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掺硼金刚石薄膜电极的制备及电化学特性 被引量:3
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作者 王帅 檀柏梅 +2 位作者 高宝红 张男男 安卫静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期378-381,共4页
通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。利用原子力显微镜(AFM)分析丙酮体积分数对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,利用循环伏安法(CV)分析BDD电极在不同种类、不同浓度电解液中的电化学特... 通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。利用原子力显微镜(AFM)分析丙酮体积分数对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,利用循环伏安法(CV)分析BDD电极在不同种类、不同浓度电解液中的电化学特性。结果表明,当丙酮体积分数为1.5%时,金刚石薄膜表现出优异的附着力,并且BDD电极具有稳定的电化学特性。采用制备的BDD电极,在不同浓度的KCl和KH2PO4电解液中使用,得出电势窗口均在3.4 V以上。 展开更多
关键词 掺硼金钢石(BDD)薄膜电极 热丝化学气相淀积(HFCVD) 循环伏安法(CV) 丙酮体积分数 电化学窗口
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