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题名衍射干涉光刻研究
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作者
高阳
廖广兰
谭先华
史铁林
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机构
华中科技大学机械科学与工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期363-366,共4页
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基金
国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB724204)
国家自然科学基金资助项目(50805061
50975106)
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文摘
光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域。衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象。利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形。采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析;并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅;最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅。
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关键词
严格耦合波分析算法
光刻机
衍射干涉
干法刻蚀
亚微米
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Keywords
rigorous coupled wave analysis（RCWA）algorithms
aligner
diffraction interference
dry etching
sub-micron
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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