基于采样速率最快的全并行(Flash)ADC(Analog to Digital Converter)结构,采用UMC 0.18 um CMOS工艺,设计了一种具有失调对消的采样保持电路(Track-and-Hold Circuit)。该THC嵌入比较器的两级预放大电路之中,不仅可以简化ADC结构,还进...基于采样速率最快的全并行(Flash)ADC(Analog to Digital Converter)结构,采用UMC 0.18 um CMOS工艺,设计了一种具有失调对消的采样保持电路(Track-and-Hold Circuit)。该THC嵌入比较器的两级预放大电路之中,不仅可以简化ADC结构,还进一步提高了比较器速度。通过电路工作相位ф_1,ф_2交替变换,不同相位的失调分量等值反向,输出累加实现对比较器失调对消。最后,在2 GHz时钟频率下进行仿真,仿真结果表明,输入信号为800MHz时,具有失调对消THC的Flash ADC较传统结构的SFDR(Spurious Free Dynamic Range),SINAD(Signal to Noise And Distortion)分别提高了8.26 dB、3.14 dB,ENOB(Effective Number Of Bits)提高了0.52 bits。展开更多
文摘提出了一种适用于射频—微机电系统(RF-MEMS)滤波器的高性能接口放大电路。利用微纳工艺制备了相对带宽为1.4%、中心频率为73.02 MHz的硅基MEMS滤波器,针对其高阻抗、高插入损耗特性,设计了基于运算放大器的低噪声、高增益的两级放大电路和阻抗匹配电路。仿真结果表明:接口电路对高频的MEMS滤波器微弱电流信号具有良好的放大效果,增益可达62.75d B,噪声系数为3.35d B,S22反射系数为-46.91 d B,使RF-MEMS滤波器的插入损耗降低至0.56 d B。测试与PCB板级电路级联的MEMS滤波器输出信号表明:RF-MEMS滤波器的插入损耗降至16.2d B,相对带宽为1.4%,中心频率为73.02 MHz,提升了MEMS滤波器在无线通信中的应用潜力。
文摘基于采样速率最快的全并行(Flash)ADC(Analog to Digital Converter)结构,采用UMC 0.18 um CMOS工艺,设计了一种具有失调对消的采样保持电路(Track-and-Hold Circuit)。该THC嵌入比较器的两级预放大电路之中,不仅可以简化ADC结构,还进一步提高了比较器速度。通过电路工作相位ф_1,ф_2交替变换,不同相位的失调分量等值反向,输出累加实现对比较器失调对消。最后,在2 GHz时钟频率下进行仿真,仿真结果表明,输入信号为800MHz时,具有失调对消THC的Flash ADC较传统结构的SFDR(Spurious Free Dynamic Range),SINAD(Signal to Noise And Distortion)分别提高了8.26 dB、3.14 dB,ENOB(Effective Number Of Bits)提高了0.52 bits。
