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消除干扰的一种新型TTL与非门电路: 1; 作者宋昭润《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 1996年第4期70-72,共3页; 本文报道了一种新型的ＴＴＬ与非门电路，该电路的特点是：当输入信号突然从高电平跳变到低电平的瞬间，不会产生电源电流干扰尖脉冲．; 关键词工作稳定性 TTL与非门电路干扰逻辑电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

双速电机驱动刮板输送机中电子保护器的研究被引量：1: 2; 作者叶《煤炭科学技术》 CAS 1988年第7期32-36,61,共6页; 本文介绍了双速电机驱动对电子保护提出的各种特殊要求,新设计成功的JDB-32/46S型双速电机电子保护器的技术性能与工作原理。; 关键词双速电机刮板输送机断相电流取样绝缘电阻过载信号与非门电路过热保护工作原理整定电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

热电厂汽轮机组闪光信号报警器的设计与应用: 3; 作者闫瑞廷柏志海《煤矿机械》北大核心 2006年第3期393-394,共2页; 介绍了采用CMOS电路设计的锅炉和汽轮机组闪光信号报警器的工作原理,在保证其功能的基础上,克服了原XXS-01型报警器的不足,电路结构简单、设计合理、性能可靠、稳定性高,降低了维修成本。; 关键词 CMOS与非门电路报警器闪光信号应用; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI/SIMOX-CMOS器件的研究: 4; 作者温梦全《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期109-111,共3页; 研究SOI SIMOX(SiliconOnInsulation SeparationbyImplantedOxygen)材料及SIMOX CMOS器件 .高能大剂量 ( 1 70keV ,1 .5× 1 0 18 cm2 )氧离子注入到P型( 1 0 0 )单晶Si衬底 ,再经高温长时间 ( 1 30 0℃ ,6h)退火 ,形成SIMOX结构材... 展开更多; 关键词半导体材料半导体器件与非门电路 SOI SIMOX CMOS; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名消除干扰的一种新型TTL与非门电路: 1; 作者宋昭润; 机构湘潭大学自动化与电子工程系; 出处《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 1996年第4期70-72,共3页; 文摘本文报道了一种新型的ＴＴＬ与非门电路，该电路的特点是：当输入信号突然从高电平跳变到低电平的瞬间，不会产生电源电流干扰尖脉冲．; 关键词工作稳定性 TTL与非门电路干扰逻辑电路; Keywords disturbance point pulse,push -pull outpult, working stability,control circuit; 分类号 TN791 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双速电机驱动刮板输送机中电子保护器的研究被引量：1: 2; 作者叶; 机构淮南矿业学院煤矿自动化研究室; 出处《煤炭科学技术》 CAS 1988年第7期32-36,61,共6页; 文摘本文介绍了双速电机驱动对电子保护提出的各种特殊要求,新设计成功的JDB-32/46S型双速电机电子保护器的技术性能与工作原理。; 关键词双速电机刮板输送机断相电流取样绝缘电阻过载信号与非门电路过热保护工作原理整定电流; 分类号 TD5 [矿业工程—矿山机电]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热电厂汽轮机组闪光信号报警器的设计与应用: 3; 作者闫瑞廷柏志海; 机构永城煤电集团公司; 出处《煤矿机械》北大核心 2006年第3期393-394,共2页; 文摘介绍了采用CMOS电路设计的锅炉和汽轮机组闪光信号报警器的工作原理,在保证其功能的基础上,克服了原XXS-01型报警器的不足,电路结构简单、设计合理、性能可靠、稳定性高,降低了维修成本。; 关键词 CMOS与非门电路报警器闪光信号应用; Keywords CMOS circuit annunciator flashy signal application; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI/SIMOX-CMOS器件的研究: 4; 作者温梦全; 机构北京航空航天大学理学院; 出处《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期109-111,共3页; 基金北航理学院科研基金资助项目; 文摘研究SOI SIMOX(SiliconOnInsulation SeparationbyImplantedOxygen)材料及SIMOX CMOS器件 .高能大剂量 ( 1 70keV ,1 .5× 1 0 18 cm2 )氧离子注入到P型( 1 0 0 )单晶Si衬底 ,再经高温长时间 ( 1 30 0℃ ,6h)退火 ,形成SIMOX结构材料 .经测试 ,SIMOX表层单晶硅膜反型为N型 ,研究表明 ,这是由于在制备SIMOX的工艺中 ,残留在SIMOX表层硅膜内的氧离子起施主作用所致 ,并计算出氧杂质在硅中的施主电离能 ,其值为 0 .1 5eV .采用SIMOX材料研制了MOSFET及CMOS三 3输入端与非门电路 ,并介绍了研制SIMOX CMOS器件的主要工艺 .; 关键词半导体材料半导体器件与非门电路 SOI SIMOX CMOS; Keywords semiconductor materials semiconductor devices “AND”“NOT”circuits SOI SIMOX CMOS; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料