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基于InAs/GaSb二类超晶格的中/长波双色红外探测器 被引量:8
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作者 孙姚耀 韩玺 +7 位作者 吕粤希 郭春妍 郝宏玥 蒋志 蒋洞微 王国伟 徐应强 牛智川 《航空兵器》 北大核心 2018年第2期56-59,共4页
InAs/GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料,其有效带隙可以覆盖40~400meV。该量子体系材料不仅具有良好的均匀性,还拥有出色的光学特性,其电子有效质量高、光吸收系数大、量子效率高,已经成为... InAs/GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料,其有效带隙可以覆盖40~400meV。该量子体系材料不仅具有良好的均匀性,还拥有出色的光学特性,其电子有效质量高、光吸收系数大、量子效率高,已经成为第三代红外焦平面探测器的热门材料。本文利用分子束外延技术生长了背靠背势垒型中/长波双色红外探测器材料,通过标准工艺和阳极硫化技术,成功制备双波段NMπP-PπMN型红外探测器。在77K,中波峰值量子效率为32%,长波峰值量子效率为27%,50%截止波长分别为4.7μm和7.9μm。中波信号在+2V偏压下饱和,暗电流密度为0.06A/cm^2,长波信号在-1.4V偏压下饱和,暗电流密度为8.7A/cm^2。 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 分子束外延 中/长波双色 红外探测器
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红外成像制导技术在反隐身空空导弹上的应用展望 被引量:6
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作者 刘珂 王炜强 李丽娟 《航空兵器》 CSCD 北大核心 2022年第2期60-65,共6页
现代隐身飞机对雷达型空空导弹构成巨大挑战,而红外成像制导技术在体制上具有良好的反隐身能力。本文介绍了国内外空空导弹红外成像制导技术研究发展现状,分析了红外成像导引头技术在未来反隐身超视距空空导弹上的应用前景,提出了一种... 现代隐身飞机对雷达型空空导弹构成巨大挑战,而红外成像制导技术在体制上具有良好的反隐身能力。本文介绍了国内外空空导弹红外成像制导技术研究发展现状,分析了红外成像导引头技术在未来反隐身超视距空空导弹上的应用前景,提出了一种反隐身红外成像导引头的技术方案。该导引头采用了中/长波双色成像探测技术,能够满足发射后截获条件下探测隐身目标和抗红外诱饵干扰的要求。分析研究表明红外双色成像导引头技术对于提高国内超视距空空导弹的反隐身性能具有重大意义。 展开更多
关键词 红外成像制导 中/长波双色成像 反隐身 超视距 空空导弹 红外导引头
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