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B_2H_6分子结构和振动频率的DFT研究
被引量：
1
1
作者
黄铭
庞文宁
+1 位作者
肖琦
刘义保
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第B04期1-3,共3页
用密度泛函理论 (DFT)方法研究B2 H6分子的几何结构、空间电子密度分布和轨道动量分布以及振动频率等基本性质。取DFT理论中的B3LYP方法和 6 - 311++G 基组对乙硼烷分子的几何构型进行全优化计算后分析其空间电子密度分布。利用不同方...
用密度泛函理论 (DFT)方法研究B2 H6分子的几何结构、空间电子密度分布和轨道动量分布以及振动频率等基本性质。取DFT理论中的B3LYP方法和 6 - 311++G 基组对乙硼烷分子的几何构型进行全优化计算后分析其空间电子密度分布。利用不同方法和基组得到了轨道动量分布。在B3LYP/6 - 311++G 基础上对优化后的结构进行正则振动频率分析。
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关键词
乙硼烷
(
b
2
h
6
)
密度泛函理论
电子密度分布
轨道动量分布
振动频率
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职称材料
氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）
2
作者
张念华
万先进
+11 位作者
李远
许爱春
潘杰
左明光
胡凯
詹侃
宋锐
毛格
彭浩
李晓静
闫薇薇
曾传滨
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第11期925-932,938,共9页
在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(...
在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(SEM)表征钨薄膜的填充能力。结果表明:开口有弓状形貌的结构,使用传统化学气相沉积(CVD)方式生长钨薄膜非常容易导致孔洞;而利用氮等离子体处理能够获得没有孔洞的钨填充。引入扫描透射电子显微镜(STEM)解释氮等离子体处理的机理,同时对体钨生长延迟时间与氮等离子体处理的时间、氮气体积流量、乙硼烷通气时间、体钨生长温度的关系进行了研究。
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关键词
钨填充
孔洞
氮等离子体处理
氮化钨薄膜
延迟时间
乙硼烷
(
b
2
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6
)
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职称材料
题名
B_2H_6分子结构和振动频率的DFT研究
被引量：
1
1
作者
黄铭
庞文宁
肖琦
刘义保
机构
清华大学物理系极化物理实验室
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第B04期1-3,共3页
基金
中国科技部与比利时弗拉芒大区科技合作项目
国家教育部留学回国人员科研资助项目
文摘
用密度泛函理论 (DFT)方法研究B2 H6分子的几何结构、空间电子密度分布和轨道动量分布以及振动频率等基本性质。取DFT理论中的B3LYP方法和 6 - 311++G 基组对乙硼烷分子的几何构型进行全优化计算后分析其空间电子密度分布。利用不同方法和基组得到了轨道动量分布。在B3LYP/6 - 311++G 基础上对优化后的结构进行正则振动频率分析。
关键词
乙硼烷
(
b
2
h
6
)
密度泛函理论
电子密度分布
轨道动量分布
振动频率
分类号
O561 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）
2
作者
张念华
万先进
李远
许爱春
潘杰
左明光
胡凯
詹侃
宋锐
毛格
彭浩
李晓静
闫薇薇
曾传滨
机构
中国科学院微电子研究所
长江存储科技有限责任公司
中国科学院大学微电子学院
中国科学院硅器件技术重点实验室
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第11期925-932,938,共9页
基金
National Natural Science Foundation of China(61804168)
Youth Innovation Promotion Association of CAS(2015099)
文摘
在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(SEM)表征钨薄膜的填充能力。结果表明:开口有弓状形貌的结构,使用传统化学气相沉积(CVD)方式生长钨薄膜非常容易导致孔洞;而利用氮等离子体处理能够获得没有孔洞的钨填充。引入扫描透射电子显微镜(STEM)解释氮等离子体处理的机理,同时对体钨生长延迟时间与氮等离子体处理的时间、氮气体积流量、乙硼烷通气时间、体钨生长温度的关系进行了研究。
关键词
钨填充
孔洞
氮等离子体处理
氮化钨薄膜
延迟时间
乙硼烷
(
b
2
h
6
)
Keywords
W gap fill
void
N plasma treatment
WN x film
delay time
di
b
orane(
b
2
h
6
)
分类号
TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
B_2H_6分子结构和振动频率的DFT研究
黄铭
庞文宁
肖琦
刘义保
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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职称材料
2
氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）
张念华
万先进
李远
许爱春
潘杰
左明光
胡凯
詹侃
宋锐
毛格
彭浩
李晓静
闫薇薇
曾传滨
《微纳电子技术》
北大核心
2019
0
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