双栅酞菁铜有机薄膜晶体管 被引量：2

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作者 宋林 徐征 +3 位作者 赵谡玲 张福俊 黄金昭 黄金英 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期393-397,共5页

有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件。为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善。文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管... 有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件。为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善。文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5V,场效应迁移率0.025cm2/V.s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 双栅 酞菁铜

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双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响 被引量：3

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作者 蔡旻熹 姚若河 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期61-66,72,共7页

双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:... 双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:随着有源层厚度的减小,双栅驱动模式下DG a-IGZO TFTs两栅极的耦合作用增强,有源层上、下表面的导电沟道向体内延伸,使器件的场效应迁移率显著增加;界面缺陷态对DG a-IGZO TFTs场效应迁移率的影响随着有源层厚度的减小而降低,对亚阈值摆幅的影响随着有源层厚度的减小而增大. 展开更多

关键词 双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管 界面缺陷态 场效应迁移率 亚阈值摆幅

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异步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管表面电势的解析模型

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作者 何伊妮 邓联文 +4 位作者 甄丽营 覃婷 廖聪维 罗衡 黄生祥 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期2480-2488,共9页

针对异步对称双栅结构的氧化铟镓锌(InGaZnO)薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs),求解泊松方程,并根据载流子在亚阈区、导通区的不同分布特点,在亚阈区引入等效平带电压的概念,在导通区运用Lambert W函数近似,建立异步对称双栅InGa... 针对异步对称双栅结构的氧化铟镓锌(InGaZnO)薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs),求解泊松方程,并根据载流子在亚阈区、导通区的不同分布特点,在亚阈区引入等效平带电压的概念,在导通区运用Lambert W函数近似,建立异步对称双栅InGaZnO TFT表面电势解析模型。该模型的拟合参数只有2个,能够较好地反映介电层厚度、沟道电压等参数对电势的影响。基于所建模型及TCAD分析,研究InGaZnO层厚度、栅介质层厚度以及缺陷态密度等物理量对独立栅控双栅晶体管表面电势的影响。研究结果表明:在亚阈区,表面电势随着底栅电压增大呈近似线性增大,且在顶栅电压调制作用下平移;在导通区,表面电势随着底栅电压的增加逐步饱和,且电势值与顶栅调制电压作用相关度小。表面电势的解析模型与TCAD数值计算结果对比,具有较高的吻合度;在不同缺陷态密度分布情况下,电势模型的计算值与TCAD分析值相对误差均小于10%。本研究成果有利于了解双栅InGaZnO TFT的导通机制,可用于InGaZnO TFT的器件建模及相关集成电路设计。 展开更多

关键词 双栅薄膜晶体管 表面势 解析模型 铟镓锌氧化物

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非对称双栅结构a-Si:H薄膜晶体管沟道电势统一模型

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作者 秦剑 姚若河 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期30-36,43,共8页

针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型.该模型所需参数可由实验直接提取,数值拟合量少,在特定... 针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型.该模型所需参数可由实验直接提取,数值拟合量少,在特定条件下可简化为对称双栅模型.在此基础上,文中利用数学变换及Lambert W函数提出了表面势与栅压隐含方程的近似求解方法.数值模拟结果显示,该方法具有良好的数值收敛特性,可直接用于器件仿真软件的初值设定,有效提升了模型自洽解的运算效率. 展开更多

关键词 非对称双栅薄膜晶体管 表面势 氢化非晶硅 陷阱态 近似解

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硅双栅场效应晶体管

5

作者 王英强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期5-13,共9页

本文综合各种资料,结合生产实践,以国内已大批量使用的几种不同结构的硅双栅场效应晶体管管芯的解剖分析为基础,介绍其原理和设计考虑、封装形式、关键参数及测试、使用注意事项和常见失效现象、工艺流程和特点。

关键词 硅双栅 场效应 晶体管 彩电 调谐器

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a-Si双栅TFT对电泳显示器响应速度的改善 被引量：4

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作者 杨澍 荆海 +1 位作者 付国柱 马凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期565-571,共7页

第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在... 第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在保持开态电流基本不变的情况下有效减小关态漏电流。SPICE模拟结果证明,双栅结构使关态漏电流减小一倍左右。为了衡量该结构对缩短电泳显示器响应时间的作用,建立了响应时间t与漏电流Ioff之间的函数关系。通过Matlab模拟,证明双栅结构在漏电流为20pA时可将响应时间从380ms降至320ms;漏电流为35pA时可将响应时间从530ms降至360ms,帧频由2Hz提高到3Hz。根据建立的t-Ioff关系,指出降低电泳粒子半径和增大存储电容是进一步提高电泳显示器响应速度的关键。 展开更多

关键词 电泳显示器 不定形硅双栅薄膜晶体管 漏电流 响应时间 SPICE模拟

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SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究 被引量：2

7

作者 陈越政 钱钦松 孙伟锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期54-57,共4页

采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实... 采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实验测试结果进一步验证了分析结论的正确性。其中,n型缓冲层掺杂剂量对电流增益β的影响最为明显,漂移区长度的影响最弱。基本完成了对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β主要工艺影响因素的定性分析,对于SOI-LIGBT的设计有一定的借鉴意义。 展开更多

关键词 绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管 电流增益β n型缓冲层 漂移区长度

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40-200GHz硅锗双极电路生产工艺和应用

8

作者 张哲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期35-37,43,共4页

首先描述先进的 0.18μm　SiGe-BiCMOS 生产流程(SiGe　120)并讨论在设计SiGe　90　时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需求。在此基础上,我们讨论了针对 40Gb 以上通讯应用而开发的当今世界领先的 200　GHz　SiGe　BiCM... 首先描述先进的 0.18μm　SiGe-BiCMOS 生产流程(SiGe　120)并讨论在设计SiGe　90　时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需求。在此基础上,我们讨论了针对 40Gb 以上通讯应用而开发的当今世界领先的 200　GHz　SiGe　BiCMOS 加工工艺。此工艺集成了双栅 0.13μm 的数字 CMOS 电路和 SiGe 晶体管电路。 展开更多

关键词 硅锗 CMOS电路 双栅 晶体管电路 双极 性能 通信市场 需求 成本 世界

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超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT

9

作者 陈文锁 张培建 钟怡 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期509-513,555,共6页

提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计... 提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计。新器件STI-SOI-LIGBT的制造方法可以采用半导体工艺生产线常用的带有浅槽隔离工艺的功率集成电路加工技术,关键工艺的具体实现步骤也进行了讨论。器件+电路联合仿真实验说明:新器件STISOI-LIGBT完全消除了正向导通过程中的负微分电阻现象,与常规结构LIGBT相比,正向压降略微增加6%,而关断损耗大幅降低86%。此外,对关键参数的仿真结果说明新器件还具有工艺容差大的设计优点。新器件STI-SOI-LIGBT非常适用于SOI基高压功率集成电路。 展开更多

关键词 绝缘体上硅(SOI) 浅槽隔离(STI) 横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT) 负微分电阻(NDR) 功率集成电路

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瓦克推出电动汽车用有机硅导热材料

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《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期150-150,共1页

在2018年上海新能源汽车及充换电技术大会（EVTech Shanghai 2018）上,瓦克新推出多款电动汽车用有机硅导热产品。其中,新的SEMICOSILPaste非固化型导热硅脂可作为填缝剂用于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源线路板（PCB）的热管理。... 在2018年上海新能源汽车及充换电技术大会（EVTech Shanghai 2018）上,瓦克新推出多款电动汽车用有机硅导热产品。其中,新的SEMICOSILPaste非固化型导热硅脂可作为填缝剂用于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源线路板（PCB）的热管理。同时展示的还有ELASTOSILRT 76XX TC系列加成固化导热灌封胶,此产品黏度低、导热性好,由于流动性特别优异,尤其适合复杂结构的灌封。瓦克展台的另一亮点是SEMICOSIL96X TC系列导热填缝胶. 展开更多

关键词 导热材料 有机硅 汽车用 电动 绝缘栅双极型晶体管 新能源汽车 导热硅脂 复杂结构

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IGBT自激电磁振动信号的压电薄膜传感与检测

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作者 何赟泽 张杰 +3 位作者 李祺颖 平阳 郭迪鑫 何洪英 《振动工程学报》 2025年第11期2569-2578,共10页

本研究旨在利用压电薄膜传感器对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)关断过程中产生的自激电磁振动信号进行试验分析,探讨不同测试条件下压电薄膜传感器测得IGBT器件自激电磁振动信号的特性及其与传播路径、电路参数的关系。本文搭建了IGBT器件... 本研究旨在利用压电薄膜传感器对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)关断过程中产生的自激电磁振动信号进行试验分析,探讨不同测试条件下压电薄膜传感器测得IGBT器件自激电磁振动信号的特性及其与传播路径、电路参数的关系。本文搭建了IGBT器件的脉冲测试平台,通过脉冲触发信号控制IGBT器件的开关过程,并配合示波器同步采集IGBT器件的电参量与自激电磁振动信号。本文对比不同安装位置及有/无耦合剂的IGBT器件自激电磁振动信号传播路径,确定了器件封装外壳涂抹耦合剂的压电薄膜传感器检测方式。通过改变关断电流与母线电压获得IGBT器件在不同工况下的自激电磁振动信号时/频域特征变化情况,发现压电薄膜传感器检测的自激电磁振动信号幅值、信号能量与关断电流和母线电压的变化均呈现正相关,且压电薄膜传感器测得信号频峰主要集中在35、57和135 kHz附近。补充开展了过栅压故障工况试验,以探讨异常状态下自激电磁振动信号的特征变化。对比了压电薄膜传感器与压电陶瓷声发射传感器在相同传播条件下的检测结果,发现两者在自激电磁振动信号能量响应趋势上具有一致性,但频谱分布与灵敏度特性存在差异,压电薄膜传感器在低频信号捕捉及安装适应性方面具有优势。本文的研究结果可为IGBT自激电磁振动信号的宽频带采集与状态监测方法优化提供依据。 展开更多

关键词 自激电磁振动 绝缘栅双极型晶体管 压电薄膜 振动监测

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