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DS2430A 256位一线电可擦除只读存储器
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作者 刘江一 李刚 《电子质量》 2002年第1期55-63,共9页
介绍DS2430A的结构、工作原理、存储器功能命令、ROM功能命令和一线bus通信协议,给出DS2430A的主要电气参数,并提供一个存储功能的例子。
关键词 一线电可除只读存储器 DS2430A EEPROM
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中芯国际发布0.18微米电可擦除只读存储器工艺技术及智能模块设计平台
2
《集成电路应用》 2006年第1期17-17,共1页
日前,中芯国际集成电路制造有限公司,宣布其研发出的0.18微米电可擦除只读存储器(EEP—ROM)工艺技术已经可以提供给客户使用。为了更好地服务于全球客户,中芯国际设计服务处同时宣布他们采用此项工艺技术成功研发出嵌入式电可擦... 日前,中芯国际集成电路制造有限公司,宣布其研发出的0.18微米电可擦除只读存储器(EEP—ROM)工艺技术已经可以提供给客户使用。为了更好地服务于全球客户,中芯国际设计服务处同时宣布他们采用此项工艺技术成功研发出嵌入式电可擦除只读存储器智能模块设计平台。 展开更多
关键词 中芯国际集成路制造有限公司 0.18微米 只读存储器 工艺技术 电可擦除 设计平台 智能模块 设计服务 嵌入式 客户
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TMS320F2812串行外设存储在APF控制系统中的应用
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作者 程向娇 康秀强 +1 位作者 汪芳君 陈锡忠 《科技通报》 2018年第6期127-131,共5页
用户参数存储是电力电子装置一个重要技术环节,TI TMS320F2812是被用做变流器数字控制的主流芯片之一。本文介绍了一种基于TMS320F2812芯片的串行外设接口(SPI)模块与串行EEPROM X25650AF的数据保存电路。重点给出了数据存储和读取的子... 用户参数存储是电力电子装置一个重要技术环节,TI TMS320F2812是被用做变流器数字控制的主流芯片之一。本文介绍了一种基于TMS320F2812芯片的串行外设接口(SPI)模块与串行EEPROM X25650AF的数据保存电路。重点给出了数据存储和读取的子程序流程图,C语言代码,以及调试步骤。最后,将此存储系统成功的应用于一种有源电力滤波器(active power filter,APF)的用户参数存储,实现了APF选择性谐波补偿功能记录。 展开更多
关键词 数字信号处理器 电可可编程只读存储器 时序 串行外设接口
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4kb串行I^(2)C接口EEPROM电路设计 被引量:3
4
作者 唐拓 《中国集成电路》 2022年第4期37-42,共6页
EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)以其非易失性、数据存储能力强、操作灵活等特点广泛应用于对数据存储安全性及可靠性要求较高的场合,如微控制器、传感器、测量和医疗仪表,非接触式智能卡等领域。I^(2)C(Inter-Integrated Circuit)总... EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)以其非易失性、数据存储能力强、操作灵活等特点广泛应用于对数据存储安全性及可靠性要求较高的场合,如微控制器、传感器、测量和医疗仪表,非接触式智能卡等领域。I^(2)C(Inter-Integrated Circuit)总线是一种紧凑的而且非常节省连线资源的总线接口,由数据线SDA和时钟线SCL构成的串行总线,可在CPU与被控IC之间、IC与IC之间进行双向数据传输,速度一般可达400kbps以上。基于SMIC 0.18μm 2P4M工艺设计了一款4k bit串行I^(2)C接口EEPROM电路,该EEPROM具有高速、低功耗、较大电压工作范围和灵活的读写操作等优点。该电路对EEPROM在相关领域的嵌入式应用具有较强的参考意义。 展开更多
关键词 电可擦除可编程只读存储器 I^(2)C总线 灵敏放大器 荷泵 低功耗
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嵌入式系统中EEPROM接口及控制电路设计 被引量:13
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作者 姚亚峰 陈建文 黄载禄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期328-331,共4页
嵌入式串行EEPROM存储器已成为当今许多片上系统解决方案的一个重要组成部分。本研究以以太网接口卡芯片中EEPROM的嵌入式应用开发为例,介绍和提供了一种嵌入式系统中串行EEPROM的接口和控制电路的设计方法。本方法对其他领域EEPROM的... 嵌入式串行EEPROM存储器已成为当今许多片上系统解决方案的一个重要组成部分。本研究以以太网接口卡芯片中EEPROM的嵌入式应用开发为例,介绍和提供了一种嵌入式系统中串行EEPROM的接口和控制电路的设计方法。本方法对其他领域EEPROM的嵌入式应用也具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 串行电可擦除只读存储器 嵌入式系统 串行外设接口 芯片内总线接口
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新型系列I^2C多路EEPROM存储器
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《国外电子元器件》 2002年第11期79-79,共1页
关键词 EEPROM存储器 I^2C总线 飞利浦子集团公司 电可除只读存取器
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一种健康管理芯片中数字控制保护电路的设计与实现 被引量:2
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作者 吴俊杰 徐宏林 张浩 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2019年第9期71-75,82,共6页
数字控制保护电路是健康管理芯片的重要组成部分。健康管理芯片对发射组件进行保护,具有电流检测、温度检测、过流保护、过温保护、脉宽占空比保护、寿命记录等功能。数字控制电路进行参数配置与存储,用逻辑运算处理模数转换后的信号,... 数字控制保护电路是健康管理芯片的重要组成部分。健康管理芯片对发射组件进行保护,具有电流检测、温度检测、过流保护、过温保护、脉宽占空比保护、寿命记录等功能。数字控制电路进行参数配置与存储,用逻辑运算处理模数转换后的信号,产生控制信号给模拟电路并上报状态。文中采用硬件描述语言设计并实现了一种串行外设接口,具有电可擦除只读存储器读写、电流和温度比较和保护、占空比检测和保护、寿命计数等功能,并采用XFAB 0.35μm工艺完成了芯片流片。测试结果表明:实现了组件健康管理的数字控制与保护功能,能够满足组件高可靠性、小型化、低成本的需求。 展开更多
关键词 健康管理 流检测 电可除只读存储器 占空比保护
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RFID中EEPROM时序及控制电路设计 被引量:2
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作者 程兆贤 戴宇杰 +2 位作者 张小兴 吕英杰 樊勃 《微纳电子技术》 CAS 2008年第11期677-680,共4页
RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电... RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路,使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,仿真结果显示,3.3V电源供电时,擦写编程电流为45μA,读数据工作电流为3μA,读数据周期为300ns,具有低功耗、高速度的特性。 展开更多
关键词 射频识别卡 电可可编程只读存储器 时序 控制 模拟仿真
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串行EEPROM及其在8O97单片机上的应用 被引量:5
9
作者 朱蕙琳 《电子技术应用》 北大核心 1995年第10期11-14,共4页
介绍美国ATMEL公司串行EEPROM93C46/56/57/66的性能特点,引脚功能及指令详解,并给出AT93C46与8097BH的接口及其读写程序.
关键词 串行EEPROM 单片机 可擦 可编程 只读存储器
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一种用于TCOCXO的数据修调电路
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作者 徐润 张春雷 +2 位作者 胡锦龙 梁科 李国峰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期508-513,共6页
采用VIS 0.15μm BCD工艺设计了一款应用于温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO)专用集成电路(ASIC)的数据修调电路。该数据修调电路由逻辑控制电路和一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)构成,主要功能是完成TCOCXO ASIC中温度补偿的控制及... 采用VIS 0.15μm BCD工艺设计了一款应用于温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO)专用集成电路(ASIC)的数据修调电路。该数据修调电路由逻辑控制电路和一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)构成,主要功能是完成TCOCXO ASIC中温度补偿的控制及实现芯片的多模式工作。与通过模拟函数发生器实现的补偿方式相比,使用该数据修调电路实现的温度补偿方法可以实现更高的补偿精度和更小的芯片面积。通过该电路对TCOCXO ASIC进行调试与配置,搭载该ASIC的晶体振荡器在温度为-40~85℃时频率-温度稳定度可达SymbolqB@5×10^(-9)。TCOCXO ASIC的测试结果表明,这种修调方法在减小芯片面积的同时可以实现更高精度的频率-温度补偿。 展开更多
关键词 温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO) 数据修调 电可可编程只读存储器(EEPROM) 频率-温度稳定度 专用集成路(ASIC)
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一种简化的E^2PROM存储管I—V模型
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作者 于宗光 叶守银 +5 位作者 傅斌 许居衍 夏树荣 黄卫 徐征 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期163-166,共4页
提出一种FLOTOXE2PROM存储管的电流—电压模型,模型的模拟结果和实验结果相吻合,该模型为精确设计和利用E2PROM单元提供了理论基础。
关键词 电可 可编程 只读存储器 存储 E^2PROM
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集成电路I^2C模块主从模式与Boot控制的设计 被引量:1
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作者 李庆龙 王盼 谭力波 《集成电路应用》 2020年第8期5-8,共4页
针对I^2C模块作为芯片中必要的基础模块,在芯片的启动、调试及监测中起重要作用,I^2C模块的应用也极为重要。在芯片上电启动/复位时进入Boot模式,I^2C模块从EEPROM中读取初始化配置信息并完成寄存器配置,完成芯片的初始化设置。在调试... 针对I^2C模块作为芯片中必要的基础模块,在芯片的启动、调试及监测中起重要作用,I^2C模块的应用也极为重要。在芯片上电启动/复位时进入Boot模式,I^2C模块从EEPROM中读取初始化配置信息并完成寄存器配置,完成芯片的初始化设置。在调试过程中作为从模式时,外部主机设备可通过I^2C模块访问芯片内部寄存器,完成对芯片的监测、配置和调试。为了提高芯片操控的效率,提出通过I^2C接口配置芯片内部寄存器进入主模式,可读写I^2C总线上从设备的数据。 展开更多
关键词 集成路设计 内置集成路总线 电可擦除可编程只读存储器 BOOT 操控效率
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安森美半导体扩充串行EEPROM产品阵容
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《电子与电脑》 2011年第7期72-72,共1页
安森美半导体(0N Semiconductor)推出新的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)器件,用于汽车,医疗及消费市场。
关键词 安森美半导体 串行EEPROM 可擦除可编程只读存储器 产品 消费市场
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华虹半导体最新推出0.11μm超低漏电嵌入式闪存工艺平台
14
《中国集成电路》 2015年第7期3-3,共1页
华虹半导体有限公司(华虹半导体)日前宣布,最新推出0.11μm超低漏电(Ultra—Low—Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0.18μm超低漏电技术的延续,可为客... 华虹半导体有限公司(华虹半导体)日前宣布,最新推出0.11μm超低漏电(Ultra—Low—Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0.18μm超低漏电技术的延续,可为客户提供一个完美兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化解决方案。 展开更多
关键词 嵌入式闪存 半导体 平台 工艺 电可可编程只读存储器 成本优势 LOW
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华虹半导体0.11微米超低漏电嵌入式闪存工艺助力物联网MCU
15
《集成电路应用》 2015年第7期43-43,共1页
华虹半导体有限公司近日宣布,最新推出0.11微米超低漏电(UItra—Low—Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0.18微米超低漏电技术的延续,可为客户提供一个完... 华虹半导体有限公司近日宣布,最新推出0.11微米超低漏电(UItra—Low—Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0.18微米超低漏电技术的延续,可为客户提供一个完美兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化解决方案。 展开更多
关键词 嵌入式闪存 半导体 工艺 微米 电可可编程只读存储器 MCU 物联网
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LCD或LCD TV的画质和色彩在线软调整方法 被引量:3
16
作者 左瑞娟 林丽玉 武永华 《电视技术》 北大核心 2010年第3期38-40,共3页
LCD或LCD TV中,影响画质和色彩最重要的两个参数就是Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值。提出了一种软调整方法,该方法采用在线量测LCD或LCD TV一些特定的画面的光学值,并通过色彩空间转换和插值法获得当前LCD或LCDTV最佳Gamma Table... LCD或LCD TV中,影响画质和色彩最重要的两个参数就是Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值。提出了一种软调整方法,该方法采用在线量测LCD或LCD TV一些特定的画面的光学值,并通过色彩空间转换和插值法获得当前LCD或LCDTV最佳Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值,然后再通过DDCCI传输这些参数到LCD或LCDTV。从而保证每台LCD或LCD TV都达到最佳的显示效果,克服了目前每台LCD或LCD TV都采用固定值而不能达到最佳显示效果的问题。 展开更多
关键词 电可可编程只读存储器 伽马 色温
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高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术
17
作者 封晴 徐政 钱宏文 《电子与封装》 2008年第7期31-33,42,共4页
电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明,我们设计的0.8μm电可擦除只读存储... 电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明,我们设计的0.8μm电可擦除只读存储器单元Vpp电压在13V ̄15V之间能够正常工作,擦写时间小于500μs,读出电流大于160μA/μm;在普通CMOS工艺基础上增加了BN+埋层、隧道窗口工艺,成功应用于含嵌入电可擦除只读存储器的可编程电路的设计与制造。 展开更多
关键词 非易失性存储器 电可除只读存储器 CMOS 工艺 嵌入EEPROM
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基于栅氧化层损伤EEPROM的失效分析 被引量:3
18
作者 赵扬 陈燕宁 +1 位作者 单书珊 赵明敏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期72-76,共5页
随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机... 随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机理。介绍了红外发光显微镜(EMMI)、电压衬度(VC)、去层、聚焦离子束(FIB)的分析原理及组合失效分析技术。针对传统分析手段的不足及局限性,提出了采用一种选择性刻蚀方法对栅氧化层的微小缺陷进行定位与分析。研究结果表明,该方法对分析栅氧化层击穿等缺陷损伤具有明显的优势,可以减少分析时间并提高失效分析成功率。 展开更多
关键词 电可可编程只读存储器(EEPROM) 失效分析 压衬度(VC) 聚焦离子束(FIB) 栅氧化层 缺陷
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一种ECC校验算法的设计与实现 被引量:4
19
作者 刘梦影 蔡阳阳 《电子与封装》 2020年第2期32-37,共6页
电可擦除可编程存储器(EEPROM)由于工艺结构的局限性而导致数据在存储过程中存在小概率的位反转问题。为解决该现象,设计了基于汉明码的纠错码(ECC)校验系统。结合EEPROM的结构特点和数据存储模式,该系统包含ECC校验码计算模块和数据检... 电可擦除可编程存储器(EEPROM)由于工艺结构的局限性而导致数据在存储过程中存在小概率的位反转问题。为解决该现象,设计了基于汉明码的纠错码(ECC)校验系统。结合EEPROM的结构特点和数据存储模式,该系统包含ECC校验码计算模块和数据检错纠错模块,每32 bit数据生成6 bit ECC校验码,具有1 bit/32 bit的纠错力。采用硬件描述语言Verilog HDL设计并实现了该ECC验证系统,并将其应用于基于串行外设接口(SPI)的EEPROM。仿真结果表明ECC验证系统可以保证数据的正确率,提高存储系统的可靠性。 展开更多
关键词 电可擦除可编程存储器 纠错码 串行外设接口
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BL93C46-CMOS EEPROM原理及应用
20
作者 刘锦 《集成电路应用》 1997年第6期40-44,共5页
电擦除可编程只读存储器EEPROM (Electrically Erasable PROM)是近年来开始被广泛应用的一种只读存储器。其主要优点是能在应用系统中对存储器件的数据进行在线改写。并能在断电情况下保存数据而不需保护电源。因此,在IC卡、智能仪表、... 电擦除可编程只读存储器EEPROM (Electrically Erasable PROM)是近年来开始被广泛应用的一种只读存储器。其主要优点是能在应用系统中对存储器件的数据进行在线改写。并能在断电情况下保存数据而不需保护电源。因此,在IC卡、智能仪表、控制装置、分布式监测系统子站、开发装置中得到广泛采用。 展开更多
关键词 擦除 可编程 EEPROM 只读存储器
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