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基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响
被引量：
4
1
作者
王晨辉
陈伟
+6 位作者
刘岩
李斌
杨善潮
金晓明
白小燕
齐超
林东生
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期171-176,共6页
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×10...
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012,1×1013 cm-2的中子辐照实验,研究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明,基区表面势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加,基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。
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关键词
基区表面势
栅控横向PNP晶体管
中子位移损伤
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职称材料
题名
基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响
被引量：
4
1
作者
王晨辉
陈伟
刘岩
李斌
杨善潮
金晓明
白小燕
齐超
林东生
机构
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所)
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期171-176,共6页
基金
国家自然科学基金重点项目(11235008)
文摘
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012,1×1013 cm-2的中子辐照实验,研究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明,基区表面势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加,基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。
关键词
基区表面势
栅控横向PNP晶体管
中子位移损伤
Keywords
base surface potential
gate-controlled lateral PNP bipolar transistor
neutron displacement damage
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响
王晨辉
陈伟
刘岩
李斌
杨善潮
金晓明
白小燕
齐超
林东生
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
4
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