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CMOS宽带低噪声放大器的设计 被引量:2
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作者 林丽芬 凌朝东 杨骁 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第6期640-643,共4页
提出一种利用噪声抵消技术减小热噪声因子的互补金属氧化物半导体(CMOS)宽带低噪声放大器电路.它具有不平衡变换器可转换单端信号为差分信号,无需外接平衡-不平衡变换器,也未采用电感匹配技术,进一步减小了芯片的面积.该低噪声放大器基... 提出一种利用噪声抵消技术减小热噪声因子的互补金属氧化物半导体(CMOS)宽带低噪声放大器电路.它具有不平衡变换器可转换单端信号为差分信号,无需外接平衡-不平衡变换器,也未采用电感匹配技术,进一步减小了芯片的面积.该低噪声放大器基于TSMC 0.18μm RF CMOS 1.8V的工艺设计,仿真和验证采用Cadence公司的Spectre工具.结果表明:在150~600MHz频带内的噪声系数为3.9dB,输入匹配参数S11小于-11.7dB,输入3阶截点IIP3为1.03dBm. 展开更多
关键词 低噪声放大器 宽带 噪声抵消技术 不平衡变换器 互补金属氧化物半导体
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一种新型三线式宽频带短波基站天线 被引量:6
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作者 屠振 白贵芳 +1 位作者 张广求 邢锋 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2008年第2期79-80,84,共3页
提出了一种新型三线式宽频带短波基站天线的详细设计过程,对天线进行了仿真分析和实际测试,该天线在2 MHz^30 MHz频带范围内满足电压驻波比小于2.0,相对增益可达3 dBi^5 dBi,比普通宽带短波基站天线工作频带宽、辐射效率高。而且适应于... 提出了一种新型三线式宽频带短波基站天线的详细设计过程,对天线进行了仿真分析和实际测试,该天线在2 MHz^30 MHz频带范围内满足电压驻波比小于2.0,相对增益可达3 dBi^5 dBi,比普通宽带短波基站天线工作频带宽、辐射效率高。而且适应于不同用途,三线式短波基站天线具有平拉和倒‘V’两种架设方式。 展开更多
关键词 三线天线 平衡-不平衡阻抗变换器 电压驻波比
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