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题名高性能锑化物超晶格中红外探测器研究进展(特邀)
被引量：4
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作者
郝宏玥
吴东海
徐应强
王国伟
蒋洞微
牛智川
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机构
中国科学院大学半导体研究所
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2022年第3期22-31,共10页
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基金
科技部重点研发计划(2018YFA0209104,2019YFA070104)。
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文摘
中红外探测技术作为一种重要的被动探测手段,在各个领域都有着非常重要的作用。其中,以InAs/InAsSb超晶格材料为基础的无Ga型Sb化物II类超晶格探测器,由于去除了Ga原子的缺陷,具有更高的少子寿命,有利于提高探测器性能。此外,使用光子晶体结构,进行表面光学性能调控,可以提高器件的响应度,从而降低材料吸收区厚度,降低器件暗电流。暗电流的降低和响应度的提升,进一步优化了探测器的性能,进而提高器件工作温度,进一步降低探测系统的体积、重量和功耗。研究表明:使用光子晶体结构可以在不改变外延材料结构的前提下,提高器件量子效率,实现响应光谱的展宽,在实际应用中具有重要的意义。文中综述和讨论了InAs/InAsSb超晶格探测器和光子晶体结构探测器材料生长、结构设计的主要技术问题,详细介绍了两种提高中红外探测器性能的方案及国内外的研究进展。
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关键词
锑化物
中红外探测技术
高工作温度
InAs/InAsSb二类超晶格
光子晶体
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Keywords
Sb-based material
mid-wave infrared photodetector technology
high operating temperature
InAs/InAsSb type-II superlattice
photonic crystals
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分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
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