电磁脉冲作用下二极管二次击穿电热特性 被引量：5

1

作者 任兴荣 柴常春 +1 位作者 马振洋 杨银堂 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期36-42,共7页

对p-n-n+二极管在电磁脉冲作用下的二次击穿过程进行了二维瞬态电热仿真,研究了二次击穿过程中二极管内部的电场和电流密度分布以及端电压和端电流随电磁脉冲作用时间的变化,探索了二次击穿触发温度、触发电流和触发能量随延迟时间的变... 对p-n-n+二极管在电磁脉冲作用下的二次击穿过程进行了二维瞬态电热仿真,研究了二次击穿过程中二极管内部的电场和电流密度分布以及端电压和端电流随电磁脉冲作用时间的变化,探索了二次击穿触发温度、触发电流和触发能量随延迟时间的变化规律.研究结果表明,电磁脉冲作用下二极管的二次击穿属于热二次击穿,电流集中并非二次击穿发生的必要条件,触发温度和触发电流随延迟时间的减小而增大,但触发能量则随延迟时间的减小而减小,仿真得到的电磁脉冲损伤能量阈值与实验数据吻合较好. 展开更多

关键词 电磁脉冲 二极管 二次击穿 触发温度 损伤阈值

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关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究 被引量：7

2

作者 张丽 庄奕琪 +1 位作者 李小明 姜法明 《电子器件》 EI CAS 2005年第1期105-109,共5页

在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数... 在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则: 基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响,给出了仿真结果。 展开更多

关键词 二次击穿 双极晶体管 功率晶体管VDMOS 寄生晶体管 MEDICI

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VDMOSFET二次击穿效应的研究 被引量：2

3

作者 张丽 庄奕琪 +1 位作者 李小明 姜法明 《现代电子技术》 2005年第4期114-117,共4页

在 PDP驱动电路中高压功率器件大量采用了 V DMOS器件 ,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管 VDMOS二次击穿的现象 ,并着重分析了功率晶体管 VDMOS二次击穿的原因 ,提出了改善其二次击穿现象的措施。... 在 PDP驱动电路中高压功率器件大量采用了 V DMOS器件 ,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管 VDMOS二次击穿的现象 ,并着重分析了功率晶体管 VDMOS二次击穿的原因 ,提出了改善其二次击穿现象的措施。用器件仿真软件 MEDICI模拟了各参数因素对功率晶体管 VDMOS二次击穿的影响。 展开更多

关键词 二次击穿 双极晶体管 功率晶体管VDMOS 寄生晶体管 MEDICI

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两步扩散发射区功率晶体管芯片上温度分布及抗二次击穿能力的研究

4

作者 刘振茂 理峰 +1 位作者 张国威 刘晓为 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期8-11,7,共5页

试验研究了采用两步扩散发射区结构的功率晶体管,两步扩散发射区结构在提高芯片上温度分布均匀性和器件抗二次击穿能力方面具有较好的作用.两步扩散发射区器件管芯上的温度分布较一步扩散发射区更为均匀,二次击穿耐量可提高80%以上.

关键词 功率晶体管 芯片 二次击穿 耐量

全文增补中

晶体管的二次击穿及检测 被引量：3

5

作者 王晶霞 王品英 沈源生 《电子与封装》 2011年第11期9-13,共5页

晶体管的二次击穿线是构成其安全工作区(SOA)的重要曲线,作者对该问题进行了多年的探讨和实验。文章详尽地论述了二次击穿的机理是由于电流或电压应力所引起的破坏性结果。简要叙述了芯片材料、制造与组装工艺对二次击穿的影响,指出了... 晶体管的二次击穿线是构成其安全工作区(SOA)的重要曲线,作者对该问题进行了多年的探讨和实验。文章详尽地论述了二次击穿的机理是由于电流或电压应力所引起的破坏性结果。简要叙述了芯片材料、制造与组装工艺对二次击穿的影响,指出了器件的电性能、应用电路以及环境温度与二次击穿的关系,从而为晶体管避免二次击穿提供了方向。最后介绍了一种检测二次击穿的简易方法,并根据所测得的数据描绘了功率晶体管(2SD880、3DD13003)的二次击穿特性曲线。文中还示出了二次击穿造成芯片损伤以及器件发生二次击穿时的曲线照片。 展开更多

关键词 二次击穿 热斑 可调恒流源

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用正偏二次击穿测量法验证大功率器件的可靠性 被引量：1

6

作者 陈克明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期38-42,共5页

介绍了一些比较简单的提高大功率器件可靠性的老化、筛选措施。

关键词 可靠性 二次击穿 老化 筛选 功率器件 晶体管

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辐照加固大功率双极晶体管抗二次击穿能力的研究 被引量：1

7

作者 陶有翠 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第12期34-37,共4页

本文在简单分析双极型晶体管抗辐照性能的同时,着重分析了晶体管的二次击穿现象和机理,结合加固的大功率晶体管的二次击穿问题找出改进的措施。

关键词 双极晶体管 二次击穿能力 辐照

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用测量正偏二次击穿参数的方法来验证大功率器件的可靠性 被引量：1

8

作者 陈克明 《世界电子元器件》 1999年第5期38-40,共3页

大功率管在整机装配、调试及运行过程中常出现一些质量问题,诸如:电性能曲线漂移、线性不好、直流放大倍数不符合要求,甚至集电极-发射极烧毁造成开路等。这些缺陷固然与器件生产过程的质量有极其重要的关系,但如果整机厂在设计过程中... 大功率管在整机装配、调试及运行过程中常出现一些质量问题,诸如:电性能曲线漂移、线性不好、直流放大倍数不符合要求,甚至集电极-发射极烧毁造成开路等。这些缺陷固然与器件生产过程的质量有极其重要的关系,但如果整机厂在设计过程中考虑不周,选型不当造成余量小或使用上的失误,也会造成大功率管的早期失效。为解决这一问题,我们对所使用的功率管进行了一系列试验,已摸索出一些比较简单的提高大功率器件可靠性的老化、筛选措施。 展开更多

关键词 功率晶体管 可靠性 二次击穿 测量

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一种由于集电区背面接触不良引起的直流正偏二次击穿现象

9

作者 王正贤 《半导体技术》 CAS 1985年第2期1-5,共5页

本文以3DD200硅低频大功率晶体管为例,对由于芯片背面接触不良而引起直流正偏二次击穿的物理过程进行了分析.提出了在生产中用测量晶体管△V_(EB)对收集区背面进行监控的方法,并把所得结果与QD-2晶体管直流正偏二次击穿测试仪所测的结... 本文以3DD200硅低频大功率晶体管为例,对由于芯片背面接触不良而引起直流正偏二次击穿的物理过程进行了分析.提出了在生产中用测量晶体管△V_(EB)对收集区背面进行监控的方法,并把所得结果与QD-2晶体管直流正偏二次击穿测试仪所测的结果进行了比较.结果证明:只要测试条件选择适当,二者有很好的对应关系,并提供了改善收集区背面接触的实验结果. 展开更多

关键词 二次击穿 正偏 物理过程 芯片 集电区 大功率晶体管 接触不良

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不同上升时间快前沿电磁脉冲引起PN结失效、烧毁的二维数值模拟 被引量：7

10

作者 郭红霞 周辉 +5 位作者 陈雨生 张义门 龚仁喜 关颖 韩福斌 龚建成 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2002年第3期17-20,共4页

利用半导体器件二维模拟软件数值模拟计算了不同上升时间的快前沿电磁脉冲对PN结的毁坏过程,对计算结果作了分析,得到了一维器件模拟无法得到的电流通道等其他二维效应,详细地给出了器件正常工作、失效直至烧毁的全过程。

关键词 电磁脉冲 漂移扩散模型 结热二次击穿 PN结 失效 烧毁 电子元器件 二维数值模拟

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瞬态电压抑制二极管的建模及仿真 被引量：3

11

作者 黄薇 罗启元 +2 位作者 蒋同全 汪洋 金湘亮 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第6期927-931,936,共6页

基于0.5μm CMOS工艺,设计瞬态电压抑制(TVS)二极管。利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向I–U特性曲线;基于Silvaco TCAD... 基于0.5μm CMOS工艺,设计瞬态电压抑制(TVS)二极管。利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向I–U特性曲线;基于Silvaco TCAD工艺器件仿真平台,经DC仿真验证所建模型的准确性。仿真结果表明,2种方法获得的特性曲线基本吻合,本文所建数值模型能够预测TVS二极管瞬态电压抑制时的电特性。 展开更多

关键词 静电放电 TVS二极管 热源模型 计算机辅助设计仿真 二次击穿点

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1维亚微米弹道二极管在不同外加电压脉冲下的数值模拟

12

作者 刘烨 王蔷 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期680-684,共5页

以适合亚微米器件的流体动力学模型为基础,建立了1维数值模拟程序,程序中采用耦合牛顿法求解非线性方程组。应用该程序对亚微米1维弹道二极管进行了瞬态数值模拟,分析了外加低电压和高电压脉冲情况下的电场强度、载流子浓度、载流子温... 以适合亚微米器件的流体动力学模型为基础,建立了1维数值模拟程序,程序中采用耦合牛顿法求解非线性方程组。应用该程序对亚微米1维弹道二极管进行了瞬态数值模拟,分析了外加低电压和高电压脉冲情况下的电场强度、载流子浓度、载流子温度等参数的变化情况。低电压脉冲下的结果与文献一致;对于文献中并未开展的高电压脉冲下的模拟,得到了器件处于非正常工作状态的各参数分布曲线,并尝试用二次击穿理论对结果进行分析。结果显示:随着外电压的升高,载流子的碰撞电离将导致少子空穴浓度急剧增大,并达到与电子浓度相同的量级,这时在器件分析中空穴方程已不能省略,并且载流子浓度将取代掺杂浓度控制电势分布,并进而影响电场及电流密度,涌极附近电场将增强,电流密度也将迅速增加。结论可为研究瞬态电磁脉冲对2维器件的损伤效应提供参考。 展开更多

关键词 亚微米弹道二极管 流体动力学模型 器件模拟 二次击穿

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超快速高压雪崩三极管器件研制 被引量：7

13

作者 刘忠山 杨勇 +2 位作者 马红梅 刘英坤 崔占东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第6期379-382,共4页

采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压... 采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压400V,脉冲电流达80A的雪崩三极管器件并已投入批量生产。给出了雪崩三极管MARX使用电路及测试结果,重复频率可达400kHz。器件采用金属管壳片式封装,具有可靠性高、易于级联使用等优点。 展开更多

关键词 雪崩三极管 二次击穿 负阻 MARX电路 超宽带

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基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件 被引量：3

14

作者 张峰 刘畅 +1 位作者 黄鲁 吴宗国 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1676-1680,共5页

针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结... 针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结构,通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析不同结构的电流密度和ESD鲁棒性差异;流片后通过传输线脉冲测试(TLP)方法测试不同结构ESD防护器件特性.仿真和测试结果表明,改进型DDSCR_N+结构在具有和传统DDSCR器件的相同的触发和维持电压前提下,二次击穿电流比传统的DDSCR结构提高了160%,ESD鲁棒性更强,适用范围更广. 展开更多

关键词 静电放电(ESD) 双向可控硅(DDSCR) TCAD仿真 传输线脉冲测试 二次击穿电流

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nMOSFET X射线辐射影响研究 被引量：3

15

作者 罗宏伟 杨银堂 +1 位作者 恩云飞 朱樟明 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期246-248,245,共4页

介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有... 介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有利于提高ggnMOS的抗ESD能力,而表征其抗ESD能力的参数(二次击穿电流It2)开始随辐射总剂量的增加而减少,到达一定剂量后将随总剂量的增加而增加。 展开更多

关键词 栅接地nMOS ESD 辐射总剂量 开启电压 二次击穿电流 X射线辐射

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典型ESD防护器件失效机理研究 被引量：3

16

作者 王振兴 武占成 +1 位作者 张希军 刘进 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期962-967,共6页

瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器... 瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器件存在缺陷的SiO2层会发生自愈性击穿。当器件的pn结发生击穿时,器件将失效。如果两个pn结都被击穿,器件的I-V曲线表现为电阻特性。当TVS器件出现损伤后,器件仍具有箝位作用,且其表现的箝位电压更低,但由于器件的漏电流发生较大的增长,将影响被保护电路的正常工作。 展开更多

关键词 瞬态电压抑制管(TVS) 失效模式 漏电流 二次击穿

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不同栅压下NMOS器件的静电防护性能 被引量：2

17

作者 朱科翰 董树荣 +1 位作者 韩雁 杜晓阳 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期141-144,共4页

针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计不同尺寸的NMOS静电防护器件,采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流-电压曲线.借... 针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计不同尺寸的NMOS静电防护器件,采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流-电压曲线.借助半导体器件仿真软件ISE-TCAD对器件进行瞬态仿真,得出在不同栅压下的电场强度分布.分析表明,栅压使得电流更趋于表面流动而降低NMOS静电防护器件的二次击穿电流.在设计回跳型栅极耦合NMOS静电防护器件时,辅助触发电路的RC时间常数应该控制在50ns左右. 展开更多

关键词 静电防护 二次击穿电流 传输线脉冲

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GTR的失效分析与快速保护 被引量：2

18

作者 郑学仁 刘百勇 +1 位作者 贺晓龙 吴朝晖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期15-18,共4页

剖析了ＳＱＤ５０ＡＢ１００型ＧＴＲ功率模块的失效情况，分析了其二次击穿失效机理及引起失效的器件内部和外部原因。设计了一种快速有效的ＧＴＲ过流保护电路。该电路使用效果显著，且自成单元，可灵活应用于各种场合。

关键词 功率晶体管 二次击穿 过流保护

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ESD保护结构设计 被引量：3

19

作者 郑若成 刘澄淇 《电子与封装》 2009年第9期28-30,48,共4页

静电损伤失效可能是热击穿(电流)造成的结或金属布线熔融失效,也可能是强电场(电压)诱发的介质失效,文章主要从电流热击穿方面探讨了静电触发时的ESD(Electro-Static-Discharge)保护结构的保护机理和失效机理以及工艺和版图上的应对措... 静电损伤失效可能是热击穿(电流)造成的结或金属布线熔融失效,也可能是强电场(电压)诱发的介质失效,文章主要从电流热击穿方面探讨了静电触发时的ESD(Electro-Static-Discharge)保护结构的保护机理和失效机理以及工艺和版图上的应对措施。保护结构工作时的电流泄放能力决定了其保护能力,这种能力可以通过使泄放电流均匀、优化PN结特性等方面加强。电流泄放的均匀性可以在工艺版图上进行优化,结两侧浓度决定了结的耐受能力和结上的偏压,进而影响器件功耗。另外还提及了保护结构的负面影响以及工艺上的优化方案。 展开更多

关键词 结温 二次击穿电流 均匀放电 工艺 版图

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双极型微波功率晶体管热失效原因分析 被引量：2

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作者 李萍 来萍 郑廷圭 《电子产品可靠性与环境试验》 2006年第4期16-18,共3页

阐述了双极型微波功率晶体管的主要失效模式及失效机理,重点分析了热应力导致的失效,介绍了两个典型的失效分析案例,并提出相应的筛选措施。

关键词 双极型微波功率晶体管 二次击穿 粘接不良

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