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高反射率p-GaN欧姆接触电极
被引量：
5
1
作者
康香宁
章蓓
+3 位作者
胡成余
王琦
陈志忠
张国义
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期75-79,共5页
根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特...
根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。
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关键词
P-GAN
欧姆接触
反射电极
两步合金法
激光剥离
垂直结构LED
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职称材料
Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的欧姆接触研究
被引量：
5
2
作者
陈志忠
秦志新
+5 位作者
胡晓东
于彤军
童玉珍
丁晓民
杨志坚
张国义
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2004年第2期36-39,共4页
通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN...
通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升，到500℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n—GaN上Ti／Al／Ni／Au形成的接触电阻低达9．65×10^-7Ωcm^2。最后还对两步合金法形成n—GaN欧姆接触的机制进行了讨论。
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关键词
n型氮化镓
欧姆接触
电流-电压特性
传输线
法
两步合金法
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职称材料
题名
高反射率p-GaN欧姆接触电极
被引量：
5
1
作者
康香宁
章蓓
胡成余
王琦
陈志忠
张国义
机构
北京大学物理学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期75-79,共5页
基金
国家"863"计划(2001AA313110
2001AA313060
+4 种基金
2001AA313140)
北京市科技项目(H030430020230)
国家自然科学基金(60276034
50228202)
集成光电子国家联合重点实验室开放课题资助项目
文摘
根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。
关键词
P-GAN
欧姆接触
反射电极
两步合金法
激光剥离
垂直结构LED
Keywords
p-GaN
ohmic contact
high reflective contact
two-type anneal method
laser lift-off
vertical structure LED
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的欧姆接触研究
被引量：
5
2
作者
陈志忠
秦志新
胡晓东
于彤军
童玉珍
丁晓民
杨志坚
张国义
机构
北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2004年第2期36-39,共4页
文摘
通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升，到500℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n—GaN上Ti／Al／Ni／Au形成的接触电阻低达9．65×10^-7Ωcm^2。最后还对两步合金法形成n—GaN欧姆接触的机制进行了讨论。
关键词
n型氮化镓
欧姆接触
电流-电压特性
传输线
法
两步合金法
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高反射率p-GaN欧姆接触电极
康香宁
章蓓
胡成余
王琦
陈志忠
张国义
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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职称材料
2
Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的欧姆接触研究
陈志忠
秦志新
胡晓东
于彤军
童玉珍
丁晓民
杨志坚
张国义
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2004
5
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职称材料
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