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基于PCM的混合主存系统
1
作者
傅腾达
《数字技术与应用》
2015年第2期64-64,66,共2页
处理器和存储器之间的性能差异日益增大,但传统的DRAM器件的集成度已经接近极限,能源消耗问题也已然成为瓶颈,如何设计稳定且有效的存储架构解决存储墙问题已成为学术界热议的话题。近年来,具有代表性的非易失性存储器-相变存储器(phase...
处理器和存储器之间的性能差异日益增大,但传统的DRAM器件的集成度已经接近极限,能源消耗问题也已然成为瓶颈,如何设计稳定且有效的存储架构解决存储墙问题已成为学术界热议的话题。近年来,具有代表性的非易失性存储器-相变存储器(phase change memory,PCM),凭借其低功耗、大容量、可按字节寻址等特性,逐渐成为内存系统中颇具潜力的DRAM替代品。这篇文章重点讨论了基于PCM构建的多种混合主存结构。
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关键词
相变存储器
非易失性
内存系统
主存结构
写优化
磨损均衡
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职称材料
题名
基于PCM的混合主存系统
1
作者
傅腾达
机构
重庆大学计算机学院
出处
《数字技术与应用》
2015年第2期64-64,66,共2页
文摘
处理器和存储器之间的性能差异日益增大,但传统的DRAM器件的集成度已经接近极限,能源消耗问题也已然成为瓶颈,如何设计稳定且有效的存储架构解决存储墙问题已成为学术界热议的话题。近年来,具有代表性的非易失性存储器-相变存储器(phase change memory,PCM),凭借其低功耗、大容量、可按字节寻址等特性,逐渐成为内存系统中颇具潜力的DRAM替代品。这篇文章重点讨论了基于PCM构建的多种混合主存结构。
关键词
相变存储器
非易失性
内存系统
主存结构
写优化
磨损均衡
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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作者
出处
发文年
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1
基于PCM的混合主存系统
傅腾达
《数字技术与应用》
2015
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