰》 北大核心 2025年第8期29-33,共5页
为了研究电镀铜层晶体生长机制和工艺参数对晶粒形态的影响,配制了由硫酸铜、硫酸组成的电镀液,在赫尔槽中进行了镀层的制备,并采用扫描电子显微镜、超景深显微镜对镀层进行了分析。研究结果表明,镀层晶粒生长是通过晶面台阶生长机制和... 为了研究电镀铜层晶体生长机制和工艺参数对晶粒形态的影响,配制了由硫酸铜、硫酸组成的电镀液,在赫尔槽中进行了镀层的制备,并采用扫描电子显微镜、超景深显微镜对镀层进行了分析。研究结果表明,镀层晶粒生长是通过晶面台阶生长机制和晶界形成的二次晶核再生长机制进行,新台阶自八面体晶粒向上凸出的顶角位置形成,并以此为中心沿着向下倾斜的(111)晶面生长;新台阶开始形成时的生长速度最大,向下生长速度逐渐变慢,在下凹晶界处生长速度达到最小值,最大与最小生长速度相差越大,晶界下凹深度越大。此外,基底表面的粗糙化可促进镀层晶粒的粗大化;当电流密度较小,阴极极化作用小时,形核率低,所得晶粒尺寸较大。本文所获得的生长机理的相关研究结果可以为采用酸性镀铜工艺制备不同要求的铜镀层提供理论指导。 展开更多
关键词 电镀铜 台阶生长机制 晶粒 晶界 二次形核
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镁合金AZ61的流变挤压工艺和组织特征 被引量:8
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作者 张少明 杨必成 +3 位作者 樊中云 徐骏 石力开 陈国良 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1423-1428,共6页
采用双螺旋流变铸造技术制备镁合金AZ61铸锭,并与常规铸造组织进行对比。常规铸造得到粗大的树枝晶,而流变铸造得到细小的球状晶,平均晶粒尺寸约40μm。采用常规热挤压工艺和流变挤压工艺分别挤压出直径22 mm的棒材,分析比较流变挤压与... 采用双螺旋流变铸造技术制备镁合金AZ61铸锭,并与常规铸造组织进行对比。常规铸造得到粗大的树枝晶,而流变铸造得到细小的球状晶,平均晶粒尺寸约40μm。采用常规热挤压工艺和流变挤压工艺分别挤压出直径22 mm的棒材,分析比较流变挤压与常规热挤压过程中,挤压力大小和挤压速率的关系,观察不同工艺下得到的微观组织。结果表明,常规挤压为动态再结晶组织,晶粒形状和大小与挤压温度和速度密切相关;流变挤压中浆料在通过挤压模时凝固,得到平均晶粒尺寸约8μm的铸态组织,其原因是大量二次形核的核心得以存留并长大。 展开更多
关键词 镁合金 流变铸造 流变挤压 二次形核
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采用DC Arc Plasma JetCVD方法沉积微/纳米复合自支撑金刚石膜 被引量:3
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作者 戴风伟 陈广超 +7 位作者 兰昊 J.Askari 宋建华 李成明 佟玉梅 李彬 黑立富 吕反修 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1200-1202,1208,共4页
在30kW级直流电弧等离子体喷射化学气相沉积(DC Arc P lasm a Jet CVD)设备上,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过调节甲烷浓度以及控制其他沉积参数,在Mo衬底上沉积出微/纳米复合自支撑金刚石膜。实验表明,当微米金刚石膜层沉积结束后,在随后... 在30kW级直流电弧等离子体喷射化学气相沉积(DC Arc P lasm a Jet CVD)设备上,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过调节甲烷浓度以及控制其他沉积参数,在Mo衬底上沉积出微/纳米复合自支撑金刚石膜。实验表明,当微米金刚石膜层沉积结束后,在随后的沉积中,随着甲烷浓度的增加,金刚石膜表面的晶粒大小是逐渐减小的。当甲烷浓度达到20%以上时,金刚石膜生长面晶粒呈现菜花状的小晶团,膜体侧面已经没有了粗大的柱状晶,而是呈现出光滑的断口,对该层进行拉曼谱分析显示,位于1145 cm-1附近有一定强度的散射峰出现。这说明所沉积的晶粒全部变为纳米级尺寸。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体喷射化学气相沉积 微/纳米复合自支撑金刚石膜 二次形核 拉曼光谱
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化学气相沉积金刚石微球的生长机制研究 被引量:4
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作者 徐帅 李晓普 +3 位作者 丁玉龙 吴啸 范波 闫宁 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2018年第5期1-5,共5页
采用微波等离子体化学气相沉积法,在过饱和碳离子浓度条件下,在单晶硅衬底上制备了球形结构的多晶金刚石微球,通过控制沉积气压与温度的变化,研究了金刚石由石墨生长区向纳米晶的球形结构、再到具有良好结晶性的金刚石生长区的过渡过程... 采用微波等离子体化学气相沉积法,在过饱和碳离子浓度条件下,在单晶硅衬底上制备了球形结构的多晶金刚石微球,通过控制沉积气压与温度的变化,研究了金刚石由石墨生长区向纳米晶的球形结构、再到具有良好结晶性的金刚石生长区的过渡过程。结果表明:沉积气压与温度的升高导致微球的粒径增大,微球由sp^3、sp^2键共存相转变为较纯的金刚石相;在一定的碳离子过饱和度和气压、温度范围内,微球的形成主要受二次形核过程的控制。气压和温度升高后,微球呈<110>取向生长,微球的形成主要受(111)面高密度孪晶和层错缺陷的控制,揭示了化学气相沉积金刚石不同生长区内二次形核机制与孪晶层错机制诱导的金刚石微球的生长过程。 展开更多
关键词 金刚石微球 化学气相沉积 二次形核 孪晶 层错
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