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题名基于二值和三值忆阻器模型构建的混沌系统的特性分析
被引量：1
- 1
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作者
王晓媛
田远泽
程知群
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机构
杭州电子科技大学电子信息学院
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出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第12期4556-4565,共10页
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基金
国家自然科学基金(61871429)
浙江省自然科学基金(LY18F010012)
科技部基地平台项目(D20011)。
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文摘
近年来,基于忆阻器的非线性动力学问题备受关注。该文以二值和三值忆阻器为例分析了二值和多值忆阻器对于混沌系统动力特性的影响。首先,将二值忆阻器引入Chen系统,构建了一个4维的基于二值忆阻器的混沌系统(BMCS)。其次,使用三值忆阻器替换上述系统中的二值忆阻器,构建一个4维的基于三值忆阻器的混沌系统(TMCS)。通过理论分析与数值仿真,从多个角度对比了两个混沌系统之间的动力学特性差异,如Lyapunov指数、分岔图、系统的平衡点、系统稳定性、对初值的敏感性以及系统的复杂度分析等。结果表明,两个基于忆阻器的混沌系统都具有无穷多个平衡点,二者产生的吸引子均为隐藏吸引子,且都存在的暂态混沌现象,但三值忆阻混沌系统具有超混沌特性,且相比二值忆阻混沌系统具有更强的初值敏感性以及更大的参数取值区间。分析得出基于三值忆阻器构建的混沌系统比基于二值忆阻器的混沌系统能够产生更为复杂的动力学特性,混沌信号也更为复杂。
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关键词
二值忆阻器
三值忆阻器
超混沌
隐藏吸引子
系统复杂度
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Keywords
Binary-valued memristor
Tri-valued memristor
Hyper-chaos
Hidden attractors
System complexity
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分类号
TN918.1
[电子电信—通信与信息系统]
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题名二值型忆阻器及其在可编程增益放大电路中的应用
被引量：3
- 2
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作者
梁燕
王骞
卢振洲
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机构
杭州电子科技大学电子信息学院
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出处
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2020年第7期40-46,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61801154)
浙江省自然科学基金资助项目(LY20F010008)
+1 种基金
国家级电子信息技术虚拟仿真实验教学中心建设、非线性电路理论及应用核心课程建设项目(HXKC2017007)
杭州电子科技大学高等教育教学改革项目(YBJG202006)。
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文摘
二值型忆阻器具有独特的二值特性和非易失特性,使其在存储器、数字逻辑电路、模拟电路等领域中展现出了巨大的应用潜力。但是二值型忆阻器仍然存在生产技术难题,尚未商业化,因此建立二值型忆阻器仿真器并研究其应用具有重要意义。该文基于运算放大器、电流传输器、乘法器、二极管、电阻、电容等基本电路元件设计了一种二值型忆阻器电路仿真器,并通过Pspice仿真和硬件电路验证了该仿真器具有典型的二值特性、非易失特性和阈值特性。将该电路仿真器应用于模拟电路中的比例放大电路中,通过仿真分析和实验验证,采用电压脉冲信号修改忆阻器仿真器的阻值,无需改变电路结构实现增益在线修改。
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关键词
二值型忆阻器
仿真器
可编程增益电路
阈值特性
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Keywords
binary memristor
emulator
programmable gain circuit
threshold characteristic
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分类号
TN709
[电子电信—电路与系统]
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