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2~20 GHz宽带二分频器的设计及其工作条件研究
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作者 王增双 朱大成 +1 位作者 郝晓超 高晓强 《电声技术》 2024年第5期134-136,142,共4页
利用GaAs异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)工艺设计一款宽带二分频器。首先,基于发射极耦合逻辑(Emitter Coupled Logic,ECL)结构的锁存器,提出一种能够提高分频器工作频率和带宽的D触发器结构。其次,从分频器... 利用GaAs异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)工艺设计一款宽带二分频器。首先,基于发射极耦合逻辑(Emitter Coupled Logic,ECL)结构的锁存器,提出一种能够提高分频器工作频率和带宽的D触发器结构。其次,从分频器的自谐振频率、输入灵敏度曲线、输入信号质量等方面分析分频器的工作条件。最后,进行测试分析。测试结果表明:在电源电压为5 V时,该二分频器电流为75 mA,输入频率为2~20 GHz,在3~17 GHz的输入灵敏度为-10~10 dBm,输出功率为-3 dBm。 展开更多
关键词 二分频器 D触发 自谐振 输入灵敏度
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微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现 被引量:2
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作者 陈凤霞 默立冬 吴思汉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期164-166,共3页
采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 ... 采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 GHz的静态二分频器。测试结果表明,该分频器在输入频率为3.7 GHz,输入-20 dBm功率时,输出功率4 dBm;电源电压5 V,工作电流85 mA,芯片尺寸为0.85 mm×0.85 mm。 展开更多
关键词 二分频器 异质结双极晶体管 锁存 D触发 阻抗匹配
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