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不挥发铁电存储器的最新发展
被引量：
8
1
作者
罗维根
丁爱丽
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期19-22,共4页
铁电材料具有自发极化并可由外电场反转，因此可以构成一种不挥发存储器．铁电薄膜与半导体集成，产生铁电随机存储器，并将成为存储器技术的主体．
关键词
铁电薄膜
铁电随机
存储器
存储器
不挥发存储器
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职称材料
题名
不挥发铁电存储器的最新发展
被引量：
8
1
作者
罗维根
丁爱丽
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期19-22,共4页
文摘
铁电材料具有自发极化并可由外电场反转，因此可以构成一种不挥发存储器．铁电薄膜与半导体集成，产生铁电随机存储器，并将成为存储器技术的主体．
关键词
铁电薄膜
铁电随机
存储器
存储器
不挥发存储器
Keywords
ferrocelectric thin film
ferroelectric random access memory (FeRAM), nonvolatile ferroelectricmemory
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不挥发铁电存储器的最新发展
罗维根
丁爱丽
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
8
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