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适用于中国UWB标准0.18μm CMOS发射机前端研制
1
作者
张永琥
张海英
高振东
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期923-927,共5页
基于0.18μm CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的发射机前端。该发射机前端通过在片内集成有源巴仑,实现了信号先差分至单端转化、后信号放大的策略,不仅提高了系统集成度而且有利于降低系统功耗。同时,提出折叠PMOS跨导技...
基于0.18μm CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的发射机前端。该发射机前端通过在片内集成有源巴仑,实现了信号先差分至单端转化、后信号放大的策略,不仅提高了系统集成度而且有利于降低系统功耗。同时,提出折叠PMOS跨导技术使混频器的线性度得以提升,利于增大发射链路中低频放大器的增益比重以减轻高频放大器的压力。最终,对前端电路应用并联峰化技术,满足了系统对带宽的要求。芯片采用COB(chip on board)方式测试,结果表明:射频输出端口在5～11.5 GHz内匹配良好,系统的IP-1dB约为-2 dBm。芯片面积为0.8 mm×1.1 mm,工作电压1.8 V时消耗电流20.4 mA。为中国超宽带(UWB)标准的进一步研究提供了参考。
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关键词
0.18μm-CMOS
中国超宽带标准
折叠PMOS跨导级混频器
有源巴仑
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职称材料
题名
适用于中国UWB标准0.18μm CMOS发射机前端研制
1
作者
张永琥
张海英
高振东
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期923-927,共5页
基金
国家科技重大专项(2009ZX3006-008)
国际科技合作项目(2008DFA10490)
文摘
基于0.18μm CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的发射机前端。该发射机前端通过在片内集成有源巴仑,实现了信号先差分至单端转化、后信号放大的策略,不仅提高了系统集成度而且有利于降低系统功耗。同时,提出折叠PMOS跨导技术使混频器的线性度得以提升,利于增大发射链路中低频放大器的增益比重以减轻高频放大器的压力。最终,对前端电路应用并联峰化技术,满足了系统对带宽的要求。芯片采用COB(chip on board)方式测试,结果表明:射频输出端口在5～11.5 GHz内匹配良好,系统的IP-1dB约为-2 dBm。芯片面积为0.8 mm×1.1 mm,工作电压1.8 V时消耗电流20.4 mA。为中国超宽带(UWB)标准的进一步研究提供了参考。
关键词
0.18μm-CMOS
中国超宽带标准
折叠PMOS跨导级混频器
有源巴仑
Keywords
0.18 μm CMOS
China UWB standard
folded PMOS-transconductance mixer
active- Balun
分类号
TN834 [电子电信—信息与通信工程]
TN74 [电子电信—电路与系统]
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作者
出处
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1
适用于中国UWB标准0.18μm CMOS发射机前端研制
张永琥
张海英
高振东
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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