期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
C/SiC材料主动氧化烧蚀计算研究
被引量:
9
1
作者
邓代英
陈思员
+1 位作者
俞继军
欧东斌
《空气动力学学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第4期496-500,共5页
建立了C/SiC材料的热化学平衡烧蚀模型,进行了C/SiC材料烧蚀机理的计算研究和试验验证,理论计算结果和试验数据符合良好。计算结果表明,在高温空气环境下,C/SiC材料的无因次质量烧蚀率"B"与材料中C元素、Si元素的质量分数及...
建立了C/SiC材料的热化学平衡烧蚀模型,进行了C/SiC材料烧蚀机理的计算研究和试验验证,理论计算结果和试验数据符合良好。计算结果表明,在高温空气环境下,C/SiC材料的无因次质量烧蚀率"B"与材料中C元素、Si元素的质量分数及温度、压力有关。在同样条件下,C/SiC材料主动氧化烧蚀速率大于C/C复合材料烧蚀速率。
展开更多
关键词
碳化硅
主动氧化
烧蚀
在线阅读
下载PDF
职称材料
C/SiC材料氧化烧蚀行为的理论模型与计算方法
被引量:
4
2
作者
汪雷
潘勇
+2 位作者
邓代英
徐晓亮
俞继军
《导弹与航天运载技术》
CSCD
北大核心
2022年第4期92-97,共6页
针对C/SiC复合材料在不同温度及压力条件下的氧化机制,基于氧化动力学及化学平衡基本模型,获得了C/SiC材料氧化烧蚀行为的理论模型与计算方法;利用典型地面试验,并与电弧风洞地面试验实测数据进行了对比分析。对于被动氧化时的氧化层厚...
针对C/SiC复合材料在不同温度及压力条件下的氧化机制,基于氧化动力学及化学平衡基本模型,获得了C/SiC材料氧化烧蚀行为的理论模型与计算方法;利用典型地面试验,并与电弧风洞地面试验实测数据进行了对比分析。对于被动氧化时的氧化层厚度演化,该模型主要考虑材料表面氧化膜内非等摩尔扩散特性的影响规律,关注边界层内氧扩散及氧化膜内氧输运的竞争控制机制。对于主动氧化条件下的烧蚀质量损失,该模型考虑了低温条件下的动力学烧蚀和高温平衡,重点分析了碳及碳化硅组元的氧化动力学特性、温度、压力和来流质量流率等主要因素对烧蚀行为的影响规律。
展开更多
关键词
C/SIC
烧蚀
主动氧化
被动
氧化
在线阅读
下载PDF
职称材料
C/SiC材料主被动氧化烧蚀机理及计算方法研究
被引量:
10
3
作者
张红军
康宏琳
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期223-230,共8页
基于热化学平衡方法建立了任意比例C/SiC材料的主被动氧化烧蚀模型,开展了C/SiC材料氧化烧蚀机理的计算研究,并基于典型材料烧蚀试验结果进行了充分验证。计算结果表明,C/SiC材料的氧化烧蚀特性取决于表面温度、氧分压以及组分等因素,...
基于热化学平衡方法建立了任意比例C/SiC材料的主被动氧化烧蚀模型,开展了C/SiC材料氧化烧蚀机理的计算研究,并基于典型材料烧蚀试验结果进行了充分验证。计算结果表明,C/SiC材料的氧化烧蚀特性取决于表面温度、氧分压以及组分等因素,可能会出现主动氧化和被动氧化两种破坏机制,目前的烧蚀模型能够预测出任意比例C/SiC材料两种氧化烧蚀机制的转换过程;SiC含量对C/SiC材料的氧化烧蚀特性有明显的影响,随着SiC含量的提升,主/被动氧化转换临界分压会减小,材料的抗氧化性能越好;但当材料均处于主动氧化阶段时,SiC含量越高材料的无量纲烧蚀速率越大,材料的抗烧蚀性能减弱。
展开更多
关键词
C/SiC材料
主动氧化
被动
氧化
烧蚀预测模型
在线阅读
下载PDF
职称材料
等离子喷涂制备C/C复合材料SiC涂层的驻点烧蚀性能
4
作者
孙乐
王成
+3 位作者
孟广慧
宗彦旭
吴坤尧
丁旭
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期45-50,共6页
目的在C/C复合材料表面制备SiC涂层,提高C/C复合材料抗烧蚀性能。方法采用真空等离子喷涂技术在C/C复合材料表面制备纯Si涂层,在惰性气氛保护下对涂层高温热处理,纯Si涂层与C元素在高温下反应,原位生成SiC涂层。利用电弧加热器在不同烧...
目的在C/C复合材料表面制备SiC涂层,提高C/C复合材料抗烧蚀性能。方法采用真空等离子喷涂技术在C/C复合材料表面制备纯Si涂层,在惰性气氛保护下对涂层高温热处理,纯Si涂层与C元素在高温下反应,原位生成SiC涂层。利用电弧加热器在不同烧蚀温度下,分别考核涂层的驻点烧蚀性能,并采用OM、SEM、EDS和XRD等对烧蚀前后的微观形貌和物相成分进行分析。结果在C/C复合材料表面制备了致密的SiC涂层,涂层中没有明显的裂纹存在,并在涂层下方产生较深的渗透区域,深度超过涂层厚度。制备的SiC涂层在1400℃下烧蚀50 s,涂层完整,具有良好的驻点烧蚀性能;在1600℃和1650℃下烧蚀50 s,涂层部分剥落,C/C复合材料基体产生烧蚀。结论 SiC涂层在高温下氧化成Si O2玻璃态膜,并覆盖在C/C复合材料表面,对基体具有良好的保护作用。随着烧蚀温度的提高,在超音速气流的冲刷下,由于热膨胀系数不匹配和SiC主动氧化的原因,涂层在烧蚀面边缘出现剥落,且剥落现象越来越严重,涂层失去对C/C基体的保护作用,烧蚀性能下降。
展开更多
关键词
真空等离子喷涂
SIC涂层
驻点烧蚀
SIO2膜
主动氧化
C/C复合材料
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
C/SiC材料主动氧化烧蚀计算研究
被引量:
9
1
作者
邓代英
陈思员
俞继军
欧东斌
机构
中国航天空气动力技术研究院
出处
《空气动力学学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第4期496-500,共5页
文摘
建立了C/SiC材料的热化学平衡烧蚀模型,进行了C/SiC材料烧蚀机理的计算研究和试验验证,理论计算结果和试验数据符合良好。计算结果表明,在高温空气环境下,C/SiC材料的无因次质量烧蚀率"B"与材料中C元素、Si元素的质量分数及温度、压力有关。在同样条件下,C/SiC材料主动氧化烧蚀速率大于C/C复合材料烧蚀速率。
关键词
碳化硅
主动氧化
烧蚀
Keywords
Silicon carbide
active oxidation
ablation
分类号
V211.3 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
C/SiC材料氧化烧蚀行为的理论模型与计算方法
被引量:
4
2
作者
汪雷
潘勇
邓代英
徐晓亮
俞继军
机构
北京宇航系统工程研究所
空间物理重点实验室
中国航天空气动力技术研究院
出处
《导弹与航天运载技术》
CSCD
北大核心
2022年第4期92-97,共6页
文摘
针对C/SiC复合材料在不同温度及压力条件下的氧化机制,基于氧化动力学及化学平衡基本模型,获得了C/SiC材料氧化烧蚀行为的理论模型与计算方法;利用典型地面试验,并与电弧风洞地面试验实测数据进行了对比分析。对于被动氧化时的氧化层厚度演化,该模型主要考虑材料表面氧化膜内非等摩尔扩散特性的影响规律,关注边界层内氧扩散及氧化膜内氧输运的竞争控制机制。对于主动氧化条件下的烧蚀质量损失,该模型考虑了低温条件下的动力学烧蚀和高温平衡,重点分析了碳及碳化硅组元的氧化动力学特性、温度、压力和来流质量流率等主要因素对烧蚀行为的影响规律。
关键词
C/SIC
烧蚀
主动氧化
被动
氧化
Keywords
C/SiC
ablation
active oxidation
passive oxidation
分类号
V435.14 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
C/SiC材料主被动氧化烧蚀机理及计算方法研究
被引量:
10
3
作者
张红军
康宏琳
机构
北京空天技术研究所
出处
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期223-230,共8页
基金
国家自然科学基金(11802296)
文摘
基于热化学平衡方法建立了任意比例C/SiC材料的主被动氧化烧蚀模型,开展了C/SiC材料氧化烧蚀机理的计算研究,并基于典型材料烧蚀试验结果进行了充分验证。计算结果表明,C/SiC材料的氧化烧蚀特性取决于表面温度、氧分压以及组分等因素,可能会出现主动氧化和被动氧化两种破坏机制,目前的烧蚀模型能够预测出任意比例C/SiC材料两种氧化烧蚀机制的转换过程;SiC含量对C/SiC材料的氧化烧蚀特性有明显的影响,随着SiC含量的提升,主/被动氧化转换临界分压会减小,材料的抗氧化性能越好;但当材料均处于主动氧化阶段时,SiC含量越高材料的无量纲烧蚀速率越大,材料的抗烧蚀性能减弱。
关键词
C/SiC材料
主动氧化
被动
氧化
烧蚀预测模型
Keywords
C/SiC composite
Active oxidation
Passive oxidation
Thermochemical ablation model
分类号
V445.1 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
V259 [一般工业技术—材料科学与工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
等离子喷涂制备C/C复合材料SiC涂层的驻点烧蚀性能
4
作者
孙乐
王成
孟广慧
宗彦旭
吴坤尧
丁旭
机构
西安航空学院材料工程学院
西安航空学院新材料研究所
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期45-50,共6页
基金
西安航空学院校级科研基金资助项目(2015KY1105)
国家级大学生创新创业训练计划项目(201611736001)~~
文摘
目的在C/C复合材料表面制备SiC涂层,提高C/C复合材料抗烧蚀性能。方法采用真空等离子喷涂技术在C/C复合材料表面制备纯Si涂层,在惰性气氛保护下对涂层高温热处理,纯Si涂层与C元素在高温下反应,原位生成SiC涂层。利用电弧加热器在不同烧蚀温度下,分别考核涂层的驻点烧蚀性能,并采用OM、SEM、EDS和XRD等对烧蚀前后的微观形貌和物相成分进行分析。结果在C/C复合材料表面制备了致密的SiC涂层,涂层中没有明显的裂纹存在,并在涂层下方产生较深的渗透区域,深度超过涂层厚度。制备的SiC涂层在1400℃下烧蚀50 s,涂层完整,具有良好的驻点烧蚀性能;在1600℃和1650℃下烧蚀50 s,涂层部分剥落,C/C复合材料基体产生烧蚀。结论 SiC涂层在高温下氧化成Si O2玻璃态膜,并覆盖在C/C复合材料表面,对基体具有良好的保护作用。随着烧蚀温度的提高,在超音速气流的冲刷下,由于热膨胀系数不匹配和SiC主动氧化的原因,涂层在烧蚀面边缘出现剥落,且剥落现象越来越严重,涂层失去对C/C基体的保护作用,烧蚀性能下降。
关键词
真空等离子喷涂
SIC涂层
驻点烧蚀
SIO2膜
主动氧化
C/C复合材料
Keywords
vacuum plasma spraying
SiC coating
stagnation point ablation
SiO2 scale
active oxidation
C/C composites
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
C/SiC材料主动氧化烧蚀计算研究
邓代英
陈思员
俞继军
欧东斌
《空气动力学学报》
EI
CSCD
北大核心
2011
9
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
C/SiC材料氧化烧蚀行为的理论模型与计算方法
汪雷
潘勇
邓代英
徐晓亮
俞继军
《导弹与航天运载技术》
CSCD
北大核心
2022
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
C/SiC材料主被动氧化烧蚀机理及计算方法研究
张红军
康宏琳
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
10
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
等离子喷涂制备C/C复合材料SiC涂层的驻点烧蚀性能
孙乐
王成
孟广慧
宗彦旭
吴坤尧
丁旭
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部